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最新专利技术
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311777090.0
    本发明公开了一种电子装置，其包括电路基板、阻隔层、光接收层、发光层以及第一遮光图案。阻隔层设置于电路基板上，并包括第一开口、第二开口以及阻隔墙，且阻隔墙位于第一开口与第二开口之间。光接收层设置于第一开口中，且发光层设置于第二开口中。第一遮光...
    2025-07-25
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311791441.3
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-25
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311791429.2
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-25
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202311787127.8
    本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。显示面板至少可包括：由多个子像素元件组成的微型发光二极管像素，多个子像素元件至少包括第一子像素元件、第二子像素元件和第三子像素元件；第一子像素元件设置为发射第一颜色的第一光束，呈现第一...
    2025-07-25
  • 太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池、光伏组件及光伏系统_天合光能股份有限公司_202311789078.1
    本发明涉及一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底；以及钝化接触层，设置于基底的第一表面，钝化接触层包括第一多晶硅掺杂导电层；其中，第一多晶硅掺杂导电层的掺杂元素选自铝元素、镓元素、铟元素以及铊元素中的至少一者。本发明的太阳...
    2025-07-25
  • 一种像素结构及图像传感器
    一种像素结构及图像传感器_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311791927.7
    本申请描述了一种像素结构，应用于图像传感器，像素结构包括：多个像素单元，按行、列周期性排布；深槽隔离结构，深槽隔离结构包括在像素结构中周期性分布的多个隔离单元，多个像素单元位于多个隔离单元限定的周期性重复结构内；其中，隔离单元至少包括相互之...
    2025-07-25
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311790675.6
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备，制备方法包括：提供半导体衬底，包括第一掺杂类型的离子掺杂区；形成器件功能层；对半导体衬底进行热处理，使离子掺杂区的掺杂离子扩散至位于半导体衬底上方的材料层中，以形成光吸收驱动层；以及制备半导体...
    2025-07-25
  • 显示装置及电子基板
    显示装置及电子基板_群创光电股份有限公司_202311781774.8
    本发明公开了一种电子基板以及一种包括电子基板的显示装置。电子基板包括基材，以及设置基材上的多条数据线、多条扫描线和多个单元电路。多个单元电路由多条数据线与多条扫描线交错而定义。多个单元电路中的其中一者包括设置基材上的晶体管与忆阻器。忆阻器与...
    2025-07-25
  • 超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_电子科技大学_202311786323.3
    本申请涉及一种超结横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该超结横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构，所述衬底结构内设有第一阱区、源区和漏区，所述漏区和所述第一阱区间隔排布，所述源区位于所述第一阱区内；表面超结结构，设于所述衬底结构...
    2025-07-25
  • 半导体结构的制备方法及其结构
    半导体结构的制备方法及其结构_长鑫科技集团股份有限公司_202311791717.8
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法及其结构，通过提供衬底，衬底上包括用于形成晶体管的第一区域和第二区域，其中，第一区域用于形成源极/漏极，第二区域用于形成栅极，于部分第二区域内衬底上形成介电层，在预设温度下于衬底上未覆盖介电层的区域形成目标...
    2025-07-25
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202311793893.5
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构，包括：相互键合的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括阵列排布的多个存储阵列；第二芯片包括与存储阵列对应的多个逻辑版块，每一逻辑版块包括至少一对字线驱动版块和外围电路版块，一对字线驱动版块包括间...
    2025-07-25
  • 专利案件的管理方法、系统、设备及存储介质
    专利案件的管理方法、系统、设备及存储介质_汉达精密电子(昆山)有限公司_202311776698.1
    本申请涉及专利管理技术领域，尤其涉及一种专利案件的管理方法、系统、设备及存储介质，其中方法包括获取企业已申报的专利案件信息并构建专利管理库；基于专利案件信息对专利案件进行分类，分为完结案件和未完结案件；对于完结案件，设置年费缴纳提醒并记录缴...
