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最新专利技术
  • 用于体外检验的一致性协调方法
    用于体外检验的一致性协调方法_科美诊断技术(苏州)有限公司_202311785652.6
    本发明提供了用于体外检验的一致性协调方法。该方法包括获取纳入方法的每台体外检验医疗器械(IVD MD)用于指定检测项目的一系列参考品的参考品赋值；获取各IVD MD对参考品的检测值；以参考品赋值作为参比结果，以各IVD MD对参考品的检测值...
    2025-07-21
  • 超声设备的功能开通方法、装置、电子设备及介质
    超声设备的功能开通方法、装置、电子设备及介质_深圳市理邦精密仪器股份有限公司_202311787332.4
    本发明涉及超声设备技术领域，公开了一种超声设备的功能开通方法、装置、电子设备及介质，方法包括：显示许可证页面，许可证页面上显示超声探头的身份信息、至少一个第一功能选项和至少一个第二功能选项，第一功能选项为超声探头已经开通的功能对应的选项，第...
    2025-07-21
  • 超声显示方法、装置、超声设备及存储介质
    超声显示方法、装置、超声设备及存储介质_深圳市理邦精密仪器股份有限公司_202311807743.5
    本发明涉及医疗设备技术领域，公开了一种超声显示方法、装置、超声设备及存储介质，包括：获取当前超声扫查所属的目标科室；显示目标科室对应的超声扫查页面，超声扫查页面包括图像显示区以及功能区，功能区的控件与目标科室一一对应。由于基于当前超声扫查所...
    2025-07-21
  • 各向异性导电材料及其制备方法和应用
    各向异性导电材料及其制备方法和应用_华为技术有限公司_202311779106.1
    本发明提供一种各向异性导电材料及其制备方法和应用，所述各向异性导电材料包括基体层、以及存在于所述基体层中的导电粒子，所述导电粒子单层排列，且所述导电粒子的密度大于或等于20000pcs/mm2，利于提升各向异性导电材料...
    2025-07-21
  • 一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用
    一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用_烟台正海磁性材料股份有限公司_202311783785.X
    本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用，所述磁体包括具有RE2Fe14B结构的主相结晶颗粒和晶界相；所述晶界相包含两个主相结晶颗粒之间的二颗粒晶界相，和三个以上主相结晶颗粒间隙组成的晶界...
    2025-07-21
  • 韦根线结构、韦根线结构的制作方法及韦根传感器
    韦根线结构、韦根线结构的制作方法及韦根传感器_浙江驰拓科技有限公司_202311789347.4
    本发明提供了韦根线结构、韦根线结构的制作方法及韦根传感器。该韦根线结构包括：金属丝；磁性层，环绕设置于金属丝的外周，形成金属丝的材料和形成磁性层的材料为不同的磁性材料。通过本申请，拓宽了制作韦根线结构的材料的范围，并进一步提升了韦根线的设计...
    2025-07-21
  • 开关机构及电子设备
    开关机构及电子设备_宁波公牛电器有限公司_202311789440.5
    本公开公开了一种开关机构及电子设备，属于电子器件领域。该开关机构，包括壳体、拨动件、动触片组件、静触片组件和第一吸合件；拨动件可摆动地与壳体相连；动触片组件包括摆片和第二吸合件，摆片具有弹性，摆片的装配端与拨动件相连，第二吸合件连接在靠近摆...
    2025-07-21
  • 开关结构
    开关结构_珠海市惟达电子有限公司_202311791060.5
    本发明提供一种开关结构，包括座体、端子组、至少一导电弹片及盖体，其中，该座体内部具有一容置空间，且该端子组包括有设于该容置空间内的第一端子及第二端子，该至少一导电弹片略大于该容置空间，且该导电弹片底面具有对正该第二端子的抵接部，再于该导电弹...
    2025-07-21
  • 电接触器
    电接触器_苏州力特奥维斯保险丝有限公司_202311776192.0
    一种电接触器，其包括第一和第二固定触点、设置在可移动轴的第一端部上的可移动触点，该可移动轴延伸穿过铁芯并在第二端部处连接到电枢、围绕铁芯的电磁线圈、设置在可移动轴上的第一磁性闩锁元件、以及邻近第一和第二固定触点设置的第二磁性闩锁元件，其中，...
    2025-07-21
  • 气体排出装置及断路器
    气体排出装置及断路器_上海良信电器股份有限公司_202311790154.0
    一种气体排出装置及断路器，涉及低压电器技术领域。该气体排出装置包括壳体，以及分别连接于壳体上的灭弧室和排气结构；壳体上设有位于排气结构远离灭弧室一侧的排气通道；排气结构上设有第一排气孔组和第二排气孔组，第一排气孔组和第二排气孔组的一端分别与...
