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最新专利技术
  • 一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法
    一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法_郑州合晶硅材料有限公司_202511238476.3
    本申请公开了一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法，包括以下步骤：S1.首先向高速旋转的硅片的正面和背面中心依次喷射臭氧水、酸性清洗液和水；S2.然后向高速旋转的硅片的边缘依次喷射所述臭氧水、所述酸性清洗液和所述水；S3.再向高速旋转的硅片的正...
    2026-01-30
  • 一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器
    一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器_上海新昇半导体科技有限公司_202511242697.8
    本申请提供一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器，衬底应用于CMOS图像传感器，制造方法包括：提供本体衬底，本体衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中本体衬底中含有金属杂质；在第一表面沉积形成第一多晶硅层，在第二表面沉积形成第二多晶硅层，...
    2026-01-30
  • 易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件
    易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511623658.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种易于剥离的金属堆叠膜层结构、制备方法及半导体器件。所述易于剥离的金属堆叠膜层结构包括沿预设方向依次堆叠形成的金属层、中间层和掩膜层；所述中间层的材质为聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸；对所述金...
    2026-01-30
  • 碳化硅表面处理方法
    碳化硅表面处理方法_湖南德智新材料股份有限公司_202511190063.2
    本申请提供了一种碳化硅表面处理方法，包括：对碳化硅衬底进行表面活化；利用气溶胶对表面活化后的碳化硅衬底进行刻蚀处理；对刻蚀处理后的碳化硅衬底进行等离子体处理；对等离子体处理后的碳化硅衬底进行表面钝化。本申请进行表面处理后的碳化硅衬底的表面损...
    2026-01-30
  • 基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备
    基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备_西南交通大学_202511219349.9
    本发明涉及一种基于原子氧束诱导表面氧化的半导体材料加工方法及加工系统、设备，属于超精密制造技术领域，加工方法包括以下步骤：获取原子氧束；将所述原子氧束辐照于半导体材料表面，在所述半导体材料表面形成氧化层；去除所述氧化层。本发明针对难加工半导...
    2026-01-30
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708172.8
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，将需要在含硅半导体层上形成的要求厚度的金属硅化物分摊到至少两轮金属硅化处理来形成，有利于降低总的退火热预算，节约成本。而且可以通过控制每轮金属硅化处理形成的金属硅化物的厚度和均匀性，同时利用前面轮次形成的...
    2026-01-30
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708738.7
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，先通过多轮钴硅化处理在需要在含硅半导体层上形成要求厚度的钴硅化物，再在钴硅化物上沉积硅盖帽层和镍金属层，进而在钴硅化物上形成镍硅化物，由此可以利用钴硅化物作为扩散阻挡层，一方面在通过退火形成镍硅化物的过程...
    2026-01-30
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708205.9
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，先通过第一金属硅化工艺形成第一金属硅化物，再对第一金属硅化物的顶面进行表面改性处理，将部分厚度的第一金属硅化物转化为依次层叠的富硅层和金属层，进而在去除所述金属层后，通过第二金属硅化工艺使至少部分富硅层转...
    2026-01-30
  • 金属硅化物的制造方法
    金属硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708778.1
    本发明提供一种金属硅化物的制造方法，在执行第一退火工艺形成高阻相的金属硅化物且将未反应的金属去除之后，且在执行第二退火工艺之前，先在高阻相的金属硅化物表面上形成介质缓冲层，由此在执行第二退火工艺时，能够利用介质缓冲层改变热量分布，使得金属硅...
    2026-01-30
  • 半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆
    半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511224125.7
    本申请公开了一种半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆。该制造方法包括：提供半导体本体；在第一表面形成第一膜层、第二膜层和第三膜层；在第三膜层形成第一刻蚀窗口；以第三膜层作为掩膜，在第二膜层上形成第二刻蚀窗口；第三膜层与第二膜层之间...
