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最新专利技术
  • 一种钙钛矿太阳能电池薄膜制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池薄膜制备方法_北京建筑大学_202512038517.0
    本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池薄膜制备方法，将钙钛矿成膜溶液附着在刮制平台上，采用刮刀将其刮平，然后干燥使得溶液的溶剂成分挥发，成形出薄膜，其特征在于，先在刮制平台上待刮制区域上方通入含有钙钛矿成膜溶液中溶剂成分的溶剂蒸汽，形成笼罩待刮制...
    2026-04-12
  • 空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置
    空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置_现象创新(深圳)科技有限公司_202610257149.0
    本申请公开了空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置，属于太阳能电池技术领域。本申请通过采用沸点为200℃‑300℃的第一溶剂和沸点为55℃‑85℃的醇类溶剂作为空穴传输层前驱体溶液的复合溶剂调节溶剂挥发速率和SAM膜层状态，并施...
    2026-04-12
  • 一种FAPbI3钙钛矿活性层制备方法及钙钛矿太阳能电池
    一种FAPbI3钙钛矿活性层制备方法及钙钛矿太阳能电池_中国长江三峡集团有限公司_202610102953.1
    本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种FAPbI3钙钛矿活性层制备方法及钙钛矿太阳能电池。本发明提供的FAPbI3钙钛矿太阳能电池，所述FAPbI3钙钛矿活性层制备时，向FAPbI3钙钛矿活性层前驱液中添加辅助成相材料N, N'‑...
    2026-04-12
  • 太阳能电池组件及其制备方法和太阳能电池
    太阳能电池组件及其制备方法和太阳能电池_苏州国显创新科技有限公司_202511984544.0
    本申请提供了一种太阳能电池组件及其制备方法和太阳能电池。太阳能电池组件的制备方法包括：在第一电极的一侧制备至少一个第一中间光活性层，第一中间光活性层背离第一电极的表面具有至少一个凸出部；在第二电极的一侧制备至少一个第二中间光活性层，第二中间...
    2026-04-12
  • 一种基于干法转移电极工艺的HZO-CNT薄膜晶体管的制备方法
    一种基于干法转移电极工艺的HZO-CNT薄膜晶体管的制备方法_桂林电子科技大学_202511927790.2
    本发明涉及微纳电子器件技术领域，具体涉及一种基于干法转移电极工艺的HZO‑CNT薄膜晶体管的制备方法，采用牺牲基底生长电极以及干法转移电极的方法，首先在长有300nm二氧化硅的硅基衬底上沉积TiN作为栅电极，进一步采用ALD技术形成HZO栅...
    2026-04-12
  • 钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511857842.3
    本申请提供了一种钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件，制备方法包括基于狭缝涂布工艺，在具有第一预设温度的涂布区域制备钙钛矿湿膜，涂布区域被划分为中心区域以及围绕中心区域的边缘区域；将中心区域从第一预设温度升温至第一目标温度，或者，将边缘...
    2026-04-12
  • 一种超高分辨率量子点发光二极管及其制备方法
    一种超高分辨率量子点发光二极管及其制备方法_天津工业大学_202511851322.1
    本发明属于发光二极管技术领域，具体公开了一种超高分辨率量子点发光二极管及其制备方法。器件依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和蒸镀电极。其制备关键在于量子点发光层：在空穴传输层上滴加量子点溶液后，用Hard‑PDMS孔印...
    2026-04-12
  • 一种基于Cu掺杂的铅铜合金钙钛矿吸光层的太阳电池及其制备方法
    一种基于Cu掺杂的铅铜合金钙钛矿吸光层的太阳电池及其制备方法_福建江夏学院_202511652237.2
    本发明提供一种基于Cu掺杂的铅铜合金钙钛矿吸光层的太阳电池及其制备方法，该太阳电池的吸光层为Cu掺杂的铅铜合金钙钛矿薄膜Cs0.05MA0.10FA0.85Pb1‑xCuxI3，该铅铜合金钙钛矿薄膜的制备方法如下：将甲脒氢碘酸盐、甲胺氢碘酸...
    2026-04-12
  • 一种提高钙钛矿太阳能电池中自组装分子材料密度的方法及应用
    一种提高钙钛矿太阳能电池中自组装分子材料密度的方法及应用_极电光能有限公司_202411382251.0
    本发明提供了一种提高钙钛矿太阳能电池中自组装分子材料密度的方法及应用，涉及光伏技术领域。具体而言，在空穴传输层的表面形成自组装分子层的同时，对自组装分子材料进行激光照射处理，得到表面锚定所述自组装分子材料的所述空穴传输层。本发明能够有效解决...
    2026-04-12
  • 钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿器件
    钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿器件_极电光能有限公司_202411369901.8
    本发明公开了钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿器件。制备钙钛矿薄膜的方法包括：在基底的一侧涂布钙钛矿溶液，形成钙钛矿涂层，所述钙钛矿溶液包括钙钛矿前驱体、式1化合物和溶剂，R为碳原子个数为2～10的烷基；对所述钙钛矿涂层进行退火处理，得到钙钛矿...
