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最新专利技术
  • 一种三维石墨烯薄膜光电探测器的制备方法及系统
    一种三维石墨烯薄膜光电探测器的制备方法及系统_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202511683438.9
    本发明属于半导体光电集成技术领域，公开了一种三维石墨烯薄膜光电探测器的制备方法，本发明三维石墨烯薄膜保有石墨烯零带隙高吸光的特性，具有宽光谱吸收特性，可以实现从紫外至红外至微波段的有效吸收。三维石墨烯薄膜具有粗糙的表面和三维多孔的内部结构，...
    2026-03-11
  • 光伏组件层压方法及光伏组件
    光伏组件层压方法及光伏组件_通威太阳能(盐城)有限公司_202511666149.8
    本申请涉及一种光伏组件层压方法及光伏组件。光伏组件层压方法包括以下步骤：S110 : 将光伏组件送入层压机进行层压；S120 : 检测出料平台是否堵料；S130 : 若是，则分阶段对所述层压机的上室进行抽真空，并对层压机的下室进行充气，以逐...
    2026-03-11
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511493089.4
    本申请涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：硅衬底，所述硅衬底的背面包括交替排布的第一区域和第二区域；第一介质层，所述第一介质层位于所述第一区域；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第一介质层背离所述硅衬底的一侧...
    2026-03-11
  • 一种串焊机
    一种串焊机_无锡奥特维科技股份有限公司_202511424072.3
    本发明提供了一种串焊机，包括电池片上料装置、焊带牵引装置、焊接输送装置及焊接装置；电池片上料装置包括两个拾取机构，拾取机构均包括移动机构、电池片拾取部和工装拾取部，电池片拾取部和工装拾取部并排安装在移动机构的驱动端，电池片拾取部包括吸盘组件...
    2026-03-11
  • 一种超轻大电流控制的光控节点及其制备方法
    一种超轻大电流控制的光控节点及其制备方法_中国计量大学_202511675934.X
    本发明涉及一种超轻大电流控制的光控节点及其制备方法，属于光电子器件领域。所述光控节点的微电路元器件包括MOSFET器件、光电二极管器件和电阻器件。通过微型化设计实现微型尺寸和超轻重量，具有安培级承载能力和纳秒级响应速度。制备方法采用引线键合...
    2026-03-11
  • 光量子计算机、探测装置及其制备方法
    光量子计算机、探测装置及其制备方法_上海图灵智算量子科技有限公司_202610078580.9
    本申请一实施例提供一种光量子计算机、探测装置及其制备方法。探测装置包括波导组件和多个单光子探测器。波导组件用于引导和传输光信号。多个单光子探测器用于接收光信号，多个单光子探测器包括多个并排设置的单光子探测器本体，且多个单光子探测器的排布方向...
    2026-03-11
  • 一种芯片中像素阵列的识别方法、装置、程序产品和介质
    一种芯片中像素阵列的识别方法、装置、程序产品和介质_成都微光集电科技有限公司_202511692099.0
    本申请涉及像素阵列识别领域，公开了特别是涉及一种芯片中像素阵列的识别方法、装置、程序产品和介质，方法包括：获取芯片经过光线照射后的光图像；芯片包括金属格栅结构和像素，金属格栅结构包括第一金属格栅层，像素的设计版图包括目标像素版图和多种不同的...
    2026-03-11
  • 一种原位微透镜集成红外探测器件制备方法
    一种原位微透镜集成红外探测器件制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511531695.0
    本申请公开了一种原位微透镜集成红外探测器件制备方法，涉及半导体、红外探测器技术，包括：在像元台面的隔离槽内布置网格地结构，完成电极引出；在完成电极引出后，将探测器管芯与读出电路进行倒装互连；对互连后的芯片的衬底进行机械化学抛光减薄；在衬底背...
    2026-03-11
  • 一种基于隧穿结的侧向磷化铟二极管及其制备方法
    一种基于隧穿结的侧向磷化铟二极管及其制备方法_中山大学_202511436198.2
    本发明公开了一种基于隧穿结的侧向磷化铟二极管及其制备方法，所述磷化铟二极管包括晶圆以及二极管结构；所述二极管结构的上方设有n型电极和p型电极；所述晶圆由上至下依次为种子晶层、埋氧层以及衬底；所述二极管结构侧向外延于所述埋氧层上方。本发明器件...
