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最新专利技术
  • 适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法
    适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法_威乐(中国)水泵系统有限公司_202311772805.3
    本申请涉及一种适用于多种定子入箱的压装设备和压装方法，压装设备包括：定子固定装置，其包括固定基座，定子总成固定在固定基座上；机壳压装装置，其包括下压头和机壳套，机壳套竖直可滑动设置在固定基座的正上方，且包括两个对合设置的合抱单元，两个合抱单...
    2025-07-27
  • 一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法
    一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311778410.4
    本发明公开了一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法，包括以下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层具有多个开口图形，所述开口图形底部暴露出所述硅衬底的顶部表面；通入第一刻蚀气体点燃等离子体，按照所述开口图形向下刻蚀所述硅衬底以形...
    2025-07-27
  • 问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质
    问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311775383.5
    本公开涉及数据处理技术领域，公开了问题定位方法、装置、计算机设备及存储介质，本公开提供了一种问题定位方法，包括：显示查询页面，包括用于查询可复现问题的第一对照测试项的第一数据查询控件，以及用于查询不可复现问题的第二对照测试项的第二数据查询控...
    2025-07-27
  • 数据库测试方法、介质以及电子设备
    数据库测试方法、介质以及电子设备_华为云计算技术有限公司_202311773909.6
    本申请应用于计算机技术领域，提供了一种数据库测试方法、介质以及电子设备，其中方法包括：获取待测试数据库和校验数据库基于测试用例的输出结果；对应于测试数据库和校验数据库的输出数据格式不同，对待测试数据库或者校验数据库的输出结果进行数据格式转换...
    2025-07-27
  • 回复方法、系统、设备和存储介质
    回复方法、系统、设备和存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311774928.0
    本公开涉及计算机技术领域，公开了一种回复方法、系统、设备和存储介质，回复方法包括接收语言模型待回复的目标指令；获取语言模型对非毒性指令进行回复时所使用的第一参考信息，以及获取语言模型对毒性指令进行回复时所使用的第二参考信息；拼接第一参考信息...
    2025-07-27
  • 汽车评论的细颗粒度情感分析方法
    汽车评论的细颗粒度情感分析方法_北京奔驰汽车有限公司_202311773606.4
    本发明公开一种汽车评论的细颗粒度情感分析方法，包括如下步骤：S100，对训练语料库中的训练语料进行切分短句以及分词；S200，对分词进行词语向量化；S300，对主题词进行相似词聚类；S400，对训练语料库中的训练语料提取高频词组并分类标注；...
    2025-07-27
  • 加工系统
    加工系统_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202311781045.2
    本申请公开了一种加工系统，该加工系统包括移动机构、反应装置、缓存机构和运输机构，反应装置设置在滑轨的第一侧；缓存机构设置在滑轨的第二侧；运输机构滑动设置于移动机构的滑轨，以获取载具，并将载具沿滑轨运输至第一位置或第二位置；其中，运输机构被配...
    2025-07-27
  • 半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备
    半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202311776273.0
    本申请涉及一种半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备。该半导体结构包括衬底，以及位于衬底上的第一栅极、第一半导体层、第一栅极绝缘层、第二栅极、第二半导体层、第二栅极绝缘层；其中，第一栅极沿着平行于衬底的第一方向延伸，第一半导体层环绕设置于...
    2025-07-27
  • 绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法
    绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法_电子科技大学_202311774846.6
    本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管器件包括：衬底结构，所述衬底结构内设有第一掺杂区，所述第一掺杂区内设有间隔排布的第一阱区和集电极引出区；所述第一阱区内设有发射极引出区和第一阱引出区；所述第一掺杂区内还设...
    2025-07-27
  • 一种功率半导体器件及其制作方法
    一种功率半导体器件及其制作方法_株洲中车时代半导体有限公司_202311774902.6
    本申请实施例提供了一种功率半导体器件及其制作方法，包括：由下至上依次叠层设置的第一导电类型阳极发射区、第一导电类型阳极区、第二导电类型基区、第一导电类型第一基区、第一导电类型第二基区、部分嵌入第一导电类型第二基区的第二导电类型阴极发射区；沿...
