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最新专利技术
  • 一种阴阳离子共掺高熵钠离子电池正极材料制造方法
    一种阴阳离子共掺高熵钠离子电池正极材料制造方法_杭州亿昇达新能源科技有限公司_202610039351.6
    本发明公开了一种阴阳离子共掺高熵钠离子电池正极材料制造方法，属于钠离子二次电池材料技术领域，具体涉及一种正极复合氧化物材料的制造方法，包括：将无机金属化合物混合，然后进行粉碎处理，粉碎后的颗粒与有机金属化合物和水混合球磨，然后加入磷源化合物...
    2026-03-20
  • 卷绕设备、卷绕方法、电池及用电装置
    卷绕设备、卷绕方法、电池及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202610026537.8
    本申请实施例提供一种卷绕设备、卷绕方法、电池及用电装置。卷绕设备包括：输送机构，用于提供第一极片、第二极片、第一隔膜与第二隔膜；卷绕机构，包括卷针，被配置为供第一极片、第二极片、第一隔膜与第二隔膜在其外周进行卷绕；驱动组件，被配置为在卷绕过...
    2026-03-20
  • 干法电极极片及其制备方法和二次电池
    干法电极极片及其制备方法和二次电池_广东电网有限责任公司湛江供电局_202511765704.2
    本申请涉及新能源技术领域，特别涉及干法电极极片及其制备方法和二次电池。干法电极极片的制备方法包括以下步骤：混合电极活性材料、导电剂和羧甲基纤维素，一次搅拌，得到第一混合料；混合所述第一混合料和聚丙烯酸，二次搅拌，得到第二混合料；混合所述第二...
    2026-03-20
  • 一种水系锌离子电池负极及其制备方法和水系锌离子电池
    一种水系锌离子电池负极及其制备方法和水系锌离子电池_西安科技大学_202511668419.9
    本发明公开了一种水系锌离子电池负极及其制备方法和水系锌离子电池，属于储能材料技术领域。本发明中，水系锌离子电池负极材料是将多孔N‑Ti33C22Txx纳米材料涂覆在锌箔表面上制备得到的；所用的多孔N‑Ti33C22Txx纳米材料的制备方法包...
    2026-03-20
  • 一种储能电极生产涂布方法及涂布设备
    一种储能电极生产涂布方法及涂布设备_酒泉职业技术大学_202511653010.X
    本发明属于电极生产技术领域，具体公开了一种储能电极生产涂布方法及涂布设备，包括设定导电基材的张力控制参数并输送所述导电基材，向狭缝式涂布装置输送功能性浆料，将形成湿涂层的导电基材输送至分段式干燥系统进行干燥处理以及利用在线监测装置检测干燥后...
    2026-03-20
  • 用于电池的负极极片的制造方法和制造设备
    用于电池的负极极片的制造方法和制造设备_梅赛德斯-奔驰集团股份公司_202511633998.3
    本发明涉及一种用于电池的负极极片的制造方法，其中，所述制造方法至少包括以下步骤：在一级磁场的作用下将负极浆料涂布在集流体上，所述一级磁场是垂直于所述集流体的梯度磁场；获取所述负极浆料的晶面取向值，并根据所述晶面取向值调节施加到所述负极浆料上...
    2026-03-20
  • 一种低翘曲率的单面极片及其制备方法、叠片电芯和平面压实整型机构
    一种低翘曲率的单面极片及其制备方法、叠片电芯和平面压实整型机构_孚能科技(赣州)股份有限公司_202511624352.9
    本发明属于电池技术领域，涉及一种低翘曲率的单面极片的制备方法、叠片电芯和平面压实整型机构。本发明公开的低翘曲率的单面极片的制备方法包括：在集流体一面负载活性材料并形成涂层区和非涂层区，得到一面具有涂层区的单面极片基材；将该单面极片基材依次进...
    2026-03-20
  • 用于呈角度压延电池单元的电极片的方法和系统
    用于呈角度压延电池单元的电极片的方法和系统_通用汽车环球科技运作有限责任公司_202411331190.5
    一种压延电极片的方法包括：将电极片定位在压延系统的入口处，该压延系统包括限定压延轴线的辊，该电极片包括布置在集电器的部分上的活性材料层，该活性材料层包括第一横向侧和与第一横向侧相对的第二横向侧、沿着活性材料层的第一横向侧布置的第一未涂覆部分...
