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  • 本发明提供一种各向异性导电材料及其制备方法和应用,所述各向异性导电材料包括基体层、以及存在于所述基体层中的导电粒子,所述导电粒子单层排列,且所述导电粒子的密度大于或等于20000pcs/mm2,利于提升各向异性导电材料...
  • 本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用,所述磁体包括具有RE2Fe14B结构的主相结晶颗粒和晶界相;所述晶界相包含两个主相结晶颗粒之间的二颗粒晶界相,和三个以上主相结晶颗粒间隙组成的晶界...
  • 本发明提供了韦根线结构、韦根线结构的制作方法及韦根传感器。该韦根线结构包括:金属丝;磁性层,环绕设置于金属丝的外周,形成金属丝的材料和形成磁性层的材料为不同的磁性材料。通过本申请,拓宽了制作韦根线结构的材料的范围,并进一步提升了韦根线的设计...
  • 本公开公开了一种开关机构及电子设备,属于电子器件领域。该开关机构,包括壳体、拨动件、动触片组件、静触片组件和第一吸合件;拨动件可摆动地与壳体相连;动触片组件包括摆片和第二吸合件,摆片具有弹性,摆片的装配端与拨动件相连,第二吸合件连接在靠近摆...
  • 本发明提供一种开关结构,包括座体、端子组、至少一导电弹片及盖体,其中,该座体内部具有一容置空间,且该端子组包括有设于该容置空间内的第一端子及第二端子,该至少一导电弹片略大于该容置空间,且该导电弹片底面具有对正该第二端子的抵接部,再于该导电弹...
  • 一种电接触器,其包括第一和第二固定触点、设置在可移动轴的第一端部上的可移动触点,该可移动轴延伸穿过铁芯并在第二端部处连接到电枢、围绕铁芯的电磁线圈、设置在可移动轴上的第一磁性闩锁元件、以及邻近第一和第二固定触点设置的第二磁性闩锁元件,其中,...
  • 一种气体排出装置及断路器,涉及低压电器技术领域。该气体排出装置包括壳体,以及分别连接于壳体上的灭弧室和排气结构;壳体上设有位于排气结构远离灭弧室一侧的排气通道;排气结构上设有第一排气孔组和第二排气孔组,第一排气孔组和第二排气孔组的一端分别与...
  • 小型断路器的操作机构,包括手柄、传动杆、跳扣、杠杆、锁扣和用于承载动触头的触头支持,杠杆、锁扣和触头支持枢转安装在转轴上,跳扣、杠杆和触头支持铰接于铰接轴上,跳扣与锁扣锁定配合,手柄通过传动杆带动跳扣转动,跳扣通过铰接轴带动杠杆和触头支持绕...
  • 本发明公开一种操作机构及断路器,涉及低压电器技术领域。该操作机构包括壳体以及与壳体滑动连接的按钮,壳体内设置有锁扣件、触头座、动触头和静触头,锁扣件与壳体转动连接,触头座与壳体滑动连接,动触头安装在触头座上,静触头与壳体固定连接,按钮与触头...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件刻蚀方法、射频模组及刻蚀机,该方法包括:利用第一刻蚀气体刻蚀第一半导体器件上的氮化硅层,以使第一半导体器件的氮化硅层与第二半导体器件的氮化硅层厚度不同;获取第二刻蚀气体,并根据第一半导体器件上剩...
  • 本发明公开了一种封装基板关注区域面积占比测量方法,包括获取待测样品的待测区域照片,将待测区域照片传输至显微镜配套软件中,并基于待测区域照片中关注区域所在位置确定观察区域;基于待测区域照片中关注区域类型确定区域抽取方式,在显微镜配套软件中通过...
  • 本申请公开了一种离子注入机中晶圆位置识别方法,其包括步骤基于静电吸盘的中心点定义判断区域;获取包括所述静电吸盘以及其上的所述晶圆的第二图像;计算所述判断区域内所述第二图像的至少一个特征数据自所述判断区域的第一边界的第一径向尺寸向第二边界的第...
  • 本发明提供了一种晶圆键合设备、一种晶圆键合方法及一种计算机可读存储介质。所述晶圆键合设备包括前置模块及键合模块。所述前置模块用于对待键合的第一样本和/或第二样本进行前置处理。所述键合模块经由传片口连接所述前置模块的输出端,以对其输出的所述第...
  • 本发明提供一种晶圆盒及其制作方法,所述晶圆盒包括晶圆盒本体、含有金属材料的隔绝层、承载单元及密封门。所述晶圆盒由树脂材料构成,包括具有开口的外壳,所述外壳界定出经由所述开口对外连通的容置空间。所述隔绝层至少披覆于所述外壳的外表面。所述承载单...
  • 本发明提供了一种MOS器件的制备方法,其中首先提供一衬底,在衬底的一侧形成了栅极氧化层,然后采用了去耦等离子体注入的方法在衬底与栅极氧化层之间注入了氘等离子体或氟等离子体,最后进行退火处理,使得氘等离子体或氟等离子体与衬底和栅极氧化层之间的...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层中具有通孔,通过以图形化的光刻胶层为掩模,对图形化的光刻胶层中暴露出的第三介质层进行刻蚀以形成第一沟槽,第一沟槽的下部与第一沟槽的上部的交界处呈台阶状且第一沟槽的...
  • 一种主动散热功率模块,包括下层电路板,下层电路板由下层电路板底层线路层、下层电路板陶瓷基板层和下层电路板顶层线路层组成;还包括两个或多于两个的一组MOS管或IGBT,两个或多于两个的一组MOS管或IGBT焊接于下层电路板底层线路层上;还包括...
  • 一种功率器件模块(10),包括散热构件(100)和功率器件。所述散热构件(100)包括:主体(110),所述主体(110)包括顶面(120)以及沿横向于所述顶面(120)的延伸方向延伸的至少一个侧壁(130a、130b、130c),和用于使...
  • 本申请提供一种封装结构及功率变换装置,封装结构包括:引线框架、第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一键合件和塑封体,第一二极管芯片和第二二极管芯片均具有第一电极和第二电极,第一二极管芯片的第一电极和第二二极管芯片的第一电极均焊接于引线框架的表...
  • 本发明提供了一种负极极片、二次电池和装置。该负极极片包括集流体和设置在集流体表面的导电层,导电层包括晶态纳米导电碳和非晶态纳米导电碳,且晶态纳米导电碳和非晶态纳米导电碳的粒径分别独立地选自1~50nm,导电层的表面粗糙度<1.5μm。本申请...
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