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  • 本发明公开了一种热磁双可调断路器,包括基座、热磁双可调机构、中盖、面盖、磁脱扣器和磁轭,所述热磁双可调机构、磁脱扣器和磁轭均安装在所述基座内,所述中盖位于所述基座的上部,所述面盖位于所述中盖的上部。相对于现有技术,由于本发明的热磁双可调断路...
  • 本发明涉及断路器技术领域,具体涉及一种断路器。该断路器,包括:信号脱扣装置包括脱扣件、第一复位件和驱动结构,脱扣件可在驱动结构作用下触发牵引杆,第一复位件与主轴联动,第一弹性件为第一复位件提供驱动脱扣件复位的弹性驱动力;热脱扣装置包括双金属...
  • 本发明提供了一种灭弧系统及断路器,涉及电气设备技术领域。灭弧系统包括基座、静触组件及隔板组件。基座凸设有隔离部,静触组件包括设置于基座的静导板、第一静触头和两个第二静触头,第一静触头和两个第二静触头均与静导板连接,两个第二静触头间隔设置于第...
  • 本发明涉及断路器技术领域,具体为一种小体积模块化液压电磁式断路器,包括合闸按键、分闸脱扣按钮、动静触头引弧结构、触头产气密封罩、脱扣机构、线圈、油杯、多极联动部件及脱扣复位簧;合闸按键与分闸脱扣按钮组合实现断路器分合闸操作;动静触头引弧结构...
  • 本发明公开了一种电子枪冷却系统,涉及冷却设备技术领域,其中,电子枪冷却系统包括油冷装置和水冷装置;油冷装置包括主箱体和换热部,主箱体内设置有换热器和泵体,换热部、泵体和换热器连通形成油冷回路,换热部设置于电子枪,用以冷却电子枪,换热部的进出...
  • 本发明涉及一种高真空管电子器件及其抽真空排气设备。所述电子器件腔体一端采用波纹管结构连接硬质管壁,并通过支撑结构承载轴向应力,支撑结构上设置压力传感器用于检测真空度。配套抽真空排气设备包括具备烘烤功能的支撑平台、真空管、分子泵与溅射离子泵组...
  • 本发明涉及一种场效应发射器微结构、一种电子发射器设备、一种X射线管和一种用于借助于X射线管生成X射线的方法。场效应发射器微结构具有:发射器针,带有栅极开口的栅电极,栅极开口将栅电极的下侧与上侧连接,发射器针的纵向中轴线在发射方向上垂直于栅电...
  • 本发明涉及一种场效应发射器微结构、一种电子发射器设备、一种X射线管和一种用于借助于X射线管生成X射线的方法。根据本发明的用于X射线管的场效应发射器微结构具有:发射器针,其中发射器针在第一端部处具有场效应发射部段;带有栅极开口的栅电极,其中栅...
  • 本发明涉及凸缘式X射线线性阵列靶组件、CT球管和CT设备。所述靶组件包括靶盘和靶盘轴,靶盘的数量为多个,依次安装在靶盘轴上,靶盘上设有靶体,靶体连接在靶盘边缘外侧,靶盘的前侧面为靶面,除最前侧靶盘外,任意靶盘相对于前一个靶盘在周向上顺时针或...
  • 本申请提供了一种剂量控制电路、剂量控制系统和离子注入机,剂量控制电路包括:转换模块和控制模块;其中,转换模块用于响应于量测电流,并输出对应的扫描电压给控制模块;量测电流有法拉第杯提供,用于表征偏转的离子束剂量;控制模块用于响应于片选信号,并...
  • 本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法,涉及半导体芯片技术领域,旨在提高半导体器件的良率。本申请实施例提供的等离子体刻蚀装置包括处理室和线圈,其中处理室设有第一腔室壁,线圈位于第一腔室壁背离容腔的一侧,线圈用于流通电流,进...
  • 本发明提供一种内衬结构、半导体工艺腔室及其点火方法,内衬结构,包括:内衬组件,内衬组件包括周向设置的多个子内衬,相邻的子内衬之间绝缘设置;多个阻抗调节单元,与所有子内衬对应设置并电连接,每个子内衬和对应的阻抗调节单元均用于连接在射频源与参考...
  • 本发明提供了一种进气装置及半导体工艺设备,涉及半导体设备技术领域,为解决相关技术提供的进气装置的进气孔在加工完成后,孔径固定,无法实现进气量的实时调节的问题而设计。该进气装置包括进气腔室、匀气板和若干气量调节柱,进气腔室具有相对且间隔的第一...
  • 本发明公开一种匀气环和原子层刻蚀腔室,以解决传统匀气环工作时边缘与中心区气体流速不均的问题。匀气环包括:匀气环本体为圆形环状结构,匀气环本体内壁和外壁均沿匀气环本体底部至顶部方向朝向圆形环状结构的轴向倾斜,匀气环本体壁厚由顶部至底部逐渐减小...
  • 本申请公开了一种下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备,该下电极结构包括下电极本体、射频馈入管组件和通气组件,射频馈入管组件的第一端与下电极本体电连接,射频馈入管组件的第二端用于与射频电源电连接;射频馈入管组件具有管内空间,管内空间的第...
  • 本发明提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。该技术具备:反应管,其具有处理基板的处理室和形成等离子体的缓冲室;以及加热装置,其对反应管进行加热,在缓冲室具备:被施加高频电力且长度不同的至少两个施加电极;被赋予基准电位的基准...
  • 本发明涉及等离子体处理装置和基板支承部组件。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台,具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外...
  • 本申请提供了一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法,涉及半导体温控技术领域,该温控装置主要由液氮储槽、液氮汽化器、气体换热器、液氮蒸发装置、气体收集器、超低温温控系统、液氮收集装置、自增压装置、单向阀、压力传感器、温度传感器组成,通过...
  • 本申请公开一种视窗组件、监测装置及半导体工艺设备,属于半导体技术领域。视窗组件包括安装基座、保护窗和观察窗,安装基座设有透光通道,保护窗设置于透光通道内,透光通道的第一端用于与半导体工艺设备的工艺腔室设置的监测孔相对,观察窗与安装基座相连,...
  • 本发明提供了用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法,涉及半导体制造技术领域。包括:衬套本体,用于设置在反应腔室内,所述衬套本体中心开设有过孔,用于静电卡盘的通过,所述衬套本体上开设有多个排气口,多个所述排气口环形阵列分层设置;多个排气管...
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