    2026-03-20
  • 一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法
    一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法_北京化工大学_202511681629.1
    本发明公开了一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法，将石墨粉、导电剂和粘结剂按照比例均匀混合得到电极浆料；再将电极浆料涂覆于导电集流体上，真空干燥后得到石墨电极；将石墨将电极作为工作电极、碳棒电极作为对电极、Ag/AgCl电极作为参比电极，...
    2026-03-20
  • 一种分段刀片型离子阱装置
    一种分段刀片型离子阱装置_合肥幺正量子科技有限公司_202511665254.X
    本发明公开一种分段刀片型离子阱装置，所述装置包括底座以及通过底板安装在底座上的一对RF电极和一对DC电极，其中：所述RF电极以及DC电极均由金属材料制成；所述底座上开设有凹槽，所述底板安装在凹槽中；所述RF电极和的一端安装在底板上，所述DC...
    2026-03-20
  • 一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法
    一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511557283.4
    本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法。该装置包括依次串联的准常压化学电离腔、差分传输腔、低气压化学电离腔及质量分析器，腔体间通过三个离子引出电极实现真空差分；准常压化学电离腔通过第一试剂离子...
    2026-03-20
  • 一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法
    一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511535402.6
    本发明涉及离子表征和制备技术领域，特别涉及一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法。该装置包括依次设置的离子源、离子传输腔、四极质量筛选腔、离子解离腔、离子偏转腔、离子减速与沉积腔及沿垂直方向设置于离子偏转腔一侧的高分辨质谱表征腔；利用...
    2026-03-20
  • 一种HPPI-Orbitrap离子传输接口
    一种HPPI-Orbitrap离子传输接口_中国科学院大连化学物理研究所_202511574033.1
    本发明属于质谱分析仪器技术领域，特别涉及一种HPPI‑Orbitrap离子传输接口。包括依次同轴设置的HPPI源、离子传输腔及Orbitrap质谱仪，其中HPPI源与离子传输腔连接，HPPI源通过紫外光电离样品分子产生样品离子，离子传输腔用...
    2026-03-20
  • 用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置
    用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511714690.1
    本发明涉及混合键合技术领域，具体涉及一种用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置，主要解决等离子体放电装置不能适用于大尺寸晶圆的技术问题。本装置包括腔体组件、源电极组件和偏置电极组件，腔体组件包括腔侧壁、腔盖板和腔底板，源电极组件包括上绝...
    2026-03-20
  • 一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法
    一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法_上海晟州聚能半导体科技有限公司_202511702595.X
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法。本发明的一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统，其特征在于，包括主功率单元、分布式子功率单元、阻抗匹配与功率分配网络和刻蚀腔室，主功率单元生成基准射频...
    2026-03-20
  • 屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备
    屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511668445.1
    本发明提供了一种屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备，所述屏蔽环装置包括多个环体及多个第一支撑骨，所述接地环装置包括内环、外环及多个第二支撑骨，部分所述第二支撑骨与所述第一支撑骨重叠。重叠位置的第一支撑骨包括第一固定撑及滑至少一个第一滑动撑，通...
    2026-03-20
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511520274.8
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-03-20
  • 预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整
    预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整_ASMIP私人控股有限公司_202511107237.4
    在一个实施例中，公开了一种用于控制半导体制造系统的匹配网络的系统。匹配网络包括电子可变电抗元件(EVRE)，其使用不同的匹配配置来改变其总电抗。等离子体室对衬底执行过程，该过程包括处理步骤，处理步骤至少包括第一处理步骤和第二处理步骤。对于每...
    2026-03-20
  • 为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法
    为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法_ASMIP私人控股有限公司_202511095796.8
    公开了一种具有等离子体控制能力的衬底处理设备。该设备包括射频(RF)源、等离子体室和等离子体控制系统，该等离子体控制系统包括：阻抗匹配网络，其包括第一可变阻抗匹配装置和第二可变阻抗匹配装置；以及控制电路，其配置成：确定第一可变阻抗匹配装置的...
    2026-03-20
  • 等离子体处理装置和等离子体状态检测方法
    等离子体处理装置和等离子体状态检测方法_东京毅力科创株式会社_202511040606.2
    本发明提供检测等离子体的状态的等离子体处理装置和等离子体状态检测方法。等离子体处理装置包括：具有内部空间的处理容器；设置在上述处理容器的上述内部空间内的基片支承部；对上述处理容器的上述内部空间内供给处理气体的气体供给部；在上述处理容器的上述...
    2026-03-20
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