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最新专利技术
  • 小基板的制备方法
    小基板的制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610186517.7
    本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于小基板的制备方法。步骤：将小基板通过第一释放层放置在第一基底上，在第一释放层上用模塑料包裹小基板和填充小基板之间的间隙，形成塑封层，在塑封层形成多个通孔暴露出小基板的局部表面，在通孔上制作出凸点，在凸...
    2026-03-25
  • 封装基板铜柱结构及其制造方法
    封装基板铜柱结构及其制造方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202610195277.7
    本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种封装基板铜柱结构及其制造方法，制造方法包括以下步骤：S1、使用mSAP工艺完成线路基板制作；S2、选取线路基板的上表面或线路基板的下表面作为待长铜柱面，并在待长铜柱面进行铜柱生长制作；S3、在线路基板的...
    2026-03-25
  • 一种玻璃通孔基板及其制备方法
    一种玻璃通孔基板及其制备方法_盛青永致半导体设备(苏州)有限公司_202610186581.5
    本发明公开了一种玻璃通孔基板及其制备方法。该制备方法包括：S1、提供具有通孔的玻璃衬底，玻璃衬底具有相反的第一面和第二面，通孔自第一面贯通至第二面；S2、提供支撑板，支撑板通过可分解粘合剂覆设有第一金属层；S3、将玻璃衬底的第一面和支撑板上...
    2026-03-25
  • 一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法
    一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法_青岛理工大学_202511968432.6
    本发明涉及增材制造技术领域，尤其是一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法，采用电场驱动喷射沉积微纳3D打印技术，按照设定打印模式及工艺参数在基板上先后打印第一层介质层和由导电浆料打印形成的第一层电路图形；然后继续打印第二层介质...
    2026-03-25
  • 一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法
    一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法_天津津航计算技术研究所_202511876862.5
    本申请提供一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法，包括：在器件的焊端预置焊料，其中，对器件的底部散热焊盘与信号焊盘预置不同量的焊料；控制施加至器件焊端的助焊剂量；将预置焊料并施加助焊剂后的器件贴装至印制板组件上，并进行回流焊接。本申请提供...
    2026-03-25
  • 一种高平整度的封装载板的制作方法及其封装载板
    一种高平整度的封装载板的制作方法及其封装载板_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511854088.8
    本发明公开了一种高平整度的封装载板的制作方法，包括以下步骤：临时基板表面处理，选择临时基板，对其表面进行化学活化处理；电镀导通层，在临时基板表面进行电镀，形成若干个铜柱结；填充介电材料，在临时基板的表面填充介电材料，使铜柱和介电材料形成介电...
    2026-03-25
  • 一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法
    一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法_广东工业大学_202511849026.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法，包括如下步骤：A、准备玻璃晶圆，并对玻璃晶圆进行清洗处理；B、采用点激光对清洗处理后的玻璃晶圆的目标区域进行激光加工，形成预设刻蚀补偿结构；C、将经过激光...
    2026-03-25
  • 埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置
    埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置_深南电路股份有限公司_202511832662.X
    本发明公开了一种埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置。本发明实施例的埋入式芯片封装方法包括如下操作：在基板上设置通孔；将芯片埋设于所述通孔内，所述芯片朝向所述通孔的两侧开口的端面均设置有电连接部；在所述基板厚度方向上的两侧面均覆盖...
    2026-03-25
  • 一种自修复芯片及其制备方法
    一种自修复芯片及其制备方法_深圳市北测检测技术有限公司_202511829593.7
    本申请公开了一种自修复芯片及其制备方法，制备方法包括：对玻璃基板进行初步蚀刻处理和激光刻蚀处理，得到具有流道网络的基板；将氧化物合金与引发剂进行混合形成核芯浆料，对核芯浆料进行脉冲激光沉积处理，形成具有内层和外层包覆的胶囊结构；在真空环境下...
    2026-03-25
  • 封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板
    封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511808915.X
    本申请实施例提供一种封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板，包括：提供一封装基板和干膜，所述干膜的宽度被配置为超出所述封装基板单边0.5mm；将所述封装基板放入贴膜设备，通过定位系统对所述封装基板进行定位后，将所述封装基板移动至预贴膜起始点；...
    2026-03-25
  • 制造电子器件的方法
    制造电子器件的方法_意法半导体国际公司_202511211958.X
    本公开涉及制造电子器件的方法。一种方法包括：提供被分离层、种子层、具有开口的树脂层覆盖的支撑衬底；穿过开口，通过沉积焊料层、铜柱和可选的金层来形成互连元件；去除树脂并蚀刻种子层的未被覆盖的部分；将互连元件组装到组件，该组件包括衬底，在该衬底...
