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最新专利技术
  • 一种用于电镀溶液的动态混匀装置
    一种用于电镀溶液的动态混匀装置_浙江工业职业技术学院_202511159516.5
    本发明提供一种用于电镀溶液的动态混匀装置，该用于电镀溶液的动态混匀装置，包括底座、支架、电机、皮带轮、皮带、驱动轮、玻璃管、支撑座、螺旋导向件、两个磁吸联动组件、铁磁性转座和混合液导流座。所述支架和驱动轮分别设置在底座上，所述电机设置在支架...
    2026-02-22
  • 一种电镀阳极结构
    一种电镀阳极结构_河南大丹江科技股份有限公司_202511177583.X
    本发明涉及电镀的技术领域，特别是涉及一种电镀阳极结构，其包括电镀台，所述电镀台上设置有电镀池，所述电镀池内一侧设置有阳极板，所述电镀池内在阳极板侧端设置有隔离单元，所述隔离单元包括隔离网，所述隔离网远离阳极板的一侧上下升降设置有安装杆，所述...
    2026-02-22
  • 电池片电镀系统及其控制方法
    电池片电镀系统及其控制方法_星能懋业(广东)光伏科技有限公司_202511268128.0
    本申请公开了一种电池片电镀系统及其控制方法，属于电镀技术领域。电池片电镀系统的控制方法包括：确定电池片在电池片电镀系统中的当前位置；根据当前位置，确定电池片的目标电镀参数；通过整流机基于目标电镀参数对电池片进行电镀。本申请解决了电池片在电镀...
    2026-02-22
  • 一种电镀处理设备
    一种电镀处理设备_太仓市海峰电镀有限公司_202511421720.X
    本发明涉及电镀设备技术领域，公开了一种电镀处理设备，包括配料桶和电镀池，所述电镀池的内部固定连接有隔板，所述配料桶的外部设置有混合机构、传输机构和定量组件，所述混合机构包括电机和活动杆，所述电机安装在配料桶顶部的板架上，所述电机的输出端固定...
    2026-02-22
  • 一种电镀过程智能监测及执行系统
    一种电镀过程智能监测及执行系统_山王电子(无锡)有限公司_202511438834.5
    本发明涉及电镀工序智能监测技术领域，具体涉及一种电镀过程智能监测及执行系统，它包括电镀槽；监测用传感单元，所述监测用传感单元设置于电镀槽的内部，所述监测用传感单元包括探头组、红外热成像模块、电流密度检测计、光谱分析仪，所述探头组包括PH值检...
    2026-02-22
  • 铜箔表面镀锌镍的工位协同自动化电镀装备
    铜箔表面镀锌镍的工位协同自动化电镀装备_广东嘉元科技股份有限公司_202511292244.6
    本发明涉及铜箔表面后处理技术领域，公开了铜箔表面镀锌镍的工位协同自动化电镀装备，包括：第一传送辊，设置于第一槽体的出口；第二传送辊，设置于第二槽体的入口，铜箔从第一槽体向第二槽体传输，且铜箔绕设于第一传送辊和第二传送辊的上表面；浮动辊，设置...
    2026-02-22
  • 一种抗硫化电阻生产用镀层加工设备
    一种抗硫化电阻生产用镀层加工设备_安徽省富捷电子科技有限公司_202511570083.2
    本发明公开了一种抗硫化电阻生产用镀层加工设备，涉及电阻生产技术领域，包括电镀池和移动架，移动架内设置有升降架，升降架的内壁上转动设置有电镀滚筒，电镀滚筒的上端面开设有通槽一，通槽一内可拆卸设置有封口板一，电镀滚筒的下端面开设有通槽二，电镀滚...
    2026-02-22
  • 一种方形料板垂直电镀治具
    一种方形料板垂直电镀治具_苏州钧华半导体技术有限公司_202511295505.X
    本发明提供一种方形料板垂直电镀治具，涉及一种电镀治具结构，包括治具主体、治具盖板和夹紧组件，治具主体通过围设在四周的四组夹紧组件将治具盖板压设在治具主体上，治具盖板上的导电铜片一端连接在产品上，另外一端则与治具主体上预埋的铜条相接，夹紧组件...
    2026-02-22
  • 一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装
    一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装_河北合晟元科技有限公司_202511589109.8
    本发明公开了一种对电解槽双极板无挂具痕的电镀工装，涉及电镀技术领域。本发明包括支架，所述支架的内侧设置有调节机构。本发明通过三组聚四氟乙烯滚轮将双极板固定在支架的内部，在电镀时当双极板需要转动时，通过电动伸缩杆带动连接块一和调节架进行垂直向...