    2026-01-30
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708220.3
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第一退火工艺形成高阻相的钴硅化物且将未反应的钴去除之后，将第二退火工艺拆分呈若干次不同温度下的毫秒量级以下的退火处理(即多个高温且短时间的退火处理)，且退火温度越高的退火处理的退火时间越短，由此既能...
    2026-01-30
  • 多组件电注入方法及光伏组件制备方法
    多组件电注入方法及光伏组件制备方法_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410656389.9
    本发明实施例公开了一种多组件电注入方法，所述多组件电注入方法应用在多组件电注入装置中，所述多组件电注入装置包括：承载台，配置为接收经层压工艺处理后的光伏组件，且具有至少两个光伏组件放置位置，承载台接收到的光伏组件的温度为80℃‑160℃；至...
    2026-01-30
  • 一种新型封装基板及其制作方法
    一种新型封装基板及其制作方法_江西晶弘新材料科技有限责任公司_202511222662.8
    本发明公开一种新型封装基板及其制作方法，包括以下步骤：(1)将绝缘基层打孔后进行磁控溅射金属化，以在绝缘基层上形成导通孔，该导通孔贯穿绝缘基层的上下表面；(2)对上述金属化后的绝缘基层进行电镀金属铜，以在绝缘基层的上下表面均形成线路层，同时...
    2026-01-30
  • 一种玻璃基顶层芯板及其制备方法
    一种玻璃基顶层芯板及其制备方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511270621.6
    本发明提供的玻璃基顶层芯板的制备方法，包括：提供玻璃基板，采用镭射钻孔在玻璃基板中形成初始通孔；在玻璃基板表面和通孔中压合第一介电材料层；对初始通孔进行二次镭射钻孔或机械钻孔形成目标通孔；对目标通孔进行电镀并形成线路；将两片上述玻璃基板以介...
    2026-01-30
  • 一种石英晶体引脚整形机
    一种石英晶体引脚整形机_米图(广东)科技有限公司_202511551560.0
    本发明公开了一种石英晶体引脚整形机，包括机架以及设置在机架上的转盘、驱动装置、上料装置、开脚装置、剪脚装置和折脚装置；驱动装置的输出端与转盘连接；开脚装置对接于上料装置的后端且其上设置有开脚槽位；剪脚装置对接于开脚装置的后端且其上设置有剪脚...
    2026-01-30
  • 高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用
    高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用_苏州博志金钻科技有限责任公司_202511577694.X
    本发明公开了一种高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用，其中，制备工艺，包括：步骤S100、于基材第一侧进行微弧氧化处理以形成第一绝缘层；步骤S200、将基材浸渍于封孔液中，进行低温封孔处理形成致密封孔层；步骤S300、采用磁控溅射方法和/...
    2026-01-30
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202510738072.4
    在本公开中，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，能够抑制在控制器芯片周围产生空隙。半导体装置的制造方法具有：准备层叠体的工序，所述层叠体中，跨及粘合膜与绝缘粘合膜双方而埋入有控制器芯片；以及使所述层叠体中的所述绝缘粘合膜侧与基板相向，...
    2026-01-30
  • 一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法
    一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511186211.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法，包括如下步骤：S1：进行第一层的金属布线，在玻璃基板上通过溅射或蒸发沉积金属层，采用光刻和刻蚀工艺形成互连线路，得到RDL1；S2：铺设PI层和PVDF层；S...
    2026-01-30
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410708044.3
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括氮化物薄膜；进行化学预处理以形成隔离阻挡层于氮化物薄膜上方；形成光刻胶层于隔离阻挡层上方并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层对氮化物薄膜进行刻蚀以...
    2026-01-30
  • 芯片封装方法和电路板
    芯片封装方法和电路板_天芯互联科技有限公司_202510973747.3
    本申请提供了一种芯片封装方法和电路板，其中，芯片封装方法包括：获取带有承载层的第一线路层，并将第一芯片嵌设于所述第一线路层内；从所述承载层靠近所述第一芯片一侧进行塑封，形成第一封装层，并去除所述承载层，以暴露所述第一芯片的一侧端面；将第二芯...
    2026-01-30
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