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最新专利技术
  • 半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备
    半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311802666.4
    本发明公开了一种半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备。形成方法包括：S1，提供一基片，包含介质层和位于介质层上方的掩膜层，掩膜层设有开口图形；S2，垂直刻蚀开口下方的介质层至设定时间；S3，横向刻蚀掩膜层，以扩大掩膜层的关键尺...
    2025-08-02
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311806354.0
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过在PMOS区域的栅极结构上形成应力介质层，然后执行掺杂工艺在所述应力介质层中掺杂氮离子以形成掺杂应力介质层，掺杂应力介质层内的氮离子与氢结合使掺杂应力介质层内的氢处于非活性状态，因此，掺杂应力介质层...
    2025-08-02
  • 调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法
    调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法_格科半导体(上海)有限公司_202311803340.3
    本发明公开了一种调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法，静电吸盘的顶针通过气缸驱动，包括：管路，与气缸的活塞一侧连通；第一单向节流阀和第二单向节流阀，均包括自由流向和控制流向，设于管路上；进气经过第一单...
    2025-08-02
  • 一种真空卡盘及半导体处理装置
    一种真空卡盘及半导体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311802461.6
    本发明提供了一种真空卡盘及半导体处理设备，属于半导体处理设备领域，为了解决不同工艺条件下，在基座上固定基片的力度调整，本发明的技术方案主要包括：基座，其上表面用于承载基片，且基座的上表面具有凹槽；和位于所述基座内部的抽气管路，抽气管路的上端...
    2025-08-02
  • 半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置
    半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置_华润赛美科微电子(深圳)有限公司_202311805134.6
    本申请提供一种半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置。半导体料管包括管体及封堵塞；封堵塞部分通过管体的端部进入所述管体，部分露出管体。传送结构包括本体部及两个辅助部。本体部包括底板及位于底板同一侧的至少两个限位板，相邻两个限位板间...
    2025-08-02
  • 半导体结构的料盒
    半导体结构的料盒_华润润安科技(重庆)有限公司_202311803879.9
    本申请提供一种半导体结构的料盒。半导体结构的料盒包括料盒本体、多个限位板及调节结构。料盒本体具有容纳腔；容纳腔包括相对的第一侧面和第二侧面。多个限位板位于容纳腔内，多个限位板包括靠近第一侧面设置的多个第一限位板及靠近第二侧面设置的第二限位板...
    2025-08-02
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润安盛科技有限公司_202311809652.5
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括提供引线框架，引线框架具有相互背离的第一表面和第二表面，引线框架包括基岛、间隔设于基岛至少一侧的第一引脚、间隔设于基岛至少一侧的键合部以及连接于键合部背离基岛一侧的第二引脚；采用...
    2025-08-02
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_华润润安科技(重庆)有限公司_202311801188.5
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括提供晶圆，晶圆包括位于中部的有效晶圆区域及位于有效晶圆区域外围的边缘区域，有效晶圆区域具有多个阵列排布的半导体单元区域及位于半导体单元区域至少一侧的切割区域；晶圆具有衬底层和设于...
    2025-08-02
  • 沉积方法、衬底处理方法及半导体处理设备
    沉积方法、衬底处理方法及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311803592.6
    本发明公开了一种沉积方法、衬底处理方法及半导体处理设备。本发明的沉积方法，可高选择比的仅在所述掩模层的上表面和所述槽状结构的侧壁形成沉积层，以形成粗糙度优于第一轮廓形貌的第二轮廓形貌，利于后续处理步骤中提高刻蚀良率。本发明的衬底处理方法，通...
    2025-08-02
  • 温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统
    温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311802876.3
    一种温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统，用于等离子体工艺装置，包括：第一介质窗；与所述第一介质窗层叠相接的第二介质窗，所述第一介质窗与第二介质窗之间具有加热装置；与所述第二介质窗层叠相接的第三介质窗，所述第二介质窗与第三介质窗之...
    2025-08-02
  • 半导体处理设备的清洁处理方法、可读存储介质及半导体处理设备
    半导体处理设备的清洁处理方法、可读存储介质及半导体处理设备_格科半导体(上海)有限公司_202311801370.0
    本发明公开了半导体处理设备的清洁处理方法、可读存储介质及半导体处理设备。所述处理方法包含：步骤S1，提供一半导体处理设备，其包含：处理腔、射频功率源、进气件及抽气泵；进气件的内壁附着有沉积物；步骤S2，在抽气泵关闭状态下，以第一流速通入处理...