    2025-07-27
  • 半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
    半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202311771470.3
    本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，用于消除半导体器件漏电现象。该半导体器件包括：外延层；外延层上设置有源极结构、漏极结构和位于源极结构和漏极结构之间的栅极结构；外延层上还层叠设置有第一介质层和...
    2025-07-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311780129.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括衬底，衬底包括相对的第一面和第二面；位于衬底内的若干积累区、以及位于相邻积累区之间的深掺杂区，且第一面暴露出积累区和深掺杂区；位于第一面的若干栅极层，相邻栅极层之间暴露出深掺杂区，栅极层内具有第...
    2025-07-27
  • 一种沟槽顶角圆化结构、圆化方法及功率半导体器件
    一种沟槽顶角圆化结构、圆化方法及功率半导体器件_株洲中车时代半导体有限公司_202311769687.0
    本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种沟槽顶角圆化结构、圆化方法及功率半导体器件，包括设置在沟槽两侧顶角的圆化部，位于沟槽单侧顶角的圆化部设置有至少两个，该至少两个圆化部在沟槽单侧顶角上沿沟槽的深度方向呈台阶状排列设置，减小电场集中同时...
    2025-07-27
  • 超结IGBT器件及其制造方法
    超结IGBT器件及其制造方法_株洲中车时代半导体有限公司_202311774773.0
    本发明实施例公开了一种超结IGBT器件及其制造方法，器件包括：第一导电类型外延层、一侧间隔设置多个沟槽，相邻沟槽之间沿第一导电类型外延层延伸方向依次设置第一导电类型阱区、第二导电类型阱区及第一导电类型重掺杂区，沟槽的远离第一导电类型外延层方...
    2025-07-27
  • 逆导型功率半导体器件
    逆导型功率半导体器件_株洲中车时代半导体有限公司_202311775087.5
    本发明实施例公开了一种逆导型功率半导体器件，包括：反并联设置的晶闸管和晶体管，所述晶体管和所述晶闸管之间设置有隔离槽，所述隔离槽呈环形，所述晶体管设置所述隔离槽外侧，所述晶闸管设置在所述隔离槽内侧，所述晶体管的发射极与基极短接。通过上述方式...
    2025-07-27
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202311767114.4
    本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池的制备方法包括：在硅衬底的第一表面上依次形成层叠的第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层或第一非晶硅层；对第一掺杂多晶硅层或第一非晶硅层进行局域激光图形化改性，以形成激光改性区和非激光改性区；以...
    2025-07-27
  • 太阳能电池电极的制备方法
    太阳能电池电极的制备方法_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202311767939.6
    公开一种太阳能电池电极的制备方法，包括S11将印刷模具覆盖在太阳能电池片上，印刷模具接触太阳能电池的一侧设置待印刷电极图形凹槽，凹槽中填充有印刷浆料；S12对太阳能电池进行烧结，烧结时印刷模具和太阳能电池片的承载件或太阳能电池片下方的吸附件...
    2025-07-27
  • 发光元件结构及显示装置
    发光元件结构及显示装置_錼创显示科技股份有限公司_202311768089.1
    本发明提供一种发光元件结构及显示装置。发光元件结构包括至少一发光元件以及反射挡墙。每一发光元件包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，且第二型半导体层具有出光面。反射挡墙包括第一部分与第二...
    2025-07-27
  • 衬底减薄工艺及LED芯片制作方法
    衬底减薄工艺及LED芯片制作方法_东莞市中麒光电技术有限公司_202311779919.0
    本发明公开一种衬底减薄工艺，提供生长衬底，生长衬底具有正面以及与正面相对的背面，正面上具有若干LED芯片；提供临时载板，将生长衬底的正面与临时载板临时键合；确定生长衬底减薄后的目标厚度，根据目标厚度确定位于生长衬底中的剥离面，采用激光沿预设...
    2025-07-27
  • 全彩显示组件及其制备方法
    全彩显示组件及其制备方法_重庆康佳光电科技有限公司_202311771461.4
    本发明涉及一种全彩显示组件及其制备方法。该全彩显示组件包括：驱动背板，包括若干第一导电极性触点和一第二导电极性环；全彩垂直发光阵列，包括至少具有三种不同发光波长的垂直发光芯片，每一所述垂直发光芯片的P型电极与一所述第一导电极性触点电连接，各...
    2025-07-27
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