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最新专利技术
  • 用于抑制诱导细胞死亡的DFFA样效应子B(CIDEB)表达的组合物和方法
    用于抑制诱导细胞死亡的DFFA样效应子B(CIDEB)表达的组合物和方法_上海舶望制药有限公司_202480010907.8
    提供了可用于减少诱导细胞死亡的dffa样效应子b(CIDEB)基因的表达以及用于治疗CIDEB相关疾病和病症的组合物和方法。提供了可用于降低细胞和受试者中CIDEB表达的CIDEB dsRNA剂、CIDEB反义多核苷酸剂、包含CIDEB d...
    2025-10-03
  • 巨量转移方法及微显示装置
    巨量转移方法及微显示装置_重庆康佳光电科技有限公司_202410270803.2
    本发明涉及一种巨量转移方法及微显示装置。在巨量转移方法中，对目标晶圆进行选择性剥离，在承接板上形成具有交集区的多个拼接区块，且后续拼接相邻的多个拼接区块对应的交集区内的多个微发光芯片呈随机且互补分布状态，在后续拼接时，相邻的多个拼接区块的交...
    2025-10-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410269372.8
    本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，在其表面至少形成第一有源区和第二有源区，第一和第二有源区分别具有源极区域、漏极区域和它们之间的沟道，第一和第二有源区之间设置有隔离区域；绝缘层，包括分别设置于第一和第二有源区上的第一和第二绝...
    2025-10-03
  • 巨量转移装置及其巨量转移方法
    巨量转移装置及其巨量转移方法_深超光电(深圳)有限公司_202410271471.X
    本发明涉及一种巨量转移装置及其巨量转移方法。巨量转移装置包含取放部以及粘性基板。取放部用于取放多个目标物。粘性基板设置在取放部中。粘性基板包含基板本体以及多个取放结构。取放结构设置在基板本体上。每一个取放结构包含一或多个第一凸起结构，用于与...
    2025-10-03
  • LED芯片的电性检测方法
    LED芯片的电性检测方法_深超光电(深圳)有限公司_202410276425.9
    本申请涉及一种电性检测装置及电性检测方法。电性检测装置包含基板以及治具部。基板用于承载巨量转移后的多个目标物。电性检测装置用于对目标物进行电性检测。治具部相对基板设置。治具部包含可透光的上电极治具。在电性检测期间，上电极治具与多个目标物连接...
    2025-10-03
  • 样本构造方法、装置、电子设备、存储介质和程序产品
    样本构造方法、装置、电子设备、存储介质和程序产品_腾讯科技(深圳)有限公司_202410264735.9
    本申请公开了一种样本构造方法、装置、电子设备、存储介质和程序产品；本申请实施例可以应用于车载场景的文本处理模型，对文本内容进行切分处理，得到文本内容中各文本片段对应的文本子内容；针对每个文本片段，按照文本片段中各个文本子内容的内容顺序，从各...
    2025-10-03
  • 基于ROF技术的光纤分散式无线信号覆盖系统
    基于ROF技术的光纤分散式无线信号覆盖系统_珠海思开达技术有限公司_202410268404.2
    本发明公开一种基于ROF技术的光纤分散式无线信号覆盖系统，属于光载射频ROF和无线信号覆盖系统技术领域，包括信号接入智能单元，其用于将从射频接口接收到的第一无线信号进行射频信号大小调节后再进行射频放大得到第一下行电信号，将第一下行电信号、O...
    2025-10-03
  • 模组连接器以及连接器组件
    模组连接器以及连接器组件_东莞立讯技术有限公司_202410269111.6
    一种模组连接器包括第一壳体、第一端子模组、第二端子模组以及接地连接片。所述第一端子模组包括若干第一导电端子以及第一金属屏蔽片。所述若干第一导电端子至少包括第一接地端子、第一信号端子、第二信号端子以及第二接地端子。所述第二端子模组包括若干第二...
    2025-10-03
  • 一种锂离子电池极化抗能模型与安全状态判定方法
    一种锂离子电池极化抗能模型与安全状态判定方法_合肥工业大学_202410268418.4
    一种锂离子电池极化抗能模型与安全状态判定方法，包括：通过等效电路建模得到与所测得的电化学阻抗谱相对应的等效电路模型，并将该等效电路模嵌入到车载电池管理系统当中，进行电池模型参数辨识，以实时获取模型参数值，同时利用这些参数值计算出电池在实际使...
    2025-10-03
  • 一种维生素B1测定电极的制备及其应用
    一种维生素B1测定电极的制备及其应用_大连理工大学城市学院_202410268399.5
    本发明涉及电化学分析检测技术领域，具体涉及测定维生素B1电极的制备及应用方法。该发明的目的在于利用电化学沉积方法制备纳米银/多壁碳纳米管修饰电极，并应用该电极测定维生素B1的含量。本发明技术方案为：利用电化学方法在基体电极表面沉积出纳米银颗...
