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最新专利技术
  • 具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件
    具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件_合肥睿科微电子有限公司_202511166038.0
    本发明公开了一种具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件，该存储器件包括：存储器单元，所述存储器单元包括底电极，顶电极以及设置于所述底电极和所述顶电极之间的介电层，覆盖所述存储器单元的侧面的绝缘层；以及经所述绝缘层内的开孔...
    2025-11-30
  • 封装结构及其制作方法、电子设备
    封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202410651328.3
    本申请提供了一种封装结构及其制作方法、电子设备。其中，封装结构包括：芯片结构，芯片结构包括衬底以及设于衬底上的芯片功能层，衬底为连贯且完整的衬底，芯片结构具有相对的第一表面和第二表面；第一键合结构，第一键合结构设于第一表面；第一芯粒，第一芯...
    2025-11-30
  • 包含接地环的隔离变压器
    包含接地环的隔离变压器_德州仪器公司_202510562094.X
    一种隔离变压器(400)，包含具有一或多个间隙(412‑1，412‑2)的接地环(410)。所述隔离变压器(400)包括第一线圈(404)、第二线圈(406)、在所述第一线圈(404)和所述第二线圈(406)之间的介电层，及围绕所述第一线圈...
    2025-11-30
  • 金属电容器件的形成方法
    金属电容器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511158250.2
    本发明提供了一种金属电容器件的形成方法，包括：在衬底表面形成底层金属层，底层金属层至少包括铝金属膜层，铝金属膜层掺杂有铜材料；在底层金属层的表面依次形成介电层、顶层金属层和图案化的第一光刻胶层；以图案化的第一光刻胶层刻蚀去处露出的部分顶层金...
    2025-11-30
  • 一种硅电容器及其制备方法
    一种硅电容器及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511544460.5
    本发明涉及硅电容技术领域，具体涉及一种硅电容器及其制备方法，包括：衬底、沟槽区和多个分立的绝缘浮岛；所述绝缘浮岛由绝缘材料制成；所述沟槽区中的每个导电沟槽的底部与所述绝缘浮岛接触，以消除所述导电沟槽的底部角隅处发生的电场聚集效应。针对现有技...
    2025-11-30
  • 快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备
    快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备_吉林华微电子股份有限公司_202511092027.2
    本申请提供一种快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备，涉及半导体技术领域。快恢复二极管的制作方法包括：提供一器件结构，器件结构包括衬底、氧化层、多晶硅层及第一金属层；在第一金属层远离衬底的一侧形成第一钝化层，并在第一钝化层远离衬底的...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510658786.4
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。为了提供一种能够防止接触势垒金属膜从沟槽栅极引出电极剥离的半导体器件。在半导体衬底上限定的栅极布线引出区域MGR中，凸部被形成在沟槽栅极引出电极TGI上，朝向栅极引出接触构件延伸。凸部通过自然氧化膜和多晶硅...
    2025-11-30
  • 一种集成电压传感器的功率半导体器件
    一种集成电压传感器的功率半导体器件_珠海格力电器股份有限公司_202511031862.5
    本发明实施例提供了一种集成电压传感器的功率半导体器件，电压传感器包括：集电极金属、集电极P+区、缓冲区、漂移区、第一存储层、第一P型阱区、第一介质层、电子势垒区、有源区、控制电极、控制电极金属和采样电极金属，在功率半导体器件上集成了电压传感...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410629220.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部，所述鳍部包括牺牲层以及位于所述牺牲层表面的沟道层；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的多个分立的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，相...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置
    一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410650519.8
    本申请涉及一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置，形成方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括衬底层、位于衬底层上的牺牲单元和第一底部隔离层、位于牺牲单元和第一底部隔离层上的在水平方向间隔排列的多个第一结构和多个沟槽；每个第一结构包...
    2025-11-30
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510594521.2
    提供了半导体器件结构及其形成方法。方法包括在衬底上方形成多个半导体纳米结构和多个介电纳米结构。半导体纳米结构和介电纳米结构以交替方式布置。方法也包括：在介电纳米结构的边缘上方形成内部间隔件；以及沿半导体纳米结构和内部间隔件的边缘形成连续半导...
    2025-11-30
  • 一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用
    一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用_华南理工大学_202510993702.2
    本发明公开了一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用。本发明通过设计具有高介电常数、低漏电流、优异电荷存储能力和耐弯折性能的复合栅介质层制备出一种具有大迟滞窗口的柔性突触晶体管。本发明所制备的器件在弯折后均保持大的电...
    2025-11-30
  • 一种提升p型trench MOSFET可靠性品质的制造方法
    一种提升p型trench MOSFET可靠性品质的制造方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511162059.5
    本发明公开一种提升p型trenchMOSFET可靠性品质的制造方法，属于半导体功率器件领域。在p型trench型MOSFET工艺基础上，通过推结热过程前置保证器件抗总剂量特性，通过trench沟槽底部热氧化加厚提升器件抗单粒子烧毁能力。与此...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511517418.4
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法包括：提供包括有源区以及隔离结构的半导体基底；对半导体基底进行阱区注入，在有源区中形成阱区；在半导体基底上生成栅极材料层；在栅极材料层上生成图形化的第二掩膜层；对图形化的第二掩膜层...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511535823.9
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括：衬底，衬底内形成有有源区与隔离结构；位于有源区上的栅极与阻挡层，沿第二方向延伸至隔离结构上，阻挡层覆盖栅极的一侧侧壁并延伸覆盖栅极的部分顶部；场板，位于阻挡层上；虚拟栅极，位于场板两端的隔...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511537378.X
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中，位于在基底中的隔离结构包括第一隔离结构以及与第一隔离结构连接的多个第二隔离结构，多个第二隔离结构位于第一隔离结构的同一侧且在第一方向上延伸到基底中；栅极结构位于第二隔离结构远离所述第一隔...
    2025-11-30
  • 具有改善的动态性能的常关型HEMT器件及其制造方法
    具有改善的动态性能的常关型HEMT器件及其制造方法_意法半导体国际公司_202510645542.2
    本公开涉及具有改善的动态性能的常关型HEMT器件及其制造方法。HEMT器件包括沟槽源极触点，所述沟槽源极触点包括第一导电部分和叠加在所述第一导电部分上的第二导电部分。所述第一导电部分由金属材料制成，所述金属材料的功函数值低于所述第二导电部分...
    2025-11-30
  • 一种GaN HEMT器件、制造方法和芯片
    一种GaN HEMT器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511035912.7
    本发明实施例提供了一种GaN HEMT器件、制造方法和芯片，该GaN HEMT器件包括：依次连接的衬底、成核层、外延层和势垒层；掺杂层，设置于势垒层的上表面；漏极，设置于势垒层的上表面；源极，设置于势垒层的上表面；栅极，设置于掺杂层的上表面...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410645480.0
    本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，所述半导体结构包括基底、位于所述基底上的纳米片结构，所述纳米片结构包括纳米片以及位于所述纳米片上面的层堆叠件；所述层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；位于所述层堆叠件的外表面...
    2025-11-30
  • 一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片
    一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511035911.2
    本发明实施例提供了一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括N‑外延层，设于N+衬底的一侧；电流扩展层；P型基区，设于电流扩展层内；N+区，设于P型基区内；第一沟槽，设于电流扩展层的两侧侧壁；第二沟槽，设于电流扩展层内；第二沟槽...
    2025-11-30
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