    2026-03-11
  • 一种铁电基底的偏压调控层间激子的光谱芯片
    一种铁电基底的偏压调控层间激子的光谱芯片_国科大杭州高等研究院_202511580399.X
    本申请涉及光谱芯片技术领域。具体涉及一种铁电基底的偏压调控层间激子的光谱芯片，包括：半导体基底；铁电材料基底；铁电材料基底设置于半导体基底一侧表面；II型异质结结构；II型异质结结构设置于铁电材料基底背向半导体基底一侧表面，且II型异质结结...
    2026-03-11
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511847468.9
    本申请涉及光伏领域，本申请实施例提供了一种光伏组件，包括电池串组，包括至少两个沿第一方向间隔分布的电池串；隔离件，设置于电池串的背光面，沿第一方向，分别位于相邻两个电池串的背光面的两个隔离件之间具有间隙；汇流条，沿第二方向，汇流条设置于隔离...
    2026-03-11
  • 光伏组件
    光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610086300.9
    本发明公开了一种光伏组件，光伏组件包括电池片、互连结构件和缓冲件。多个电池片沿第一方向排布，每个电池片具有叠置区，每个互连结构件的一部分设在第一电池片的正面，每个互连结构件的另一部分设在第二电池片的背面。在第二方向上缓冲件设在电池片的叠置区...
    2026-03-11
  • 背接触太阳能电池及其制备方法
    背接触太阳能电池及其制备方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202512012315.9
    本公开提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法，该背接触太阳能电池包括硅基底，交替设置在硅基底的第一表面的第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区；第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂极性相反；以及分别设置于第一掺杂区、第二掺杂区、隔离区远离硅基底的表面上的第...
    2026-03-11
  • 静电放电保护器件及芯片
    静电放电保护器件及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610083935.3
    本发明提供一种静电放电保护器件及芯片，所述器件包括：衬底；位于衬底内P型区与N型区；位于P型区内的第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第一P型掺杂区与第二P型掺杂区，第二P型掺杂区位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间，第一N型掺杂区位于第一P...
    2026-03-11
  • 一种可控硅静电防护器件及其制备方法
    一种可控硅静电防护器件及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511746326.3
    本发明公开了一种可控硅静电防护器件及其制备方法，在第二N阱表面设置金属块并和金属块肖特基接触，使第二N阱和金属块构成肖特基二极管，第二N阱内的N+注入区作为可控硅静电防护器件的阴极。又因为P+注入区与第一N阱构成的PN结二极管，且P+注入区...
    2026-03-11
  • 一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构
    一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构_西安电子科技大学广州研究院_202511722037.X
    本发明公开了一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构，该双沟槽SiC功率cascode器件版图结构由若干纵向分布单元构成，相邻纵向分布单元之间形成有深沟槽；每个纵向分布单元由若干横向分布单元构成，每个横向分布单元包括两个第一元胞结构、...
    2026-03-11
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_昆山国显光电有限公司_202511660933.8
    本申请提供一种显示面板及电子设备，所述显示面板包括：基板；位于基板一侧的阵列功能层，阵列功能层包括多个呈阵列分布像素驱动电路及多条走线；像素驱动电路包括数据写入晶体管和第一复位晶体管；多个像素驱动电路包括在第二方向上相邻的第一像素驱动电路和...
    2026-03-11
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_三星显示有限公司_202511742437.7
    本申请公开一种显示面板和显示装置。显示面板包括两个或更多个栅层以及一个或多个源‑漏层，两个或更多个栅层包括在第一方向上延伸的多个栅图案，一个或多个源‑漏层包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个源‑漏图案。两个或更多个栅层的栅图案沿与有效...
    2026-03-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511551463.1
    提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括沿第一方向形成在衬底上方的多个第一纳米结构以及与第一纳米结构相邻形成的多个第二纳米结构。半导体结构包括沿第二方向形成在第一纳米结构上的第一栅极结构，并且第一栅极结构包括第一栅极介电层。半导体结构包...
    2026-03-11
  • 一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC-IGBT结构
    一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202511756181.5
    本发明提供一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC‑IGBT结构，涉及功率半导体器件技术领域，包括，衬底承载模块，所述衬底承载模块包括N型硅衬底，对所述N型硅衬底进行外延处理形成所述n‑漂移层。沟槽栅控模块，所述沟槽栅控模块对所述...
    2026-03-11
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