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最新专利技术
  • 一种便于拆装磁轭的平行透镜磁铁及包含其的离子注入机
    一种便于拆装磁轭的平行透镜磁铁及包含其的离子注入机_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511004229.7
    本发明公开了一种便于拆装磁轭的平行透镜磁铁及包含其的离子注入机，平行透镜磁铁包括：上磁轭、下磁轭、上磁极、下磁极、腔体、第一侧磁轭、第二侧磁轭和线圈模块，腔体上下两侧对称设有上磁极和下磁极，线圈模块包围在上磁极和下磁极外侧，上磁极上侧设有上...
    2026-01-30
  • 电子显微镜系统中的透镜配置
    电子显微镜系统中的透镜配置_FEI公司_202510717111.2
    一种带电粒子束系统包括带电粒子源和带电粒子束柱，以将带电粒子聚焦成具有着陆能量的带电粒子束。磁透镜在带电粒子束柱中沿轴基于线圈中的磁透镜激励形成。该磁透镜将带电粒子束聚焦在轴上第一交叉点处。静电透镜在带电粒子束中沿轴基于施加至增强管的电压形...
    2026-01-30
  • 载物台附件及FIB-SEM双束电镜
    载物台附件及FIB-SEM双束电镜_杭州研趣信息技术有限公司_202511177042.7
    本发明涉及电镜设备技术领域，公开了一种载物台附件及FIB‑SEM双束电镜。载物台附件，用于安装在FIB‑SEM双束电镜的载物台上，所述载物台附件由导电材料制成，且包括：安装组件，用于安装在所述载物台的上表面；延伸组件，所述延伸组件的第一端与...
    2026-01-30
  • 一种离子泵电源电路
    一种离子泵电源电路_苏州博众仪器科技有限公司_202511588595.1
    本发明公开一种离子泵电源电路。该电路包括：电池组、电压调整模块、束流检测模块、切换控制模块及电池模式切换模块；电池组的输出端与电压调整模块的输入端电连接；电压调整模块的高压输出端与离子泵的阴极连接；电压调整模块的输出返回端与束流检测模块的第...
    2026-01-30
  • 一种栅网清洗系统及离子源刻蚀设备
    一种栅网清洗系统及离子源刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410722167.2
    本发明提供了一种栅网清洗系统及离子源刻蚀设备，涉及半导体技术领域。在对第一栅网和第二栅网进行清洗时，通过等离子体生成装置为真空腔提供等离子体，并且通过电源装置为第一栅网和第二栅网分别施加相反的正电压和负电压，且施加在栅网上的电压按照第一设定...
    2026-01-30
  • 一种基于CF3 CH2 OCF3的气体组合物及其使用方法
    一种基于CF3 CH2 OCF3的气体组合物及其使用方法_金民宰_202511204360.8
    本发明公开了一种基于CF3CH2OCF3的气体组合物及其使用方法。本发明中，在环境友好性方面，其全球变暖潜能值显著降低，能够大幅减轻半导体制造过程中的温室气体排放压力。作为传统高GWP气体的替代方案，其应用有助于企业满足日益严格的环保法规要...
    2026-01-30
  • 离子注入设备和离子注入方法
    离子注入设备和离子注入方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511607643.7
    本申请实施例提供了一种离子注入设备和离子注入方法，该设备包括：用于承载半导体结构的承载台；用于产生离子束并驱动离子束向半导体结构运动的离子束产生系统；位于离子束产生系统和承载台之间的离子束阻挡系统，其包括具有弧形边缘的离子束通道；离子束经离...
    2026-01-30
  • 一种双层外壳结构射频自中和等离子体源
    一种双层外壳结构射频自中和等离子体源_西安交通大学_202511621016.9
    本发明属于等离子体领域，公开了一种双层外壳结构射频自中和等离子体源，包括接地外壳、射频外壳、放电室、射频线圈和栅极系统；射频线圈绕于放电室外部；放电室上游设置有进气口，下游设置有出口，出口连接有栅极系统，射频外壳包覆于放电室和射频线圈之外，...
    2026-01-30
  • 用于惰性气体分离的双极低温冷阱
    用于惰性气体分离的双极低温冷阱_西北核技术研究所_202511228408.9
    本发明公开了用于惰性气体分离的双极低温冷阱，解决现有技术在惰性气体分离过程中因制冷温度范围不够导致应用受限的技术问题。本发明包括制冷机、样品座、热锚、两个样品管、防辐射屏、真空罩、真空泵及温度控制器；制冷机包括制冷机本体、一级冷头及二级冷头...
    2026-01-30
  • 离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统
    离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统_费勉仪器科技(上海)有限公司_202511192726.4
    本公开涉及真空设备技术领域，公开了一种离子透镜组件、离子源、质谱仪以及质谱系统。离子透镜组件包括偏转透镜组件和回轴透镜组件。偏转透镜组件用于聚焦入射粒子束中的离子束，并使离子束向第一方向偏转。回轴透镜组件用于接收来自偏转透镜组件的离子束，回...
