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最新专利技术
  • TBC太阳能电池及制备方法
    TBC太阳能电池及制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202511060716.5
    本申请公开了一种TBC太阳能电池及制备方法，涉及光伏电池技术领域。TBC太阳能电池包括N型基体硅，所述N型基体硅的背光面包括交替设置的N型区域和P型区域；在所述N型区域内，从所述N型基体硅的背光面向外依次包括第一隧穿层、第一N型掺杂硅层、第...
    2026-04-11
  • 双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统
    双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511934067.7
    本申请涉及一种双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统。结构包括：正向触发电路，用于在发生正向ESD事件时开启，对正向瞬态电压进行分压，以使泄放双向开关的栅极在设定的正向瞬态电压下开启；反向触发电路，用于在发生反向ESD事件时开启，对反向...
    2026-04-11
  • 集成电路器件
    集成电路器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744304.3
    本发明的实施例提供了一种集成电路器件，其为可以与GaN高电压器件集成的保护电路，包括由串联连接在信号输入和参考输入之间的正向触发的场效晶体管(FET)和反向触发的FET所组成的主要放电路径。包含正向整流器的第一分压器网络和包含反向整流器的第...
    2026-04-11
  • 用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法
    用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法_意法半导体国际公司_202511340260.8
    本公开涉及用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法。一种电子装置包括电路模块和保护模块。该电路模块包括位于参考端子和电节点之间的P‑N结，以及耦合到电节点并且被配置为因天线效应而被充电的金属连接线。该保护模块包括HV晶...
    2026-04-11
  • 有源矩阵基板以及显示装置
    有源矩阵基板以及显示装置_夏普显示科技株式会社_202511323543.1
    提供一种具备特性互不相同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板及显示装置。有源矩阵基板具备基板以及多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有氧化物半导体层、下部栅极电极以及上部栅极电极，该氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域和漏极...
    2026-04-11
  • 半导体结构、以及半导体器件结构
    半导体结构、以及半导体器件结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764735.6
    根据本发明的半导体结构包括：第一隔离结构；第一底部晶体管；第二底部晶体管，沿着方向设置在第一隔离结构与第一底部晶体管之间；第一顶部晶体管，设置在第一隔离结构上方；第二隔离结构，位于第一底部晶体管上方；和第二顶部晶体管，位于第二底部晶体管上方...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510447370.8
    一种半导体装置，包括：晶体管，在基底上，晶体管包括导电图案；第一金属层，在晶体管上，第一金属层包括第一布线线路和在第一布线线路下方的第一过孔；以及蚀刻停止层，在晶体管与第一金属层之间。第一过孔穿透蚀刻停止层，并且第一过孔连接导电图案和第一布...
    2026-04-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510868170.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个纳米结构、第一外延结构、第二外延结构、栅极结构、多个内部间隔件和多个硅基帽盖层。多个纳米结构可以设置在彼此之上并且彼此间隔开。第一外延结构和第二外延结构可以分别耦合到多个纳米结构中的...
    2026-04-11
  • 可控硅的结构、制造方法及电子设备
    可控硅的结构、制造方法及电子设备_深圳市国微电子有限公司_202511789912.6
    一种可控硅的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，第一阱区和第二阱区在衬底内的上表面设置；第一有源区和第二有源区在第一阱区内的上表面间隔设置；第三有源区和第四有源区在第二阱区内的上表面相邻设置；第五有源区与第四有源区间隔设置；第六有...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510181750.1
    一个实施例提供了一种包括具有各种半导体层的沟槽结构的半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括制备包括半导体部分的结构体，在所述结构体中形成有沟槽。所述沟槽沿第一方向延伸。所述方法包括在所述结构体的上表面和所述沟槽的表面形成掺杂玻璃薄...
    2026-04-11
  • 一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件
    一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件_上海光通信有限公司_202411311806.2
    本申请公开一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，在衬底形成第一伪栅结构、第一源漏结构、第二伪栅结构和嵌有应变材料的第二源漏结构后，第二伪栅结构的高度小于所述第一伪栅结构的高度，对第一伪栅结构进行高度削减，直到第...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411296942.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供初始半导体结构，包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、位于衬底上的隔离结构以及覆盖鳍部和隔离结构的虚设栅极层，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁；刻蚀虚设栅极层，以形成第一凹槽和第二凹槽；第一凹...
    2026-04-11
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备_北京知识产权运营管理有限公司_202411265479.1
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相较于第一有源结构远离衬底，第二有源结构是进行离子注入的；在第二有源结构的第一区域上外...
    2026-04-11
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764731.8
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成半导体层堆叠件，该半导体层堆叠件具有位于下部沟道层上方的上部沟道层，实施蚀刻工艺以使下部沟道层横向地凹进，而基本不蚀刻上部沟道层，形成耦合至凹进的下部沟道层的第一源极/漏极部件，以...
    2026-04-11
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764729.0
    本公开提供了用于在堆叠的多栅极器件结构中集成高κ介电材料以改进热导率的方法。根据本公开的方法包括：形成第一多栅极器件结构，在衬底上方沉积高κ介电层，在第一多栅极器件结构上方接合高κ介电层，在接合高κ介电层之后，去除衬底，图案化高κ介电层以形...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511753799.6
    方法包括提供结构，结构包括衬底和从衬底突出的鳍形结构，在衬底上方形成隔离结构和其上的保护层，并且隔离结构和保护层与鳍形结构的侧壁相邻，在鳍形结构的源极/漏极区域上生长源极/漏极部件，在源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)，在CE...
    2026-04-11
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511753793.9
    本公开实施例的一个方面涉及方法。方法包括在衬底上方形成堆叠半导体器件，堆叠半导体器件具有位于底部晶体管上方的顶部晶体管。第一层间介电(ILD)层垂直设置在顶部晶体管和底部晶体管之间。方法包括穿过顶部晶体管的顶部源极/漏极(S/D)部件并且穿...
    2026-04-11
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511730887.4
    本申请实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括：形成下部源极/漏极区域；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域；在上部源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；以及在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质。该方法还包括：使层间电介质凹进以形成...
    2026-04-11
  • 一种芯片以及电子设备
    一种芯片以及电子设备_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511958720.3
    本发明提供一种芯片以及电子设备，本发明提供的芯片包括封装基板、逻辑层和中介层，中介层设置于所述封装基板和所述逻辑层之间；其中，所述封装基板包括第一电源模块，所述逻辑层包括第二电源模块，所述中介层包括若干硅通孔，所述硅通孔连接所述第一电源模块...
    2026-04-11
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510471544.4
    一种半导体封装件包括：第一再分布结构；第一小芯片，所述第一小芯片位于所述第一再分布结构上；第二小芯片，所述第二小芯片位于所述第一再分布结构上并且在与所述第一再分布结构的表面平行的水平方向上邻近所述第一小芯片；第二再分布结构，所述第二再分布结...
    2026-04-11
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