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最新专利技术
  • 微电子组件
    微电子组件_隔热半导体粘合技术公司_202512006099.7
    本公开涉及微电子组件。公开了扇出封装的各个实施例。公开了一种形成微电子组件的方法。该方法可以包括：使用无需介入粘合剂的直接粘合技术将至少一个微电子衬底的第一表面粘合到载体的表面，该微电子衬底在微电子衬底的至少一个表面上具有多个导电互连。该方...
    2026-04-20
  • 一种单MOS芯片的CSP封装结构及其封装方法
    一种单MOS芯片的CSP封装结构及其封装方法_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511857641.3
    本发明公开了一种单MOS芯片的CSP封装结构及其封装方法，包括以下步骤：晶圆划片为裸片单元，将裸片倒装贴装，包封裸片并研磨暴露出裸片背面胶层，电镀布线层一将裸片背面电极电性重新布局，包封布线层一；翻转包封整体，裸片正面齐平外露于包封料，在该...
    2026-04-20
  • 半导体管芯堆栈及其形成方法
    半导体管芯堆栈及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511867657.2
    本发明提供一种半导体组件，其包括含衬底穿孔(TSV)的半导体管芯、黏着层和半导体载体衬底。含衬底穿孔(TSV)的半导体管芯包括第一半导体衬底，其中形成衬底穿孔(TSV)结构、第一半导体组件和位于第一半导体衬底前侧的前侧连接焊盘，以及位于第一...
    2026-04-20
  • 2.5D中介层露铜制备工艺和封装结构
    2.5D中介层露铜制备工艺和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202610256286.2
    本申请提供的一种2.5D中介层露铜制备工艺和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该工艺包括：提供具有导电柱的衬底；其中，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，导电柱靠近第一表面的一端凸出衬底的第一表面；衬底具有模组贴装区域和骨架区域。在第一表...
    2026-04-20
  • 一种Glass Core多芯粒封装方法及封装结构
    一种Glass Core多芯粒封装方法及封装结构_合肥沛顿存储科技有限公司_202610254656.9
    本发明公开了一种Glass Core多芯粒封装方法及封装结构。以玻璃芯层作为封装的核心载体，通过在玻璃芯层内部先行实施激光诱导变性，再结合分阶段湿法腐蚀工艺，依次形成通孔和盲孔结构；通过在激光改性后引入裂纹封口钝化处理，有效抑制玻璃微裂纹在...
    2026-04-20
  • 一种用于改善玻璃通孔锥角的碱性湿法蚀刻方法
    一种用于改善玻璃通孔锥角的碱性湿法蚀刻方法_联仕新材料(苏州)股份有限公司_202512048104.0
    本发明公开了一种用于改善玻璃通孔锥角的碱性湿法蚀刻方法，包括以下步骤：以硅酸盐或高铝硅酸盐玻璃作为蚀刻材料，使用有机溶剂和纯水分别对玻璃进行超声清洗预处理，并置于真空干燥箱干燥；采用多脉冲皮秒激光对玻璃基板预设区域进行照射激光改性；放入氢氧...
    2026-04-20
  • 一种混合结构高密度封装基板及其加工方法
    一种混合结构高密度封装基板及其加工方法_无锡中微高科电子有限公司_202512028046.5
    本发明提供一种混合结构高密度封装基板加工方法，包括以下步骤：步骤S1.提供芯板，在芯板内加工通孔，并在通孔内填充铜，以实现两侧布线层连通；步骤S2.在芯板顶部依次进行顶部高密度布线层加工、顶部焊盘加工，并在芯板顶部焊盘侧贴临时键合保护膜；步...
    2026-04-20
  • 一种在集成电路封装基板上制作高精度、高平整度空腔的方法
    一种在集成电路封装基板上制作高精度、高平整度空腔的方法_厦门安捷利美维科技有限公司_202511953112.3
    本发明公开一种集成电路封装基板上制作高精度、高平整度空腔的方法，该方法包括：提供一封装基板，封装基板的至少一重布线结构具有待开空腔区域的介电层，待开空腔区域的介电层的厚度为实际压合的介电层厚度×λ，其中λ≤1；待开空腔区域的介电层的底部具有...
    2026-04-20
  • 一种eMMC基板共模结构的加工方法
    一种eMMC基板共模结构的加工方法_深圳市德明利技术股份有限公司_202511843191.2
    本发明公开了一种eMMC基板共模结构的加工方法，所述eMMC基板共模结构的加工方法包括：确定目标eMMC基板的基准信息；确定样品基板的尺寸信息，并基于目标eMMC基板的尺寸信息进行区域划分；根据区域划分的结果以及所述目标eMMC基板的基准信...