    2026-01-30
  • 一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源
    一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源_原位麦斯仪器(江苏)有限公司_202511226495.4
    本发明涉及离子源技术领域，公开了一种加热型同步解吸附和电离的一体化等离子体离子源，包括陶瓷主体，所述陶瓷主体固定连接在安装筒的内侧，所述安装筒的内部左侧设置有阴极，所述陶瓷主体的内侧中部设置有加热模块，所述安装筒的内壁设置有等离子体，所述加...
    2026-01-30
  • 基于质谱离子源的芳香酯类化合物检测装置及应用
    基于质谱离子源的芳香酯类化合物检测装置及应用_中国烟草总公司郑州烟草研究院_202511260216.6
    本发明公开了一种基于质谱离子源芳香酯类化合物检测装置和应用。所述检测装置包括电喷雾组件和低温等离子体束组件，电喷雾组件中的金属毛细管的前端从绝缘介质管主管延伸出4‑12 cm，所述低温等离子体束组件中的外电极距离其绝缘介质管主管的出口5‑1...
    2026-01-30
  • 电喷雾束流极紫外光源
    电喷雾束流极紫外光源_深圳技术大学_202511126772.4
    本申请实施例公开了一种电喷雾束流极紫外光源，包括，电喷雾带电粒子源，用于产生包含离子和带电液滴的束流；电磁聚焦透镜组，沿束流的传输路径设置在电喷雾带电粒子源下游，用于聚焦束流以形成束腰，并在束腰处形成高原子数密度区域；驱动激光源，用于提供高...
    2026-01-30
  • 质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法
    质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法_合肥引力波智谱科技有限公司_202511608222.6
    本发明公开了一种质谱纳升离子源和质谱纳升离子源的调节方法，涉及质谱技术领域，所述质谱纳升离子源包括：离子源外罩，所述离子源外罩内设有真空接口腔，所述真空接口腔的端部形成锥形罩，所述真空接口腔内设有四极杆和真空泵接口，所述锥形罩上设有进样孔；...
    2026-01-30
  • 一种用于光离子化检测器中的紫外灯
    一种用于光离子化检测器中的紫外灯_上海亘快科技有限公司_202410716860.9
    本发明提供一种用于光离子化检测器中的紫外灯，所述紫外灯包括灯管、金属片、封接层及紫外光窗口片，其中，所述灯管内部填充有惰性工作气体，所述金属片设置于所述灯管内壁上，所述封接层连接于所述灯管与所述紫外光窗口片之间以保持所述灯管内部的气密性，所...
    2026-01-30
  • 一种等离子体增强湿法清洗方法和硅片的清洗方法
    一种等离子体增强湿法清洗方法和硅片的清洗方法_上海至纯洁净系统科技股份有限公司_202510985899.5
    本发明提供了一种等离子体增强湿法清洗方法，包括以下步骤：S1)将反应气体在等离子体生成装置中进行电离，得到等离子体；S2)将所述等离子体输送至清洗槽中与清洗液反应，对半导体器件和/或光伏器件进行清洗。本申请还提供了具体的硅片的清洗方法，其在...
    2026-01-30
  • 半导体衬底的清洗方法及装置
    半导体衬底的清洗方法及装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511048412.7
    本发明提供一种半导体衬底的清洗方法及装置，能够提高衬底的清洗洁净度。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底清洗装置，包括：容器，用于容纳清洗衬底用的去离子水；臭氧发生器，用于向去离子水中通入臭氧；光源，朝向被清洗的衬底，用于对所述衬底的表面...
    2026-01-30
  • 一种修复晶片翘曲度的方法及其装置
    一种修复晶片翘曲度的方法及其装置_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511188479.0
    本发明属于半导体技术领域，具体而言，涉及一种修复晶片翘曲度的方法及其装置。为解决现有晶片翘曲修复中成本高、工艺复杂、普适性及安全性不足，且难修复复杂不规则形貌等问题，本申请公开了一种名为“一种修复晶片翘曲度的方法及其装置”的修复方案。该方案...
    2026-01-30
  • 一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法
    一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511191425.X
    本发明提供一种晶圆大厚度热氧层及其制备方法，属于半导体器件的部件制备技术领域。本发明中通过在两片晶圆上分别制备出一定厚度的热氧层，将两个热氧层键合到一起，去掉其中一个晶圆，得到具有叠加厚度的热氧层的晶圆；再将已预先制备有热氧层的另一个晶圆，...
    2026-01-30
  • 一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法
    一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法_郑州合晶硅材料有限公司_202511238476.3
    本申请公开了一种改善硅片边缘金属污染的清洗方法，包括以下步骤：S1.首先向高速旋转的硅片的正面和背面中心依次喷射臭氧水、酸性清洗液和水；S2.然后向高速旋转的硅片的边缘依次喷射所述臭氧水、所述酸性清洗液和所述水；S3.再向高速旋转的硅片的正...
    2026-01-30
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