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  • 本发明公开了一种基于人工智能的消化道恶性肿瘤转移风险评估方法及系统,涉及消化道恶性肿瘤转移风险评估领域;先获取结直肠癌患者的PET‑CT三维影像数据,根据PET‑CT三维影像数据构建并提取肝脏区域的三维体素矩阵;将肝脏区域的体素矩阵输入预训...
  • 本发明涉及医疗信息学技术领域,具体涉及一种骨质疏松性骨折风险预测模型的构建方法。方法包括:获取目标人员监测过程中脚与地面之间的夹角、步速及CT影像;将CT影像中像素点划分为多个骨骼组织区域;根据骨骼组织区域内边缘线的形状分布特征,得到骨骼结...
  • 本发明公开了一种用于改善聚变等离子体离子回旋加热效率的方法,属于磁约束聚变技术领域。所述方法包括离子回旋天线和螺旋波天线的耦合使用,其中,所述离子回旋天线安装在托卡马克真空室内,通过同轴线与外部射频电源连接,用于激发离子回旋频段电磁波以加热...
  • 本申请公开一种能动与非能动相结合的反应堆安全系统及其控制方法,反应堆安全系统包括能动与非能动相结合的安注子系统、安全壳能量管理子系统、二次侧排热子系统、堆腔注水子系统;其中,安注子系统包括两路DVI安注管线和两列独立布置的安全注入子列,每路...
  • 本发明公开了一种新能源汽车用高压铝排及其制备方法,其中高压铝排包括内到外设置的铝合金导体、氧化层及屏蔽层,所述氧化层为微弧氧化层,所述屏蔽层为含有Ni金属的PA12复合材料;氧化层与屏蔽层之间设置有硅烷偶联剂。本发明的一种新能源汽车用高压铝...
  • 本发明公开了一种低占用空间的输入线圈和金属探测器,该低占用空间的输入线圈包括至少两组线圈组,所述至少两组线圈组中任一线圈组包括第一接收线圈、第二接收线圈和发射线圈,所述任一线圈组的所述第一接收线圈、所述第二接收线圈和所述发射线圈均位于同一层...
  • 本发明公开了一种终端箱,属于聚变超导线圈技术领域,包括:第一支撑机构;第一支撑机构的一侧设置有第二支撑机构,第一支撑机构设置有用于安装超导体的第一安装组件,第二支撑机构设置有用于安装连接端子的第二安装组件,通过第一安装组件与第二安装组件形成...
  • 本发明涉及变压器技术领域,具体涉及一种新能源变压器的散热系统,包括变压器,变压器包括外壳以及多个铁芯绕组,各铁芯绕组均沿上下方向延伸,各个铁芯绕组的外围分别螺旋缠绕有换热管,换热管的上端为用于供外壳内的液压油进入换热管的进油端,外壳的底部设...
  • 本发明公开了一种贴片式电子元件绕线机及绕线方法,包括机台以及均设于机台上的上料装置、放线装置、剪线装置、第一旋转驱动机构、焊接装置和下料装置,机台上设有能够转动的转盘,转盘的外缘均匀分布有多个用于夹持磁芯的夹具;上料装置、第一旋转驱动机构、...
  • 本发明公开了一种绕线模组,包括连接架、顶块、托板、第一弹性件以及可开合的第一夹持臂和第二夹持臂,连接架上设有第一绕线轴,第一绕线轴上设有第一转接板,第一绕线轴的轴向与第一转接板相互平行;托板、第一夹持臂和第二夹持臂均设于第一转接板上,托板与...
  • 本发明涉及一种针插式起动热保护器及其PTC芯片组件装配设备与方法,属于起动热保护器领域。本发明包括热保护器、盖板、第一插针、连接插片、双联插片、第二插脚、双向可控硅、第三簧片、第二热敏电阻器、第四簧片、底座和PTC芯片组件,所述PTC芯片组...
  • 本发明公开了用于耦合大气压接口轨道阱质谱的复合离子源装置,属于质谱检测领域,包括光电离/光诱导缔合电离离子化及离子传输机构、气体进样机构、高通量射频真空紫外光源机构和离子源与质谱接口机构。本发明采用上述的用于耦合大气压接口轨道阱质谱的复合离...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,公开了一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片,其中,所述方法包括:在衬底上形成氧化钨薄膜;在氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层;采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备掩膜层的氧化钨薄膜进行刻蚀;在ICP刻蚀设备中...
  • 一种工艺过程中自动调节PID参数的方法和系统,属于半导体加工技术领域,该方法和系统通过在一定的PID参数下循环模拟晶圆传送及工艺流程,获取在流程中调试用晶圆的温度波动情况、工艺过程中温度平均值、功率波动、及功率输出情况等工艺指标,根据工艺指...
  • 本申请涉及一种半导体温控模块TVOC减排系统及方法,其中半导体温控模块TVOC减排系统用于温控模块的TVOC减排,所述温控模块连接有抽排管道,所述抽排管道连接有抽排风机,所述抽排风机通过排废管道与废气处理模块连接,用于将温控模块的TVOC引...
  • 本发明涉及一种复合晶圆及其集成方法和应用,所述集成方法包括以下步骤:在表面粗糙度≤0.5nm、翘曲度≤3μm的异质衬底上外延生长金刚石晶圆;采用粘结剂在金刚石晶圆的生长面上粘合临时载片,然后去除异质衬底,暴露出金刚石晶圆的形核面,其中,临时...
  • 本发明涉及通讯变频器件技术领域,主要涉及适于射频微波通讯的高气密性SIP变频器件,包括处理器本体,所述处理器本体的两侧设置有引脚,还包括防护框,所述处理器本体摆放于防护框内,且所述防护框的两侧设置有相抵部,通过相抵部实现对引脚的相抵限位,以...
  • 本申请提供的一种芯片封装结构和芯片封装方法,涉及半导体封装技术领域。该芯片封装结构包括芯片、基板和粘接胶层,芯片底部设有台阶部;基板开设有第一凹槽。芯片安装于第一凹槽,其中,台阶部抵接在基板上,芯片底部和第一凹槽的槽底之间有间隙;芯片和基板...
  • 一种激光熔丝结构及其制造方法,该方法包括:提供衬底;在衬底上形成熔丝金属层,熔丝金属层包括引线部和熔断部;形成覆盖熔丝金属层的第一介电层;在第一介电层上形成刻蚀停止层,刻蚀停止层位于熔断部上方;在第一介电层和刻蚀停止层上形成第二介电层;形成...
  • 本申请公开了电池单体、电池装置及用电装置。电池单体包括正极极片,正极极片包括正极集流体和位于正极集流体至少一侧的正极膜层,正极膜层包括正极活性材料和导电剂,部分导电剂位于正极活性材料的表面;正极活性材料包括核体和包覆于核体至少部分表面的包覆...
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