    2026-02-22
  • 单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备
    单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备_星恒电源股份有限公司_202511631067.X
    本发明提供一种单晶四氧化三锰的合成方法、正极材料、电池和涉电设备，涉及锂电池技术领域。所述合成方法为对四氧化三锰原料进行固相处理，包括：在多阶段梯度升温过程中对四氧化三锰原料进行加热；及在多阶段梯度升温的不同阶段，使用惰性气氛和含氧气氛从而...
    2026-02-22
  • 一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法
    一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法_清华大学_202511163208.X
    本发明涉及新能源材料技术领域，尤其涉及一种基于焦耳热实现含Ba质子导体晶粒尺寸调控的方法。所述方法包括以下步骤：制备包含Zr源、Ce源、Y源、Yb源中的至少一种以及Ba源的混料；对所述混料进行成型处理，得到混料样块；将所述混料样块置于碳加热...
    2026-02-22
  • 基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法
    基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法_韩国科学技术院_202510730494.7
    根据本发明，可提供基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法，可调节钙钛矿单晶的厚度及大面积生长的基板集成生长装置包括：上部壳体，包括储存钙钛矿前体溶液的储存空间；下部壳体，与上部壳体的下部相结合；以及温度控制装置，配置于下部壳体的下部，...
    2026-02-22
  • 晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法
    晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法_中国科学院理化技术研究所_202511244992.7
    本申请涉及一种晶体生长设备和利用该设备制备KBBF族非线性光学晶体的方法。晶体生长设备包括加热炉、气源、真空泵、一端开口的石英管、用于密封石英管端口的密封装置和三通，所述三通的第一接口通过所述密封装置进入所述石英管，第二接口用于连接所述气源...
    2026-02-22
  • 基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用
    基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用_天津工业大学_202511244693.3
    本发明公开了一种基于定向凝固法的磁性合金制备方法、磁性合金及应用，属于磁性材料领域。其技术要点在于：S100，配料；S200，熔融多晶；S300，制备母合金棒；S400，定向凝固，将母合金棒装入到底部为尖端的石英管，所述石英管置于坩埚中，将...
    2026-02-22
  • 一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器
    一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器_临沂大学_202511249248.6
    本发明涉及流体物理学技术领域，公开了一种俯视观察式热毛细对流液桥生成器，包括支架；液桥组件，包括上液桥件和下液桥件，上液桥件和下液桥件分别安装在支架上部和下部，且上液桥件和下液桥件位于同一轴线上，外界气流从下液桥件端进入从上液桥件段流出；防...
    2026-02-22
  • 单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备
    单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备_青海高景太阳能科技有限公司_202511163249.9
    本申请提供了一种单晶炉温度的调控方法、调控装置和电子设备。方法包括：在对单晶炉中的单晶硅进行熔融处理过程中，根据第一时刻单晶炉的功率，确定单晶硅的固液比；根据固液比和预设关系，确认单晶炉的加热功率，以调节单晶硅的液相温度达到基础目标温度，并...
    2026-02-22
  • 一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法
    一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法_江苏天科合达半导体有限公司_202511244799.3
    本发明涉及碳化硅材料技术领域，尤其涉及一种生长碳化硅晶体的装置及碳化硅晶体的生长方法。所述生长碳化硅晶体的装置包括：坩埚；所述坩埚的顶部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚的底部设置有多孔材料；所述多孔材料的上表面设置有多孔石墨片；Si...
    2026-02-22
  • 一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用
    一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用_无锡松瓷机电有限公司_202511282086.6
    本申请提供了一种形核剂及其制备方法和在制备多晶硅锭中的应用，涉及多晶硅生产的技术领域，所述形核剂以质量百分比计包括以下组分：10％‑50％碳化硅、1％‑8％钽和余量的硅；所述碳化硅的粒径为150um‑550um；所述硅的粒径为1mm‑25m...
    2026-02-22
  • 铜箔、铜箔制备方法及电池
    铜箔、铜箔制备方法及电池_哲创(中山)新材料有限公司_202511315192.X
    本发明涉及一种铜箔、铜箔制备方法及电池。所述铜箔中包括孪晶，所述孪晶的体积分数为30%~60%，其中，片层厚度为5~20nm的孪晶为第一孪晶，所有所述第一孪晶的总体积占所有所述孪晶的体积占比大于40%。此比例的孪晶分布避免了单一强化方式导致...
    2026-02-22
  • 一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料
    一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料_哈尔滨工业大学_202511283782.9
    本发明公开一种基于束流中和的低温团簇辅助金刚石外延生长的方法及复合衬底材料，属于半导体基体材料制备领域；采用基底预处理、活化修饰、纳米织构化、界面过渡层构筑、束流中和，把高能量的离子中和或者去除，在基底GaN上，于低温<500°C下，实现高...
    2026-02-22
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