    2026-04-20
  • 一种微孔加工方法和基板
    一种微孔加工方法和基板_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202411391368.5
    本申请提供一种微孔加工方法和基板，涉及半导体技术领域，方法通过利用负压环境浸润待加工基板的空隙区，得到预浸润基板，并且利用腐蚀液腐蚀预浸润基板的空隙区，得到具有微孔的基板。由此，能够在腐蚀过程中，腐蚀液可以利用空隙区内留有的浸润液快速扩散，...
    2026-04-20
  • 电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆
    电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆_重庆小康动力有限公司_202610011067.8
    本申请涉及电机控制器技术领域，公开了一种电机控制器的功率模块及其制备方法、车辆，包括：衬底；正直流母线排及负直流母线排，间隔设置于衬底上；放电电阻，设置于衬底上方，放电电阻分别与正直流母线排连接以及负直流母线排连接；其中，放电电阻用于将功率...
    2026-04-20
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411389379.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：至少两个层叠的晶圆；晶圆包括：衬底、电容结构和导电柱组件；电容结构，至少部分埋入于衬底内，埋入衬底内的部分电容结构沿垂直于衬底的方向延伸；导电柱组件，至少部分埋入于衬底内，...
    2026-04-20
  • 功率模块及电子设备
    功率模块及电子设备_比亚迪股份有限公司_202511621217.9
    本申请实施例提供一种功率模块及电子设备，涉及电子器件技术领域。该功率模块包括：封装体；芯片，芯片封装在封装体的内部；多个端子，端子的一端与芯片电连接，端子的另一端延伸至封装体的外部；绝缘组件，绝缘组件设置在封装体的外部，绝缘组件用于将多个端...
    2026-04-20
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_苏州苏纳光电有限公司_202610236464.5
    本公开至少一实施例提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，该半导体结构包括：层叠设置的半导体层和基底层，其中，所述基底层的电导率小于所述半导体层的电导率，所述基底层的电导率为0 S/m~0.1 S/m，且所述半导体层的电导率为4 S/m...
    2026-04-20
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510260133.0
    本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含第一电路模块及第一屏蔽件。所述第一屏蔽件安置于所述电路模块的侧向侧处，且包含经配置以减少所述第一电路模块与所述第一屏蔽件的寄生耦合的第一开口。
    2026-04-20
  • 芯片及电子设备
    芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411382131.0
    本申请提供一种芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，能够改善标准单元中绕线资源不足的问题。该芯片包括衬底以及设置在衬底上的第一金属层。第一金属层是设置在衬底正面、且最靠近衬底的一个金属层。芯片中包括在第一方向上拼接设置的第一标准单元和第二标准单...
    2026-04-20
  • 一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块
    一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块_深圳市容微新材料有限公司_202512039005.6
    本发明公开了一种三维螺旋结构的集成整流二极管模块，涉及功率半导体器件技术领域，本发明包括单片集成的电学功能单元与热管理单元，所述电学功能单元与热管理单元同轴布置实现电‑热协同优化，具体结构如下：所述电学功能单元包括从下至上依次层叠的衬底层、...
    2026-04-20
  • 一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法
    一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法_哈尔滨工业大学_202512020242.8
    本发明公开了一种基于液态金属高导热填料的合封芯片多维散热结构及其封装方法；属于半导体芯片封装技术领域。本发明要解决传统固态TIM热导率低、均热能力差、界面接触可靠性不足，以及现有液态冷却方案复杂或存在风险等问题。本发明方法包括以下步骤：准备...
    2026-04-20
  • 一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构
    一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构_广东鑫季世锋科技有限公司_202512054450.X
    本发明公开了一种具有过流保护功能的新型半导体器件封装结构，封装结构包括封装壳体、设于所述封装壳体内部的主器件单元、电流采样单元、分级限流单元、通路切换单元、互锁逻辑单元、温度自适应单元及自适应制冷单元；所述主器件单元为半导体功率芯片，其输入...
    2026-04-20
  • 功率模块及其制造方法以及电气系统
    功率模块及其制造方法以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202411375072.4
    本公开涉及功率模块及其制造方法以及电气系统。提供了一种功率模块，包括：由绝缘材料形成的内部冷却装置；第一金属层，设置在所述内部冷却装置的顶表面上；第一芯片，附接在所述第一金属层上，所述第一芯片通过所述第一金属层以及附接在所述第一芯片和所述第...
    2026-04-20
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