    2025-07-25
  • 问答数据处理方法、设备及存储介质
    问答数据处理方法、设备及存储介质_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202311789068.8
    本申请实施例提供一种问答数据处理方法、设备及存储介质。在问答数据处理方法中，获取目标语言模型对询问指令生成的答复文本之后，并可采用目标打分模型对该询问指令以及答复文本形成的问答对进行打分。其中，目标语言模型的基座模型为预训练的生成式大语言模...
    2025-07-25
  • 测试方法、装置、测试设备及介质
    测试方法、装置、测试设备及介质_北京小米移动软件有限公司_202311786711.1
    本公开是关于一种测试方法、装置、测试设备及介质，应用于测试设备，测试方法包括：获取待测图像；利用预先训练完成的测试模型，测试待测图像与参照图像是否一致，参照图像为预期显示在电子设备的屏幕上的图像。本公开中的测试方法可以基于神经网络算法训练获...
    2025-07-25
  • 压力测试方法、装置和系统
    压力测试方法、装置和系统_北京沃东天骏信息技术有限公司_202311786670.6
    本发明公开了一种压力测试方法、装置和系统，涉及计算机技术领域。该方法的一具体实施方式包括：接收含有压测计划信息的压测指令；根据所述压测计划信息确定本地的浏览器启动数量以及各浏览器的网页创建数量，依据确定的浏览器启动数量启动浏览器，依据确定的...
    2025-07-25
  • 一种水面上繁养昆虫活饵并自投入水喂养装置
    一种水面上繁养昆虫活饵并自投入水喂养装置_东莞市红定园林建设有限公司_202311785749.7
    本发明一种水面上繁养昆虫活饵并自投入水喂养装置涉及养殖技术领域，尤其是池塘等水域工厂化养殖投喂活体食物的喂养装置。包括浮体，在所述浮体上固定有支架，在该支架上固定有活饵繁养装置，在所述支架上固定有遮盖物，该遮盖物边缘延伸至浮体或水面将所述支...
    2025-07-25
  • 异质结太阳能电池TCO层结构、太阳能电池结构及制备方法
    异质结太阳能电池TCO层结构、太阳能电池结构及制备方法_苏州捷得宝机电设备有限公司_202311784612.X
    本发明提供一种异质结太阳能电池TCO层结构、太阳能电池及制备方法，包括金属层以及设于金属层两侧的第一ITO层和第二ITO层，第一ITO层厚度与第二ITO层厚度不相同。本发明的有益效果是此种结构比单层ITO薄膜具有更优异的导电性和透光度；通过...
    2025-07-25
  • 一种复合膜结构、太阳能电池及其制备方法
    一种复合膜结构、太阳能电池及其制备方法_苏州捷得宝机电设备有限公司_202311784610.0
    本发明提供一种复合膜结构、太阳能电池及其制备方法，包括至少一层复合结构膜以及设于多层复合结构膜一侧的ITO膜，其中，复合结构膜包括第一ITO膜及设于第一ITO膜一侧的AZO膜，第一ITO膜的厚度与AZO膜的厚度不相同；ITO膜设于多层复合结...
    2025-07-25
  • 一种电池片图形化制备工艺
    一种电池片图形化制备工艺_苏州捷得宝机电设备有限公司_202311784533.9
    本申请提供一种电池片图形化制备工艺，一种电池片图形化制备工艺，包括：在电池片上印刷图形，获取带有掩膜的电池片；将形成的电池片进行固化烘干；对烘干后的电池片依次进行曝光、显影、清洗。本申请一种电池片图形化制备工艺，依次对电池片进行印刷、烘干、...
    2025-07-25
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311792167.1
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备，图像传感器包括：半导体衬底，包括若干个呈阵列排布的像素单元；互连层，位于半导体衬底上；存储元件层，位于半导体衬底上，且包括若干个呈阵列排布的存储单元，存储单元与像素单元对应；其中，存储单元包括...
    2025-07-25
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