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  • 本发明属于塑料电子封装技术领域,具体涉及一种防止功率器件封装分层的封装工艺。包括以下步骤:将芯片焊接在引线框架上;将焊接好芯片的引线框架进行等离子清洗;将硅烷偶联剂和稀释剂混合均匀,得到胶液;调试喷胶头高度、喷胶路径与喷胶速度,使硅烷偶联剂...
  • 一种用于芯片封装的高精度压框封装方法及其应用,其包括如下步骤:步骤S1、提供DAM基材,步骤S2、在DAM基材的底面复合DAF胶膜形成DAM复合材料层;步骤S3、在DAM复合材料层上锣芯片容置孔,所述芯片容置孔自上向下同时贯穿DAF胶膜及D...
  • 本申请公开了一种芯片封装结构及制备方法,涉及芯片封装技术领域,包括:提供基板,在基板的第一表面形成凸台;在凸台的顶面形成桥接线路,桥接线路与凸台构成桥接芯片;在桥接线路的表面上形成多个第一导电柱,在凸台四周刻蚀后的第一表面上形成多个第二导电...
  • 本发明公开了一种集成电路板封装装置,包括机架及其上端的箱体,箱体上设有烘干结构、注胶结构,所述轴杆上设有旋转架,所述短轴上设有螺旋槽,所述短轴上设有套管且内壁设有位于螺旋槽内的凸起,所述套管上设有位于导向槽内的活动架,所述轴杆驱动旋转架旋转...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法与测温方法,该制备方法包括步骤:提供一预封装结构,预封装结构包括至少一个芯片及包裹芯片的封装层,在芯片上表面选定设有目标测试位点的预设区域,形成显露出预设区域的开口,形成引出槽于封装层表层,形成绝缘层于...
  • 本发明公开了一种多次成型塑封的方法,将贴附好芯片die的载板进行一次成型,在载板上获得一次成型后的EMC晶圆塑封体;利用模具对一次成型后的EMC晶圆塑封体进行二次成型;根据工艺流程所需的塑封次数,利用模具重复成型步骤,获得最终的EMC晶圆塑...
  • 本申请涉及一种塑封成型中基板的矫正方法,包括如下步骤:将基板放置于下模板上,下模板内抽真空将基板吸附固定;上模板朝向下模板的方向运行,触发了行程开关组件,行程开关组件将开关信号传递给控制线路,计时开始;控制线路关闭真空继电器,打开压缩气电磁...
  • 本申请提供了一种器件灌胶界面防脱粘结构和工艺方法,当所述挡圈部的外侧端面与所述灌胶口的端面齐平时,位于所述挡圈部外侧端面的胶液边缘至所述灌胶口的外侧边缘具有间隔距离,且所述挡圈部的内侧边缘至所述胶液边缘的距离大于所述挡圈部的内侧边缘至所述灌...
  • 半导体器件和制作芯片级封装的方法。半导体器件具有半导体晶片。在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间通过半导体晶片的有源表面形成沟槽。在沟槽中沉积密封剂。使用粗研磨机对半导体晶片的与有源表面相对的背表面进行背面研磨以暴露密封剂。使用细研磨机对半...
  • 本发明涉及功率半导体封装技术领域,具体地涉及一种用于功率芯片封装的低应力互联结构及结构制造方法。包括:功率芯片,功率芯片具有至少一个大电流输出端面;无铅焊料层,无铅焊料层设置于功率芯片的大电流输出端面上;铜钼铜复合金属片,铜钼铜复合金属片通...
  • 本发明涉及半导体封装与集成电路制造技术领域,属于金属丝键合中超声焊接领域,公开了一种有机基板上的金丝高强度键合结构及方法,该结构包括芯片、键合金丝以及基板;所述键合金丝的一端焊接在芯片上,键合金丝的另一端焊接在基板上,其中键合金丝在基板的焊...
  • 本发明提供了一种功率模块、电气连接装置、电控总成和车辆,功率模块包括第一连接端子和第二连接端子,第一连接端子包括第一连接部和第二连接部,第一连接部沿第一方向设置,第二连接部连接于第一连接部沿第一方向的端部,第二连接部沿第二方向设置,第一连接...
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种基于混合键合的器件及其键合方法。包括:两个衬底,分别为第一衬底和第二衬底,所述第一衬底与所述第二衬底相互靠近的端面上均设置有多个铜互连盘,分别为第一铜互连盘、第二铜互连盘,相对应的所述第二铜...
  • 本公开的实施例可以提供一种半导体装置,包括:第一芯片,包括第一键合焊盘和第一绝缘层;以及第二芯片,设置在第一芯片上,并且包括第二键合焊盘和第二绝缘层,该第二键合焊盘键合到第一键合焊盘,该第二绝缘层键合到第一绝缘层,其中,第一绝缘层和第二绝缘...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高半导体器件的性能。半导体结构包括:第一导电柱、第一连接垫和第二导电柱。第一导电柱沿半导体结构的厚度方向延伸。多个第一导电柱间隔排布。第一连接...
  • 本申请公开了一种键合结构及其制备方法,键合结构包括第一导电层;位于所述第一导电层上的介质叠层;以及位于介质叠层中的第二导电层;其中,所述第二导电层包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分的顶部连接在一起,所述第一部分的顶部表面、所...
  • 本发明提出了一种超声场辅助的芯片封装低温热压烧结方法,属于半导体封装制造领域。解决传统热压烧结因高温高压易损伤芯片且对易氧化材料烧结效果不佳的问题。所述方法包括在待连接工件间涂敷烧结浆料,启动热压烧结装置的加热装置,将形成预制烧结层的工件转...
  • 本发明提出了一种用于芯片封装的超声辅助热压烧结装置及其烧结方法,属于半导体封装制造领域。解决传统芯片封装方法中因高烧结温度和压力而容易导致芯片热应力损伤、机械应力隐裂以及铜颗粒氧化层阻碍致密化的问题。包括机架、总控制箱、伺服电机机构、压力施...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体地说是一种基于研磨暴露线弧的芯片三维互连封装方法,将至少两颗芯片固定于基板上,芯片之间设有固定间距,在基板和芯片上分别形成高于芯片表面的U形金属线弧;采用低应力环氧模塑料对芯片、基板、U形金属线弧进行塑封后...
  • 本申请公开了一种功率模块的封装方法,包括:提供第二基板,所述第二基板上安装有半导体芯片;提供转接板;将焊球置于所述第二基板和所述转接板之间;焊接所述第二基板与所述转接板,使所述半导体芯片和所述第二基板与所述转接板电连接。本申请通过转接板实现...
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