    2026-03-25
  • 金属布线基板的制造方法
    金属布线基板的制造方法_东京应化工业株式会社_202511192738.7
    本发明涉及金属布线基板的制造方法。课题是提供金属布线基板的制造方法，金属布线基板中使用化学增幅型感光性组合物在基板上形成的金属布线被绝缘膜所被覆，能够在绝缘膜上进一步设置其他构件，金属布线基板的制造方法能够抑制基板与绝缘膜之间的金属布线的氧...
    2026-03-25
  • 一种封装基板及其制作方法
    一种封装基板及其制作方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411267043.6
    一种封装基板及其制作方法，该制作方法包括：于第一基板的至少一表面上形成线路干膜；于线路干膜的侧表面上形成与第一基板连接的第一线路层，第一线路层具有第一间隙和第二间隙，线路干膜位于第一间隙；于第一线路层远离第一基板的表面上压合第二基板，第二基...
    2026-03-25
  • 背面供电的芯片封装结构及其制备方法
    背面供电的芯片封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411266165.3
    本发明提供了一种背面供电的芯片封装结构及其制备方法，首先，于第一布线层布置第一屏蔽层，于第二布线层中布置第二屏蔽层，于背面供电的芯片单元周围布置金属屏蔽栏，使得所述背面供电的芯片单元周围形成六面体电磁屏蔽的高密度封装结构，降低了封装结构中的...
    2026-03-25
  • 背面供电的芯片封装结构及其制备方法
    背面供电的芯片封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411265019.9
    本发明提供一种背面供电的芯片封装结构及其制备方法，通过于支撑衬底的第一表面开槽形成第一导热件，后布置导热布线层连接所述第一导热件，后依次布置第一布线层、多个背面供电的芯片单元、塑封层、第二布线层及金属凸块，后于所述支撑衬底的第二表面开槽形成...
    2026-03-25
  • 陶瓷金属基板及其制造方法
    陶瓷金属基板及其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202411198899.2
    本发明公开一种陶瓷金属基板及其制造方法，包括：提供陶瓷基板；实施第一选择性上镀作业，包含基于第一图形屏蔽的第一选择性上镀区域于陶瓷基板的表面上形成凸出设置的至少一电极金属结构；其中，至少一电极金属结构的远离于陶瓷基板的外层为一薄金层，且薄金...
    2026-03-25
  • LQFP144pin高精密引线框架生产线制造方法
    LQFP144pin高精密引线框架生产线制造方法_宁波康迪普瑞模具技术有限公司_202511581472.5
    本发明提供了LQFP144pin高精密引线框架生产线制造方法，属于高精密引线框架制造技术领域，包括步骤：S1：对铜合金带材进行冲压；S2：对产品进行清洗退火；S3：对产品进行切片；S4：对产品进行表面电镀；S5：对产品表面粗糙化处理，对产品...
    2026-03-25
  • 裸片结构以及应用其的取片方法
    裸片结构以及应用其的取片方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511734593.9
    本发明提供一种裸片结构以及用于该裸片结构的取片方法，包括：在裸片结构的规划区域设置虚设区域和包绕虚设区域的器件区域，在虚设区域设置虚设焊盘，裸片结构的正面倒装在粘性膜上，其中取片装置从粘性膜下面向虚设焊盘施力以将裸片结构顶起，由此可以避免取...
    2026-03-25
  • 包括故障检测电路的半导体器件
    包括故障检测电路的半导体器件_三星电子株式会社_202511258270.7
    一种包括故障检测电路的半导体器件，包括：第一结构，包括第一测试焊盘；第二结构，设置在第一结构上, 并且包括分别与第一测试焊盘相对应并且与第一测试焊盘形成测试焊盘链的第二测试焊盘；第一端子，连接到测试焊盘链的一端；多个故障检测电路，连接到测试...
    2026-03-25
  • 一种混合基晶圆级封装过渡互连结构
    一种混合基晶圆级封装过渡互连结构_电子科技大学_202511549881.7
    本发明属于半导体封装技术领域，具体提供一种混合基晶圆级封装过渡互连结构，用以解决传统封装技术在高频信号传输、散热效率和机械可靠性等方面的技术瓶颈。本发明采用改良型接地共面波导结构作为主要水平互连，通过优化介质层材料和导体几何参数实现精准阻抗...
    2026-03-25
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