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最新专利技术
  • 照明设备
    照明设备_昕诺飞控股有限公司_202480059277.3
    一种照明设备，包括多个发白光的标准尺寸的LED和多个发白光的RGB微型‑LED的组合，多个发白光的RGB微型‑LED用作单个白光源。多个M‑LED被布置在M‑LED的群组中并且被限制在区域A内，并且多个N‑LED被布置在区域A之外。
    2026-04-23
  • 具有更大垂直视场的精细间隔LED阵列、汽车照明系统和制造方法
    具有更大垂直视场的精细间隔LED阵列、汽车照明系统和制造方法_亮锐新加坡私人有限公司_202380102227.4
    本文描述了一种精细间隔LED阵列、汽车照明系统和制造方法。LED照明系统包括LED行和列的阵列，其中阵列中相邻LED之间的间隔小于50微米。该阵列包括至少5行LED。多个第一导电连接器将5行中的前4行中的LED串联电耦合。多个第二导电连接器...
    2026-04-23
  • 用于微型LED显示器的全彩像素
    用于微型LED显示器的全彩像素_柳雄烈_202480058348.8
    本发明的技术要旨在于一种用于微型LED显示器的全彩像素，其在共享共同n电极的同时，包括至少一个以上的红光微型LED、至少一个以上的绿光微型LED及至少一个以上的蓝光微型LED。
    2026-04-23
  • 晶粒转移方法、已加载的晶粒转移载具及其用途
    晶粒转移方法、已加载的晶粒转移载具及其用途_荷兰应用自然科学研究组织TNO_202480059811.0
    本发明提供一种重新分布单粒化晶粒(1)的方法(100)，该方法包含：提供(110)供体基体(10)并提供(111)受体基体(20)，供体基体包含支撑所述晶粒的阵列(A)的分割箔片(11)，受体基体包含载具基体(21)，载具基体具有可光固化粘...
    2026-04-23
  • 用于转移功能单元的方法、供体衬底以及用于执行这种方法的设备
    用于转移功能单元的方法、供体衬底以及用于执行这种方法的设备_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380102377.5
    用于将功能单元(4, 4’，4’’，4’’’，4’’’’)从输出功能单元(4, 4’，4’’，4’’’，4’’’’)的供体衬底(1)转移到接收功能单元(4, 4’，4’’，4’’’，4’’’’)的受体衬底(8)的方法，尤其作为用于构造产品衬...
    2026-04-23
  • 移载方法
    移载方法_信越化学工业株式会社_202480059607.9
    本发明为一种移载方法，通过激光照射将设置在基材上的多个微小结构体移载到另一基材，所述移载方法具有：移载工序，通过所述基材朝向第一微小结构体照射激光，将所述第一微小结构体移载到所述另一基材；以及追加照射工序，朝向所述移载后的第一微小结构体照射...
    2026-04-23
  • 发光设备和图像显示装置
    发光设备和图像显示装置_索尼半导体解决方案公司_202480060288.3
    一种发光设备包括多个发光元件、多个透镜以及一个或多个光吸收体。所述多个发光元件沿着第一表面部署。所述多个透镜在与第一表面相交的第一方向上在与相应发光元件对应的位置处堆叠。所述透镜中的每个透镜透射来自所述多个发光元件中的对应的一个发光元件的光...
    2026-04-23
  • 具有开孔电流的微LED
    具有开孔电流的微LED_亮锐有限责任公司_202480055099.7
    描述了一种发光二极管(LED)阵列，其包括多个限定具有侧壁的像素的台面，每个台面包括衬底上的外延堆叠。外延堆叠包括在衬底上的第一n型层、在第一n型层上的第二n型层、在第二n型层上的n型限制层、在n型限制层上具有有源区宽度的有源区、在有源区上...
    2026-04-23
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480060630.X
    该光检测装置包括：半导体基板，包括光电转换单元；浮动扩散，从半导体基板的表面向半导体基板的内部形成；以及晶体管，设置在半导体基板中。晶体管包括栅极电极，该栅极电极以具有与半导体基板的表面基本上齐平的表面的方式嵌入在半导体基板中。
    2026-04-23
  • 摄像装置、其制造方法以及电子设备
    摄像装置、其制造方法以及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480060010.6
    本技术涉及：具有多光电转换元件像素并同时提高灵敏度并减少颜色混合的发生的摄像装置；摄像装置的制造方法；和电子设备。根据本发明，半导体基板上二维排列有像素，每个像素具有多个光电转换元件。滤色器针对每个光电转换元件形成在半导体基板上。保护膜形成...
