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  • 一种硅碳复合材料、负极极片及二次电池,硅碳复合材料包括单质硅和氮化硅,硅碳复合材料满足:2≤α≤3,α值表示ISi2p和IN1s的峰强比值,ISi2p和IN1s分别为硅碳复合材料的X射线光电子能谱在103±0.5eV和399±0.5eV处的...
  • 本发明的一个实施例提供了一种硅复合负极材料。根据本发明的一个实施例,适用于锂二次电池的负极材料由包围硅纳米颗粒的多组分硅化物基体(Silicide matrix)构成,该基体在硅的体积膨胀过程中起到缓冲作用。此外,通过在所述多组分硅化物基体...
  • 提高放电容量。电池具备:正极;负极,具有包含负极活性物质的负极活性物质层和具有绝缘性的粒子;以及电解质层,包含固体电解质。负极活性物质层具有位于电解质层侧的第一主面、和位于与第一主面相对的一侧的第二主面。负极活性物质层中负极活性物质从第一主...
  • 本公开的技术理念提供了一种电极处置设备,所述电极处置设备包括:保持器,所述保持器包括配置为支撑其上卷绕有电极片的卷轴的侧部的保持块,并且所述保持器配置为旋转所述卷轴,使得所述电极片从所述卷轴解绕;切割器,所述切割器配置为切割所述电极片的从所...
  • 锂表面、特别是用于二次电池的阳极的锂表面的处理方式为:将具有由锂制成的表面的材料幅材(3)从第一卷(4)退绕,在保护气体的作用下使材料幅材经受激光辐射,并将该材料幅材卷绕到另一卷(5)上。
  • 等离子体处理装置100具有:载台20,供零件供给体TW载置,所述零件供给体TW在装设在环R的片T贴附有经单片化为电子零件E的晶片W;腔室11b,供载台20设置,能够对内部进行减压;气体导入口30,向经减压的腔室11b内导入反应气体;等离子体...
  • 本申请涉及一种高压接触器(10)或高压继电器,其包括:电磁致动器(112),其具有设置在线圈骨架(116)上的线圈(114)和可动电枢(122);壳体(58),其具有致动器壳体部件(60)和致动器壳体盖(80),致动器(112)布置在该壳体...
  • 温度限制装置包括外部容器(2),该外部容器(2)限定了杯状壳体(3),该杯状壳体由盖(4)封闭,在该杯状壳体内部以叠置形式布置有弹簧卡扣式盘状件(6)和双金属盘状件(7)。外部容器(2)的盖(4)和弹簧卡扣式盘状件(6)分别一体式承载固定接...
  • 提供开关装置。检测部(11)能够对用户的用于使被控制装置执行所希望的动作的指示输入进行检测。缓冲层(12)覆盖检测部(11)。缓冲层(12)具备:具有第一柔软性的第一部分(121)和具有比该第一柔软性高的第二柔软性的第二部分(122)。第二...
  • 本发明提供一种能够应对更大电流的层叠陶瓷电子部件。本发明涉及的层叠陶瓷电子部件(100)具备层叠陶瓷电容器和接合电极(40),层叠陶瓷电容器具备:层叠体,具有在层叠方向上相对的第1主面(12a)以及第2主面(12b)、在与层叠方向正交的第1...
  • 导体内置电路基板包括:基材,其具有第1面、在厚度方向上位于与第1面相反的那一侧的第2面、在厚度方向上延伸的贯通孔;第1配线层,其配置于基材的第1面;第2配线层,其配置于基材的第2面;以及第1导体和第2导体,其配置于贯通孔内,分别在厚度方向上...
  • 本发明容易调整为所期望的漏电感值,防止线圈卷绕区域的狭小化。具备:第一及第二磁芯(未图示),它们以使三个腿部的前端部相互面对面的方式将中腿部分别插入绕线管(4)的中空部(42C)而组合;以及环状的第三磁芯(3),其根据与上述两个磁芯的位置关...
  • 本公开提供一种离子传导性物质,其中,含有碱金属元素、4价的金属元素及5价的金属元素中的至少一者即金属元素M、卤族元素、2价金属元素D及氧元素,于在25℃下使用CuKα射线进行测定而得到的X射线衍射图中,在2θ角为5~20°的范围内具有半值宽...
  • 本发明公开了一种用于控制辐照束发射设备(2)的运行效率的控制设备(1),其中,所述辐照束发射设备(2)包括:真空室(13)、被配置为在加热时通过热电子效应发射电子的灯丝(4)、第一导电体(6)和第二导电体(5),所述灯丝(4)、第一导电体(...
  • 信息处理系统包含用于被护理者的护理的第一设备、与第一设备协作使用的第二设备、以及服务器系统,服务器系统存储将协作使用的多个设备建立了关联的关联信息,第一设备在获取到表示护理的开始的触发信息的情况下,向基于关联信息判定为协作对象设备的第二设备...
  • 本发明涉及一种用于制备真菌生物质的方法,所述方法包含根据真菌生物质培养的条件培养至少一种真菌菌株的步骤,其中所述真菌生物质的特征在于目标特性,其中所述方法进一步包含预测如何培养所述真菌生物质以实现所述目标特性,并且涉及预测方法。本发明进一步...
  • 提供了一种纠错码(ECC)测试系统和方法,其优选地在加电时、工作负载被处理之前测试ECC逻辑的故障。如果该ECC逻辑未通过测试,则优选地发出指示该ECC逻辑存在故障的中断,并且在该系统的状态寄存器中报告对应的ECC故障特征作为综合系统报告的...
  • 半导体器件的制造方法、存算装置及电子设备被公开。该半导体器件的制造方法包括:形成第一结构层;在第一结构层上形成第一层间介质层;以及,在第一层间介质层上形成第二结构层。形成第一结构层包括形成第一晶体管阵列、第一导电线和第二导电线。形成第二结构...
  • 本公开提供了用于存储器系统的在维持对存储器的所有内容的访问的同时,支持降低存储器模块中的功率消耗的高效模式的系统、方法和设备。在第一方面,一种方法包括:由存储器模块在第一操作模式下通过第一子信道将存储在第一多个存储体中的第一数据传达到主机设...
  • 本申请实施例提供一种存储器装置、存储器系统、存储器控制器及操作方法,其中,存储器装置包括:存储位数为多位的存储单元,预设个数的存储单元形成一个码字,多个存储位分别对应多页;至少部分页对应多阶,多阶包括第一阶和第二阶,第二阶的读取电压小于第一...
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