    2025-10-03
  • 循环流化床锅炉九宫格结构复式防磨装置
    循环流化床锅炉九宫格结构复式防磨装置_刘欣_202410317761.3
    本发明循环流化床锅炉九宫格结构复式防磨装置，属于循环流化床锅炉受热面防磨技术领域；所要解决的技术问题为循环流化床锅炉受热面磨损及受热面不足所引发的问题；解决技术问题所采用的技术方案为：循环流化床锅炉九宫格结构复式防磨装置，包括九个宫格结构及...
    2025-10-03
  • 利用动力机构、配重和杠杆实现能量转换的方法及装置
    利用动力机构、配重和杠杆实现能量转换的方法及装置_周雪春_202410268335.5
    本发明提出的利用动力机构、配重和杠杆实现能量转换的方法及装置，动力机构旋转运动，带动配重杠杆的一端运动，配重结构包括配重杠杆和配重体，配重结构与输出杠杆的一端软连接，输出杠杆的另一端带动输出轴转动。动力机构与配重杠杆的连接方式为软连接。本发...
    2025-10-03
  • NR2F2拮抗剂及其医药用途
    NR2F2拮抗剂及其医药用途_中国药科大学_202410268329.X
    本发明公开了NR2F2拮抗剂及其医药用途，本发明提供的式(I)化合物对NR2F2具有强效的拮抗作用，因此该类化合物或其药学上可接受的盐、互变异构体、内消旋体、外消旋体、立体异构体、代谢产物、代谢前体、前药或溶剂化物可应用于制备NR2F2拮抗...
    2025-10-03
  • 气体扩散电极基材和燃料电池
    气体扩散电极基材和燃料电池_东丽株式会社_202480013061.3
    提供一种在燃料电池中保湿性和排水性优异、并且具有低电流密度和高电流密度下良好的发电性能的气体扩散电极基材。一种气体扩散电极基材，其是在导电性多孔质基材的至少一面具有微多孔层的气体扩散电极基材，在所述微多孔层中具有含有有机高分子的填料，所述填...
    2025-10-03
  • 碳纤维片、燃料电池用气体扩散层及膜电极复合体
    碳纤维片、燃料电池用气体扩散层及膜电极复合体_巴川集团股份有限公司_202480011870.0
    提供一种适合作为燃料电池中的气体扩散层的构成构件的具有优异性能的碳纤维片。本公开的一方式是一种碳纤维片，其特征在于，含有碳纤维、导电性粒子、有机纤维及粘合剂树脂，所述粘合剂树脂含有烯烃系树脂，在由所述碳纤维形成的网眼结构的一部分固贴有含有所...
    2025-10-03
  • 硅烷交联性树脂组合物、硅烷交联树脂成型体和电线
    硅烷交联性树脂组合物、硅烷交联树脂成型体和电线_古河电气工业株式会社_202480009591.0
    本发明提供一种硅烷交联性树脂组合物以及使用该硅烷交联性树脂组合物的硅烷交联树脂成型体和电线，所述硅烷交联性树脂组合物含有至少一种由特定的式表示且在100℃加热30分钟时的质量减少率小于10.0％的硅烷醇缩合催化剂、且不含有含锡的硅烷醇缩合催...
    2025-10-03
  • 显示面板及其制备方法
    显示面板及其制备方法_上海和辉光电股份有限公司_202410271806.8
    本发明提供一种显示面板及其制备方法，其中显示面板包括：平坦化层；阳极层，位于平坦化层的一侧，阳极层包括若干子像素阳极；阻挡层，位于与阳极层相同的平坦化层的一侧，阻挡层在平行于显示面板的方向上包围每一子像素阳极，与每一子像素阳极之间形成一间隙...
    2025-10-03
  • 一种光电探测器及其制备方法
    一种光电探测器及其制备方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202410274363.8
    一种以有机材料‑锑化铟量子点共混为光活性层的光电探测器及其制备方法，光电探测器的器件结构为从上至下依次为金属电极层、电子传输层、光敏活性层、空穴传输层、透明导电玻璃层，其中光敏活性层材料为有机半导体材料与锑化铟(InSb)量子点共混后制得的...
    2025-10-03
  • 一种高偏压下稳定工作的钙钛矿单晶辐射探测器及其制备方法
    一种高偏压下稳定工作的钙钛矿单晶辐射探测器及其制备方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202410274366.1
    一种高偏压下稳定工作的钙钛矿单晶辐射探测器及其制备方法，探测器包括钙钛矿单晶材料层，钛电极层和接地电极层，所述钛电极层和接地电极层分别设置在钙钛矿材料层的上下两侧。本发明的钙钛矿辐射探测器可以在高偏压下稳定工作，与当前报道的基于钙钛矿辐射探...
    2025-10-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202410275712.8
    一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括相邻的第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的第三区；位于所述第一区上的第一沟道结构以及位于所述第二区上的第二沟道结构，所述第一沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠且...
    2025-10-03
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