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  • 本公开提出了一种形成氧化层的方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:提供半导体材料;以及执行原位水汽生成工艺,以使反应气体与所述半导体材料反应以在所述半导体材料的表面生成氧化层,所述反应气体包括多种氧化剂。
  • 本发明公开了一种金属零层的制造方法,包括步骤:在第零层第零层层间膜的顶部表面形成金属硬质掩膜层。依次对金属硬质掩膜层和第零层第零层层间膜进行刻蚀形成金属零层开口。涂布形成第一SOC层。进行回拉工艺将第一SOC层的顶部表面降低到金属零层开口的...
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:形成基底;在所述基底上依次形成粘附材料、隔离材料和增厚材料;依次刻蚀所述增厚材料、隔离材料和粘附材料,形成电极结构,所述电极结构包括:依次位于所述基底上的粘附层、隔离层和增厚层;通过漂洗腐蚀液对...
  • 本发明涉及用于在具有平放的III‑V层的锗半导体晶片的情况下制造贯通开口的方法,该锗半导体晶片具有带有多个III‑V层的前侧,其中,在第一光刻工艺中构造用于构造贯通开口的第一无漆区域,或者借助第一印刷工艺结构化地施加第一漆以便构造第一无漆区...
  • 本公开提供一种嵌埋器件封装基板的制作方法。具体地,通过在具有双层可分离铜箔的刚性承载板上施加具有黏性的第一介质层;在第一介质层上贴合包括开口的框架,然后将元器件贴附在开口暴露的第一介质层上,并通过预烘烤半固化第一介质层;再在框架的表面压合第...
  • 本申请提供一种带导电通孔的玻璃基板的制作方法及芯片封装结构,方法包括:提供玻璃基板,玻璃基板包括相对的第一面和第二面;形成玻璃基板的第一面贯穿至第二面的第一通孔;在第一通孔内形成导电柱,导电柱与第一通孔之间具有间隙;在导电柱与第一通孔的内壁...
  • 本发明提供了一种功率模块的新型封装结构及其封装方法,包括:清洗并烘干陶瓷基板;将烘干后的陶瓷基板放于蒸发镀膜室腔体内进行真空蒸发镀膜,以对陶瓷基板改性处理;清洗并烘干铜材;将铜材安装在陶瓷基板的上表面获得装配组件,并将装配组件置于真空扩散连...
  • 本发明涉及一种面板级可拆卸式芯片封装结构的工艺方法,包括以下步骤:步骤一、面板级基板准备;步骤二、涂布热解胶膜;步骤三、粘贴下层金属引线框;步骤四、烘烤固化;步骤五、去除下层金属引线框外框和连筋;步骤六、涂布导电粘结物质;步骤七、置放芯片;...
  • 本发明涉及一种面板级功率芯片封装PPLA结构的工艺方法,包括以下步骤:步骤一、面板级基板准备;步骤二、涂布热解胶膜;步骤三、粘贴下层金属引线框;步骤四、烘烤固化;步骤五、去除下层金属引线框外框和连筋;步骤六、涂布导电粘结物质;步骤七、置放芯...
  • 一种电子组件的制造方法,其包含下列步骤:提供一载板;提供一电子组件;使位于该电子组件的至少一面的导电块固定于该载板以形成一整体组件;将该整体组件置入一处理腔室中;使该处理腔室内的温度下降至低于常温的一第一预定温度;使该处理腔室内的压力下降至...
  • 本发明提供一种封装结构及其制备方法,制备方法包括步骤:形成一基板,基板具有相对设置的第一面和第二面,提供至少一个芯片,将芯片键合于基板的第一面,形成多个支撑胶柱,将多个支撑胶柱粘贴于基板的第一面,且多个支撑柱分布于芯片的外侧并关于芯片中心对...
  • 本发明提供一种用于功率MOSFET的CLIP封装工艺,属于封装技术领域,包括具有三个轴向运动机构,所述三个轴向运动机构中的每个轴向运动机构均包括相互嵌套的内轨和外轨,内轨与外轨之间设置有磁悬浮驱动组件,所述磁悬浮驱动组件包括沿内轨长度方向间...
  • 一种用于连接电子部件的方法,该方法包括:(1)提供夹层布置,该夹层布置包括两个电子部件A和B,所述两个电子部件A和B各自包括金属接触表面和位于该电子部件A的金属接触表面A'和该电子部件B的金属接触表面B'之间的金属烧结组合物,(2)任选地,...
  • 本发明提供了一种用于将半导体芯片键合到表面上的键合位置的方法及装置。使用夹头拾取半导体芯片,然后将其放置在第一相机系统和第二相机系统之间。第一相机系统观察夹头和参考板,第二相机系统观察半导体芯片和参考板,以确定半导体芯片相对于夹头和参考板的...
  • 本发明提供了一种LPDDR封装方法,其可以有效降低封装的厚度,且可以有效增加产品散热能力。其特征在于:其将每块层叠的LPDDR芯片分别通过垂直打线引出重布的锡球,之后翻转整个叠装组件,并在叠装组件的塑封体的外周镀上EMI镀层。
  • 本发明提供了一种基于垂直打线的HBPOP封装方法,其优化手机内芯片布局空间,并且整体厚度不会增加。其特征在于:其使用垂直打线工艺将基板的电路引出,且在塑封体表面用RDL重新长出焊接点,然后再将LPDDR芯片和RDL层的重布焊接点连接。
  • 本发明提供了一种基于TMV工艺的HBPOP封装方法,其工艺难度低,设备要求度不高,且最终产品厚度可以降低约50um,从而使得电子产品的厚度减薄。其特征在于:通过打线工艺连接基板和转接板,并采用TMV工艺,将LPDDR芯片和转接板进行连接。
  • 本发明公开了一种用于混合键合工艺的纳米孪晶铜焊盘制备方法,使用刻蚀的方法在晶圆表面的介电材料薄膜内刻蚀出介电孔;使用物理气相沉积的方法在晶圆上先后沉积黏附层和种子层;使用直流反向电镀工艺,铜片作为阳极,带有黏附层和种子层的晶圆作为阴极,电镀...
  • 本发明提供了一种器件倒装焊封装方法和倒装焊器件,属于半导体器件封装技术领域。该器件倒装焊封装方法包括:提供沉积有第一片上金属的倒装芯片和沉积有第二片上金属的基板芯片,第一片上金属相背离倒装芯片一侧沉积有在空间上彼此隔离的互连金属阵列和第一限...
  • 本申请公开了一种回流治具,涉及半导体领域。一种回流治具,包括:可相对扣合的第一盖板、第二盖板,以及多个压件;所述第一盖板设有第一窗口,所述第二盖板设有与所述第一窗口相对设置的第二窗口;多个所述压件分布于所述第一窗口及所述第二窗口中至少一者的...
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