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  • 本发明公开了一种解胶装置、解胶系统及解胶方法,解胶装置包括:移载模块,包括解胶载板和第一平移单元,解胶载板具有透光区,透光区用于承载产品;密封模块,包括密封罩和第一升降单元,密封罩设于解胶工位的上方,用于罩在解胶载板的上方,形成封闭腔体,封...
  • 本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中,本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括:环,环具有第一环部件和第二环部件;可调整调谐环;以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接,使得第二环部件相对于第一环部件是...
  • 本发明公开了一种半导体封装设备,属于半导体封装领域,包括框架,所述框架的内部固定连接有底座,所述底座的顶部固定连接有模具,所述模具的上方固定连接有下压机构,所述模具的两侧均固定连接有多个呈等距分布的吹风机构;所述吹风机构包括与模具固定连接的...
  • 本发明涉及半导体表面清洁技术领域,公开了远程等离子体辅助的半导体刻蚀表面清洁方法。该方法配置远程等离子体发生装置并设定初始参数组合;接着采集半导体晶圆表面状态数据,经多维度预处理后构建表面状态变化矩阵;将该矩阵输入多模态特征整合模型进行特征...
  • 本发明涉及半导体芯片生产技术领域,公开了一种卷带式芯片级封装模块的连续生产装置及连续生产工艺,包括:锡膏印刷结构、倒装贴片结构、回流焊接结构和填充固化结构,锡膏印刷结构用于输送卷带式载带并在卷带式载带上印刷锡膏;倒装贴片结构设置在锡膏印刷结...
  • 本发明公开了一种阱维护预测装置、维护预测方法及半导体设备,阱维护预测装置包括阱主体、第一柔性连接件、第二柔性连接件以及称重组件,阱主体内部设置有副产物捕集结构;第一柔性连接件的上端与工艺腔室的底部连接,下端与阱主体的上端连接;第二柔性连接件...
  • 本申请涉及一种晶圆偏移的监测装置、监测方法及存储介质,该监测装置包括:测距传感器及观察窗;在基座的底部与腔室的底部的对应位置处,贯穿开设有通孔;在所述通孔处的腔室外壁设置观察窗;所述测距传感器固定安装在所述观察窗外表面,用于透过所述观察窗向...
  • 本发明涉及清洗装置技术领域,且公开了一种半导体元器件电浆清洗装置,包括外壳,所述外壳的内壁设置有机械臂一,所述机械臂一的内壁固定连接有喷水口,所述外壳的内壁设置有机械臂二,所述机械臂二的内壁设置有电动转盘,所述外壳的内壁固定连接有固定架,所...
  • 本发明提供一种基于半导体封装用引角焊接检测设备,包括至少一个焊接装置、检测装置、传输装置,传输装置包括输送轨道段,输送轨道段包括起始轨道、中间转接轨道、结尾轨道,起始轨道由第一输送轨道段组成、中间转接轨道包括至少一个第二输送轨道段,第二输送...
  • 本申请涉及一种基于多子系统互锁的半导体芯片制造供液控制方法及系统。其方法部分主要包括:当其中一个子系统执行任一子工艺段时,其余子系统仅可执行钢瓶运行子工艺段或手动操作;当子系统中的回收罐子系统执行钢瓶运行子工艺段后,其余子系统才可执行钢瓶更...
  • 本发明公开了一种新能源汽车增程器芯片加工设备及其加工工艺, 属于芯片加工技术领域。一种新能源汽车增程器芯片加工设备,包括操作台,所述操作台内设置有用于存放对芯片进行酸洗液的酸洗池、用于清洗芯片上粘附的酸液的酸液清洗池;所述操作台处设置有行程...
  • 本发明提供一种半导体晶圆清洗设备,涉及半导体晶圆清洗技术领域。该半导体晶圆清洗设备,包括装置外壳,所述装置外壳的内壁底端固定连接有吹扫槽,所述吹扫槽的内壁右端固定连接有排气槽,所述排气槽的内壁以用于将吹扫槽内冲刷的气排出,所述吹扫槽的底端左...
  • 本发明提供一种倒装焊接装置,其特征在于:它包括焊接平台(1),用于基板和芯片的放置加热;在焊接平台(1)上方设有可移动的视觉识别装置(2)用于芯片与基板的图像采集;在视觉识别装置(2)上设有倒装焊接头(3),在倒装焊接头(3)还套设有密封罩...
  • 本发明公开了一种高功率芯片的高可靠高散热的封装装置及封装方法,涉及芯片封装技术领域,一种高功率芯片的高可靠高散热的封装装置包括底板,底板的上表面固定连接有支撑板,存液气囊设置在支撑板上,存液气囊的表面固定连通有连通管一,该高功率芯片的高可靠...
  • 本发明申请涉及晶圆处理方法及晶圆处理设备,属于半导体制造技术领域,晶圆处理方法应用于晶圆处理设备,晶圆处理设备包括匀胶腔体,匀胶腔体内设置载台以及内壳体,所述载台承载晶圆转动,所述内壳体在所述晶圆的背面限定出内腔体,晶圆处理方法包括:在对晶...
  • 本发明公开了一种IGBT模块封装自动压盖装置,涉及芯片封装技术领域。本发明,包括机架,所述机架上固定安装有堆放区,所述机架内设置有伺服移动台,待加工的IGBT模块基座放置在伺服移动台的活动部上,所述机架的顶面设置有灌封固化组件,以对IGBT...
  • 本发明公开了基于氢氧化钾刻蚀清洁阶段使用的多面冲洗水槽结构,涉及晶圆刻蚀清洗技术领域,具体包括清洗箱和箱门,清洗箱的一侧安装有箱门,清洗箱内开设有旋转喷洗腔和浸泡腔,清洗箱内安装有伸缩控制组件;本发明是通过集成垂直浸泡腔与横向旋转喷洗腔的紧...
  • 本发明涉及半导体刻蚀技术领域,尤其涉及一种基于等离子体协同调控的半导体刻蚀方法,该方法通过在待刻蚀半导体上交替使用第一等离子体和第二等离子体以得到预设深宽比的若干沟槽结构,其中,第一等离子体进行刻蚀,第二等离子体进行侧壁残留物清洗;使用激光...
  • 本发明公开一种晶圆清洗单元、设备及方法。所述清洗单元包括:设置多通道喷头的模块化洁净室;带有连接筒、可上下移动的转接盘及传动座的摆振控制组件;通过万向节与传动座连接的承载台,承载台具有负压吸附孔;同轴双环双频超声换能器,内环工作于MHz、外...
  • 本发明公开了一种晶圆传递方法和电子设备,涉及半导体制造技术领域,所述方法包括:响应于晶圆传送盒装载的装载信号,根据晶圆传送盒接入的端口和各个晶圆在晶圆传送盒中的位置信息生成各个晶圆的晶圆标识码;响应于传递触发信号,将晶圆标识码封装在晶圆传递...
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