    2026-04-23
  • 用于处置分接端接的浮置端接单元和布置
    用于处置分接端接的浮置端接单元和布置_高通股份有限公司_202480059367.2
    一种芯片包括分接列，该分接列包括以列布置的分接单元(810)和端接分接列的端部的端接分接单元。该端接分接单元包括在第一方向(112)上延伸跨端接分接单元延伸的第一N阱(815)、将第一N阱耦合到第一电源轨的第一n分接(820)、将p衬底或P...
    2026-04-23
  • 堆叠式CFET器件及相应的制造方法
    堆叠式CFET器件及相应的制造方法_华为技术有限公司_202380102545.0
    本发明涉及一种晶体管器件，具体地涉及一种堆叠式CFET器件。还提供了一种制造堆叠式CFET器件的方法。所述CFET器件包括nMOS晶体管和pMOS晶体管，所述nMOS晶体管包括第一沟道和围绕所述第一沟道的第一栅极结构，所述pMOS晶体管包括...
    2026-04-23
  • 用于复合基板的包括俘获电荷的层的载体和选择这种载体的方法
    用于复合基板的包括俘获电荷的层的载体和选择这种载体的方法_索泰克公司_202480059378.0
    本发明涉及用于复合基板(S)的载体(1)。载体包括基础基板以及布置在基础基板(2)上的由多晶硅制成的俘获层(3a)。俘获层具有第一类型的电陷阱，该第一类型的电陷阱具有0.383 eV的激活能(容差为0.008 eV)以及小于1×10‑16 ...
    2026-04-23
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法
    半导体装置、半导体装置的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法_株式会社日本显示器_202480055150.4
    半导体装置包括：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，其位于氧化物半导体层与栅电极之间；第一导电层，其与氧化物半导体层连接；第一透明导电层，其设置在比第一导电层更靠上的层，并与氧化物半导体层连接；和与在...
    2026-04-23
  • 锥形内间隔件
    锥形内间隔件_国际商业机器公司_202480058269.7
    晶体管包括一个或多个锥形内间隔件。锥形内间隔件可以包括基部区域，该基部区域延伸或突出超过与栅极的第一侧壁共面的平面。基部区域可以减小栅极的与基部区域相邻的栅极长度。当两个基部区域与同一栅极相关联时，这两个基部区域可以合并，并且可以在栅极与下...
    2026-04-23
  • 抑制交叉开关电路中的随机电报噪声
    抑制交叉开关电路中的随机电报噪声_特忆智能科技_202480049841.3
    本公开提供用于降低和抑制交叉开关电路中随机电报噪声(RTN)的机制。处理设备可以执行编程过程以将交叉开关电路中电阻式随机存取存储器(RRAM)器件编程到目标电导值。然后所述处理设备可确定与所述RRAM器件相关的电报噪声(RTN)值是否在可接...
    2026-04-23
  • 具有不同键合焊盘尺寸的存储器裸片和逻辑裸片的键合组件及其形成方法
    具有不同键合焊盘尺寸的存储器裸片和逻辑裸片的键合组件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580004655.2
    一种半导体结构包括存储器裸片，该存储器裸片包括存储器侧键合焊盘。存储器侧键合焊盘包括电连接到字线或位线中的相应一者的第一类型存储器侧键合焊盘，以及电连接到源极层的第二类型存储器侧键合焊盘。第一类型存储器侧键合焊盘中的每个第一类型存储器侧键合...
    2026-04-23
  • 三维存储装置及其制造方法
    三维存储装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480003318.7
    所公开的存储装置包括下部结构，该下部结构包括：第一堆叠，该第一堆叠包括交替的下部导电层和第一下部电介质层；第二堆叠，该第二堆叠位于第一堆叠的横向侧上并且包括交替的第二下部电介质层和第一下部电介质层；以及下部接触结构，该下部接触结构在第二堆叠...
    2026-04-23
  • 包含接合的逻辑部件和存储器管芯组件的堆叠的高带宽闪存存储器及其形成方法
    包含接合的逻辑部件和存储器管芯组件的堆叠的高带宽闪存存储器及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202580004676.4
    一种形成半导体的方法包括：将第一存储器管芯接合到第一存储器‑控制器管芯以形成第一接合组件；将第二存储器管芯接合到第二存储器‑控制器管芯以形成第二接合组件；以及将第一接合组件接合到第二接合组件以形成存储器堆叠。
    2026-04-23
  • 包括激光束吸收增强结构的半导体器件及其形成方法
    包括激光束吸收增强结构的半导体器件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480060281.1
    在半导体结构上方形成纹理化图案。纹理化图案可以包括包含未活化的掺杂剂的半导体材料，或者可以包括上覆于包含未活化的掺杂剂的半导体材料部分的介电材料。可以通过在纹理化图案上照射激光束来执行激光退火工艺。纹理化图案通过至少一种光学效应增强激光束的...
    2026-04-23
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