    2025-07-21
  • 小型断路器的操作机构
    小型断路器的操作机构_浙江正泰电器股份有限公司_202311785838.1
    小型断路器的操作机构，包括手柄、传动杆、跳扣、杠杆、锁扣和用于承载动触头的触头支持，杠杆、锁扣和触头支持枢转安装在转轴上，跳扣、杠杆和触头支持铰接于铰接轴上，跳扣与锁扣锁定配合，手柄通过传动杆带动跳扣转动，跳扣通过铰接轴带动杠杆和触头支持绕...
    2025-07-21
  • 一种操作机构及断路器
    一种操作机构及断路器_上海良信电器股份有限公司_202311790267.0
    本发明公开一种操作机构及断路器，涉及低压电器技术领域。该操作机构包括壳体以及与壳体滑动连接的按钮，壳体内设置有锁扣件、触头座、动触头和静触头，锁扣件与壳体转动连接，触头座与壳体滑动连接，动触头安装在触头座上，静触头与壳体固定连接，按钮与触头...
    2025-07-21
  • 半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机
    半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机_江苏卓胜微电子股份有限公司_202311794617.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机，该方法包括：利用第一刻蚀气体刻蚀第一半导体器件上的氮化硅层，以使第一半导体器件的氮化硅层与第二半导体器件的氮化硅层厚度不同；获取第二刻蚀气体，并根据第一半导体器件上剩...
    2025-07-21
  • 封装基板关注区域面积占比测量方法
    封装基板关注区域面积占比测量方法_上海美维科技有限公司_202311781767.8
    本发明公开了一种封装基板关注区域面积占比测量方法，包括获取待测样品的待测区域照片，将待测区域照片传输至显微镜配套软件中，并基于待测区域照片中关注区域所在位置确定观察区域；基于待测区域照片中关注区域类型确定区域抽取方式，在显微镜配套软件中通过...
    2025-07-21
  • 离子注入机中晶圆位置识别方法和装置
    离子注入机中晶圆位置识别方法和装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202311776155.X
    本申请公开了一种离子注入机中晶圆位置识别方法，其包括步骤基于静电吸盘的中心点定义判断区域；获取包括所述静电吸盘以及其上的所述晶圆的第二图像；计算所述判断区域内所述第二图像的至少一个特征数据自所述判断区域的第一边界的第一径向尺寸向第二边界的第...
    2025-07-21
  • 晶圆键合设备、晶圆键合方法及存储介质
    晶圆键合设备、晶圆键合方法及存储介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202311785574.X
    本发明提供了一种晶圆键合设备、一种晶圆键合方法及一种计算机可读存储介质。所述晶圆键合设备包括前置模块及键合模块。所述前置模块用于对待键合的第一样本和/或第二样本进行前置处理。所述键合模块经由传片口连接所述前置模块的输出端，以对其输出的所述第...
    2025-07-21
  • 晶圆盒及其制作方法
    晶圆盒及其制作方法_鼎洲科技股份有限公司_202311780295.4
    本发明提供一种晶圆盒及其制作方法，所述晶圆盒包括晶圆盒本体、含有金属材料的隔绝层、承载单元及密封门。所述晶圆盒由树脂材料构成，包括具有开口的外壳，所述外壳界定出经由所述开口对外连通的容置空间。所述隔绝层至少披覆于所述外壳的外表面。所述承载单...
    2025-07-21
  • 一种MOS器件的制备方法
    一种MOS器件的制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311791062.4
    本发明提供了一种MOS器件的制备方法，其中首先提供一衬底，在衬底的一侧形成了栅极氧化层，然后采用了去耦等离子体注入的方法在衬底与栅极氧化层之间注入了氘等离子体或氟等离子体，最后进行退火处理，使得氘等离子体或氟等离子体与衬底和栅极氧化层之间的...
    2025-07-21
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311785543.4
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层中具有通孔，通过以图形化的光刻胶层为掩模，对图形化的光刻胶层中暴露出的第三介质层进行刻蚀以形成第一沟槽，第一沟槽的下部与第一沟槽的上部的交界处呈台阶状且第一沟槽的...
    2025-07-21
  • 一种主动散热功率模块
    一种主动散热功率模块_摩驱科技(深圳)有限公司_202311778481.4
    一种主动散热功率模块，包括下层电路板，下层电路板由下层电路板底层线路层、下层电路板陶瓷基板层和下层电路板顶层线路层组成；还包括两个或多于两个的一组MOS管或IGBT，两个或多于两个的一组MOS管或IGBT焊接于下层电路板底层线路层上；还包括...
    2025-07-21
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