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最新专利技术
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置_株式会社国际电气_202510786139.1
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置。其课题在于，在设置于衬底表面的凹部内精密地形成膜。解决手段为具有：(a)向在表面具有具备由第1基底构成的底面和由第2基底构成的侧面的凹部的衬底供给成膜剂，以比形成于前述...
    2026-02-19
  • 一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备
    一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备_杭州西风半导体有限公司_202511657962.9
    本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备，所述方法包括如下步骤：批量装夹；复合旋转腐蚀；恒温控制；动态更新腐蚀液；梯度造型控制：在芯片结终端边缘区域形成高于中心区域的腐蚀液冲刷速率，在芯片径向形成...
    2026-02-19
  • 一种半导体芯片浸蚀装置
    一种半导体芯片浸蚀装置_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202610031751.2
    本发明公开了一种半导体芯片浸蚀装置，包括浸蚀箱，和用于带动晶圆固定机构运动的驱动机构，以及位于浸蚀箱内的分层组件，所述驱动机构包括升降组件和旋转组件，所述旋转组件包括旋转座和竖杆，所述竖杆顶端贯穿旋转座，所述竖杆上设置有多个横板，所述横板上...
    2026-02-19
  • 沟槽结构的制备方法及半导体器件
    沟槽结构的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610024021.X
    本申请提供一种沟槽结构的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层；在沟槽刻蚀区域，对基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括：对基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层；进行至少一...
    2026-02-19
  • 半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411053126.5
    本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括：对待刻蚀膜层上的掩膜层进行图形化刻蚀，以在待刻蚀膜层上形成具有预定图形的掩膜层，预定图形包括密集区域和疏松区域；利用工艺气体去除对掩膜层的刻蚀过程中所产生的部分副产物，工艺...
    2026-02-19
  • 一种等离子刻蚀方法
    一种等离子刻蚀方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511758580.5
    本申请提供一种等离子刻蚀方法，包括：提供多层膜堆叠结构，多层膜堆叠结构从上至下依次包括第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层及硅衬底；在第一氧化层表面设置光刻胶层；将待刻蚀的多层膜堆叠结构置于等离子刻蚀设备反应腔内，分三个阶段进行刻蚀：第一阶段为...
    2026-02-19
  • 改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法
    改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587281.X
    本发明公开了一种改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法，包括：形成硬质掩膜层。对硬质掩膜层进行图形化刻蚀，包括：采用第一次APC控制进行修整刻蚀，第一次APC所采用的APC模型中同时包括第一和第二影响因子，第一和第二影响因子分别为修整刻蚀的第一刻蚀...
    2026-02-19
  • 晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台
    晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台_上海稷以科技有限公司_202511615011.5
    本发明提出了一种晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台，该工艺包括：对晶圆进行自由基刻蚀后先进行修复，再进行湿法清洗；自由基刻蚀工序和修复工序在同一机台上进行。本发明改善了自由基刻蚀后氧化硅或者氮化硅损伤及后续湿法清洗、湿法刻蚀wet etch步...
    2026-02-19
  • 离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法
    离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511765308.X
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法，离子注入工艺优化方法包括：获取当前晶圆在炉管设备中的当前位置，炉管设备中设置有多个晶圆，晶圆上形成有多晶硅层，当前晶圆为多个晶圆中在当前时刻下待进行离子...
    2026-02-19
  • 一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置
    一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511708564.5
    本发明提供一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在第一注入阶段，控制所述离子源向第一晶圆区域注入所述第一注入阶段对应的第一剂量增量的离子；在所述第一注入阶段之后的任一注入阶段，控制所述靶盘将所述半导体晶圆...
    2026-02-19
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610018146.1
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括提供衬底，衬底上形成有至少两个间隔分布的功能结构；在衬底及功能结构上沉积第一介质材料并平坦化，形成的第一介质层填充相邻的两个功能结构之间的间隙，第一介质层的顶面具有碟形凹陷；在功...
    2026-02-19
  • 改善晶圆背面质量的方法
    改善晶圆背面质量的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587221.8
    本发明提供一种改善晶圆背面质量的方法，该方法旨在解决因晶圆背面损伤导致光刻工艺产生对焦斑点的问题。该方法包括：首先，对晶圆的背面进行湿法清洗，以去除表面的颗粒；然后，对清洗后的晶圆背面的介电层进行离子注入，以提高其硬度。优选地，介电层为氮化...
    2026-02-19
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411119880.4
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括基材、第一介电层、第二介电层以及覆盖停止层。基材包括存储区和逻辑区，其中存储区包括存储器阵列。第一介电层覆盖存储区；第二介电层覆盖逻辑区。覆盖停止层位于第一介电层上方，且具有一个覆盖图...
    2026-02-19
  • 一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片
    一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202610019628.9
    本发明公开了一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片，属于半导体材料制备领域。所述方法包括：将电阻率不大于1.15mΩ·cm的重掺硅衬底在惰性气氛下进行快速热处理，处理温度为1000‑1500℃，升/降温速率为10‑120℃/s，...
    2026-02-19
  • 在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法
    在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511038771.4
    公开了用于在设置在反应室内的衬底上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法。所公开的方法包括通过采用硅前体、卤化锗前体和卤化硼掺杂剂前体的外延沉积过程选择性地沉积硼掺杂硅锗层。
    2026-02-19
  • 一种基于二维ε-Ga2O3的神经形态光电忆阻器及其制备方法
    一种基于二维ε-Ga2O3的神经形态光电忆阻器及其制备方法_西安电子科技大学_202511628159.2
    本发明公开了一种基于二维ε‑Ga22O33的神经形态光电忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括：自下而上依次层叠的衬底、底电极、ε‑Ga22O33光电活性层、顶电极；所述ε‑Ga22O33光电活性层的厚度为5~10nm，通过液态金属自限制氧化法制...
    2026-02-19
  • 半导体器件结构及形成半导体器件结构的方法
    半导体器件结构及形成半导体器件结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474387.9
    可以通过以下方式提供器件结构：在介电材料层内形成底部电极和加热器元件；沉积并且图案化包括底部衬垫层、包含相变材料的相变材料层、和顶部电极材料层的连续的层堆叠件；通过沉积并且图案化侧壁衬垫材料，形成至少一个侧壁衬垫。至少一个侧壁衬垫形成在连续...
    2026-02-19
  • 氢键有机框架-聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用
    氢键有机框架-聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用_安徽大学_202511696733.8
    本发明公开氢键有机框架‑聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用，包括上层的锌电极、下层的钛电极，以及夹设于锌电极与钛电极之间的双层水凝胶；所述双层水凝胶包括靠近锌电极的负电HOF/PVA复合水凝胶，及靠近钛电极的正电HOF/PVA复合...
    2026-02-19
  • 一种相变存储单元和存储器
    一种相变存储单元和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202311684003.7
    本公开提供了一种相变存储单元和存储器，相变存储单元包括沿第三方向依次堆叠的衬底、第一地址线材料层、选通材料层、负温度系数电阻层、相变材料层和第二地址线材料层；负温度系数电阻层的电阻值与环境温度呈现负相关，第一地址线材料层沿第一方向延伸；第二...
    2026-02-19
  • 半导体器件
    半导体器件_苏州凌存科技有限公司_202610016769.5
    本申请提供一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的多个磁性功能模块与多个磁屏蔽环模块，所述磁性功能模块包括磁性膜层以及位于所述磁性膜层相对两侧的上金属层和下金属层。所述磁屏蔽环模块环绕对应的磁性功能模块，并与所述磁性功能模...
    2026-02-19
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