    2025-08-02
  • 一种偏压电极及等离子刻蚀机
    一种偏压电极及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311800756.X
    本发明公开了一种偏压电极及等离子刻蚀机，包括电极板组件、压板和聚焦环，其中，聚焦环位于电极板组件的承载面上，聚焦环具有与晶圆尺寸相适配的聚焦孔，以将晶圆定位于电极板组件的目标区域；压板位于聚焦环上方，并通过自身重力将聚焦环压紧在电极板组件的...
    2025-08-02
  • 一种离子源栅网可调结构、调节方法及离子源设备
    一种离子源栅网可调结构、调节方法及离子源设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311807391.3
    本发明公开了一种离子源栅网可调结构、调节方法及离子源设备，离子源栅网可调结构包括：可转动安装在离子源腔体的开口处的栅网固定架，栅网固定架具有用于面向离子源腔体内部的离子源设置的安装面；栅网组件，栅网组件的个数至少为2个，且沿着远离安装面的方...
    2025-08-02
  • 一种接触器的切换装置和接触器
    一种接触器的切换装置和接触器_上海良信电器股份有限公司_202311803841.1
    本申请提供一种接触器的切换装置和接触器，涉及低压电器技术领域，包括联动设置的摇臂组件和行程开关，摇臂组件还用于分别和触头系统、电磁系统联动，电磁系统包括并联的吸合线圈和保持线圈，行程开关和吸合线圈连接；通过电磁系统带动摇臂组件转动，以使摇臂...
    2025-08-02
  • 模块化开关按键及其构成的电子设备
    模块化开关按键及其构成的电子设备_苏州三星电子电脑有限公司_202311787472.1
    本发明公开了一种模块化开关按键，包括组装框架、可移动的安装在所述的组装框架一侧的按键、安装所述的框架组装框架另一侧的弹性连接片，所述的弹性连接片包括彼此之间弹性连接在一起的第一部分和第二部分，所述的弹性连接片的第一部分固定连接至所述的组装框...
    2025-08-02
  • 一种防火开关保护盖机构
    一种防火开关保护盖机构_上海航空电器有限公司_202311794627.4
    本发明公开一种防火开关保护盖机构。所述防火开关保护盖机构包括：保护盖、转轴和保护盖安装座。所述保护盖通过所述转轴可转动地设置在所述保护盖安装座，所述保护盖具有与所述转轴相转动配合的结合部，所述结合部的外周面具有第一孔位、第二孔位和所述第一孔...
    2025-08-02
  • 一种超导线圈内部传感器安装工装、超导线圈、绕制方法
    一种超导线圈内部传感器安装工装、超导线圈、绕制方法_中国航天科工飞航技术研究院(中国航天海鹰机电技术研究院)_202311788161.7
    本发明提供了一种超导线圈内部传感器安装工装、超导线圈、绕制方法，所述工装包括环形板和固定胶；所述环形板的形状与绕制后的超导线圈的形状相适配；所述环形板的表面设有若干用于放置传感器的凹槽和用于放置信号线的沟道，每个所述凹槽均与所述沟道相贯通，...
    2025-08-02
  • 一种电磁线圈组件及其制备方法
    一种电磁线圈组件及其制备方法_浙江三花智能控制股份有限公司_202311806013.3
    本发明公开一种电磁线圈组件及其制备方法，其中，上述电磁线圈组件包括绕线架、导磁壳和导磁板，所述绕线架缠绕装配有绕组，所述绕线架位于所述导磁壳内，所述导磁板与所述导磁壳固定连接，所述导磁壳包括端板部，所述端板部与所述导磁板对所述绕线架轴向限位...
    2025-08-02
  • 高导电低温铜浆、其制备方法及应用
    高导电低温铜浆、其制备方法及应用_芯体素(杭州)科技发展有限公司_202311802059.8
    本发明提供了一种高导电低温铜浆、其制备方法及应用。该高导电低温铜浆包括铜纳米颗粒、有机载体和抗氧化剂；铜纳米颗粒表面不含大分子配体，纯度≥98％，粒径≤1μm，粒径变异系数≤35％；高导电低温铜浆在200℃固化后电阻率≤34.4μΩ·cm。...
    2025-08-02
  • 移动轨迹侦测系统
    移动轨迹侦测系统_格敦企业股份有限公司_202311790603.1
    一种先进的移动轨迹侦测系统，旨在提供实时、全面的健康评估，其整合了深度摄影机、肌电图(EMG)传感器，以及储存在一个安全、可扩展的储存单元组件中的实时分析算法。它具有一个可自定义且可参考的健康数据数据库，其中包含各种有效且有价值的健康数据标...
    2025-08-02
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