    2026-04-12
  • 基于双极性载流子势垒构建降低NIR-OPD暗电流的方法和NIR-OPD器件
    基于双极性载流子势垒构建降低NIR-OPD暗电流的方法和NIR-OPD器件_长沙理工大学_202512047475.7
    本发明公开的基于双极性载流子势垒构建降低近红外有机光电探测器(NIR‑OPD)暗电流的方法和NIR‑OPD器件，属于有机半导体薄膜近红外光电探测器技术领域。双极性载流子势垒的构建通过调节阳极界面层能级结构实现，将15 mg/ml的含有Cu或...
    2026-04-12
  • 一种钙钛矿-晶硅叠层组件及制备方法
    一种钙钛矿-晶硅叠层组件及制备方法_仁烁光能(苏州)有限公司_202512039896.5
    本发明涉及叠层太阳能组件技术领域，具体公开了一种钙钛矿‑晶硅叠层组件的制备方法，包括如下步骤：制备晶硅组件，包括：将封装玻璃、第二层封装胶膜、晶硅电池串、第三层封装胶膜及背板玻璃进行第一次堆叠设置，所述第二层封装胶膜和背板玻璃上开设有第一开...
    2026-04-12
  • 一种降低ZnMgO电子传输层缺陷的方法及其在制备蓝光QLED中的应用
    一种降低ZnMgO电子传输层缺陷的方法及其在制备蓝光QLED中的应用_中国科学院广州能源研究所_202511992182.X
    本发明公开了一种降低ZnMgO电子传输层缺陷的方法及其在制备蓝光QLED中的应用。一种降低ZnMgO电子传输层缺陷的方法，采用ZnCl2水溶液处理ZnMgO电子传输层前驱体溶液，所述的ZnCl2水溶液的浓度为5‑15 mg/mL，ZnMgO...
    2026-04-12
  • 一种基于甲酸锂多晶型转变调控光伏电池界面的方法
    一种基于甲酸锂多晶型转变调控光伏电池界面的方法_黄山学院_202511912189.6
    本发明公开了一种基于甲酸锂多晶型转变调控光伏电池界面的方法，是以甲酸锂作为界面调控剂，通过热激活工艺和退火工艺在电子传输层和钙钛矿吸收层之间形成包含单斜相结构在内的多晶型埋底界面层。本发明的界面调控方法简单，经本发明方法调控的光伏电池具有钙...
    2026-04-12
  • 显示模组制备方法、复合胶带及显示模组
    显示模组制备方法、复合胶带及显示模组_广州国显科技有限公司_202511856035.X
    本申请提供一种显示模组制备方法、复合胶带及显示模组，本申请提供的显示模组制备方法，其复合胶带中，保护膜包括本体部和待撕除部，本体部和待撕除部之间设置有裁切线，并通过未裁断点连接，避免待撕除部在撕除前脱落；待撕除部的边缘相对于胶带本体外扩设置...
    2026-04-12
  • 基于纳米孔修饰介电聚合物分子单层实现的漏斗二极管
    基于纳米孔修饰介电聚合物分子单层实现的漏斗二极管_南京大学_202511705700.5
    本发明涉及一种基于纳米孔修饰介电聚合物分子单层实现的漏斗二极管，涉及半导体器件技术领域。该漏斗二极管的制备方法包括：通过双交联处理形成三层PVP介电膜，利用软纳米压印技术在其表面构建纳米孔阵列，形成聚合物纳米介电层；随后依次沉积有机半导体层...
    2026-04-12
  • 钙钛矿薄膜电池膜层的制备方法及钙钛矿薄膜电池
    钙钛矿薄膜电池膜层的制备方法及钙钛矿薄膜电池_极电光能有限公司_202411377141.5
    本发明涉及钙钛矿薄膜电池技术领域，具体而言，涉及一种钙钛矿薄膜电池膜层的制备方法及钙钛矿薄膜电池。本发明提供一种钙钛矿薄膜电池膜层的制备方法，包括：提供含有钙钛矿膜层的衬底，并采用磁控溅射的方式在所述钙钛矿膜层的表面上依次制备多个后序膜层；...
    2026-04-12
  • 显示面板及其薄膜封装方法、显示装置
    显示面板及其薄膜封装方法、显示装置_武汉天马微电子有限公司上海分公司_202512058304.4
    本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其薄膜封装方法、显示装置。显示面板的薄膜封装方法包括：获取待打印衬底的3D形貌数据，生成3D形貌图；基于3D形貌图，生成打印网格，其中，打印网格包括墨滴落点坐标和墨滴体积；基于打印网格规划喷嘴的...
    2026-04-12
  • 显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法
    显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法_三星显示有限公司_202511395589.4
    本公开涉及显示设备、包括其的电子装置以及制造显示设备的方法。显示设备可以包括：衬底；第一电极，在衬底上方(例如，在衬底上)；第二电极，与第一电极相对(例如，面对第一电极)；以及中间层，在第一电极和第二电极之间并且包括有机发光层，其中，第一电...
    2026-04-12
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202511236090.9
    本公开的实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够通过将向子像素供应信号的信号线与发光器件的像素电极布置在同一平面上来减少外部光反射的显示装置，该显示装置包括：基板；第一信号线，在基板上并且沿第一方向延伸；外涂层，在第一信号线上；像素电...
    2026-04-12
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