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最新专利技术
  • 一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法
    一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311872727.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法，其中，半导体结构包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元，其中，第一方向和第二方向均垂直于第...
    2026-02-15
  • 一种BiSe自选通材料及自选通器件
    一种BiSe自选通材料及自选通器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511421051.6
    本发明涉及一种BiSe自选通材料及自选通器件，所述自选通材料的化学通式为BixxSeyy，其中0.1≤x≤0.2, 0.8≤y≤0.9，x+y＝1。本发明基于BiSe自选通材料制备的自选通器件兼具低毒性、高性能和工艺兼容性，且降低了器件堆叠...
    2026-02-15
  • 一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法
    一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法_南京大学_202610001869.0
    本发明公开了一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法，属于超导电子学技术领域，该超导整流器包括一个以上的超导二极管，超导二极管包括绝缘衬底以及超导纳米线，超导纳米线上设有收窄段，收窄段上连接有第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线与第二栅极...
    2026-02-15
  • 霍尔电阻网络及其形成方法
    霍尔电阻网络及其形成方法_苏州矩阵光电有限公司_202512053266.3
    本申请涉及半导体集成电路设计及制造领域，具体涉及一种霍尔电阻网络及其形成方法，该霍尔电阻网络至少包括第一霍尔元件和霍尔补偿网络，第一霍尔元件和霍尔补偿网络串联连接，霍尔补偿网络用于对第一霍尔元件在恒压驱动模式下产生的温度漂移进行补偿，霍尔补...
    2026-02-15
  • 两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法
    两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法_苏州矩阵光电有限公司_202512047619.9
    本发明提供一种两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法，仅需要四个同一平面设置的霍尔芯片以及相应的聚磁体，结构简单紧凑、稳定性高，容易实现微型封装；两组差分霍尔对独立正常工作，分别输出单个方向上的差分信号，且当每组霍尔芯片上设置的两个聚磁体在其对...
    2026-02-15
  • 一种霍尔传感器及其封装方法
    一种霍尔传感器及其封装方法_苏州矩阵光电有限公司_202512056453.7
    本申请提供一种霍尔传感器及其封装方法，涉及霍尔效应技术领域，包括具有三个正交面的基底，三个正交面两两正交且相接，在基底的每个正交面均贴附有一个霍尔裸芯片。由此，利用霍尔裸芯片小体积、小尺寸的特点，使得贴附于基底上的霍尔裸芯片能够在空间上具有...
    2026-02-15
  • 一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法
    一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法_苏州矩阵光电有限公司_202512051817.2
    本申请涉及一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法，包括衬底和磁敏传感组件；磁敏传感组件包括第一聚磁结构、层状导体结构和第二聚磁结构，第一聚磁结构与第二聚磁结构，沿垂直于层状导体结构的方向布置于层状导体结构的两侧，第二聚磁结构设置在衬...
    2026-02-15
  • 芯片的贴装方法及贴装结构
    芯片的贴装方法及贴装结构_苏州矩阵光电有限公司_202512049459.1
    本发明提供一种芯片的贴装方法及贴装结构，贴装方法包括：提供一基底，基底上设有至少一凹陷区，凹陷区的尺寸被配置为足够容纳芯片的尺寸以及芯片贴装位置误差尺寸，且凹陷区域至少包含一限制芯片位移的精确位置；将芯片放置于所述凹陷区内；通过位移机构将芯...
    2026-02-15
  • 批量精准贴装芯片的方法
    批量精准贴装芯片的方法_苏州矩阵光电有限公司_202512047802.9
    本发明提供一种批量精准贴装芯片的方法，包括：将整片的待贴装芯片粘贴于一基底膜上，基底膜上设有凸台结构，且凸台结构顶面上设置有第一对位标记；基于目标晶圆上的芯片布局，对待贴装芯片进行切割，以在基底膜上形成多个独立的芯片；将切割后的待贴装芯片与...
    2026-02-15
  • 一种薄膜元件及其制备方法
    一种薄膜元件及其制备方法_苏州矩阵光电有限公司_202512057212.4
    本申请提供一种薄膜元件及其制备方法，其中薄膜元件，包括功能薄膜层；功能薄膜层包括第一薄膜区、第二薄膜区和第三薄膜区，其中：第二薄膜区的内侧与第一薄膜区的外侧边缘贴合；第二薄膜区包括设置在第二薄膜区的外侧拐角处的第三弧形部；第三薄膜区包括第二...
    2026-02-15
  • 基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用
    基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用_武汉大学_202511556755.4
    本发明涉及电子器件的技术领域，具体涉及一种基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用，包括左电极区和右电极区以及与两端电极相连接的中心散射区；中心散射区包括铁电层和反铁磁层，所述铁电层和反铁磁层通过范德华力堆叠，所述铁电层为多层结构...
    2026-02-15
  • 用于声学传感器应用的压电材料及相关器件
    用于声学传感器应用的压电材料及相关器件_罗伯特·博世有限公司_202511056851.2
    本公开涉及用于声学传感器应用的压电材料及相关器件。本文公开了一种微机电系统(MEMS)器件，其包括第一电极层、氮化铝基压电层、以及第二电极层。氮化铝基压电层包括化学式AlxxScyyYbzz的压电材料，其中x+y+z＝1。还公开了包含该压电...
    2026-02-15
  • 一种压电陶瓷复合材料及其制备方法
    一种压电陶瓷复合材料及其制备方法_景德镇市华奕达电子有限公司_202511644807.3
    本发明公开了一种压电陶瓷复合材料及其制备方法。所述复合材料为1‑3型或2‑2型结构，压电陶瓷相体积分数为30%～90%，并可具备大厚度、大面积及曲面构型。其制备方法包括：陶瓷切块、一次切割形成陶瓷柱/板阵列、一次灌胶填充柔性聚合物、二次切割...
    2026-02-15
  • 一种旗帜及其制造方法
    一种旗帜及其制造方法_武汉纺织大学_202511642162.X
    本发明实施例公开一种旗帜及其制造方法。该旗帜用于月球表面，包括两个相同的子旗帜单元，两个子旗帜单元的基底键合连接；每个子旗帜单元包括：基底，一侧设置有多个呈阵列间隔排布的镂空区；第一电极层，设置有多个第一通孔，多个第一通孔在基底的垂直投影与...
    2026-02-15
  • 压电叠层结构及其制备方法
    压电叠层结构及其制备方法_武汉敏声新技术有限公司_202511605461.6
    本申请提供一种压电叠层结构及其制备方法，涉及半导体加工技术领域。该压电叠层结构的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底的表面溅射压电材料，以得到第一极性压电层；在第一极性压电层的表面溅射混有氧流体的压电材料，以得到含氧反转层；在含氧反转层的表面...
    2026-02-15
  • 一种PVDF铁电薄膜及其制备方法和铁电器件
    一种PVDF铁电薄膜及其制备方法和铁电器件_季华实验室_202511996314.6
    本申请涉及PVDF铁电薄膜制备技术领域，具体提供了一种PVDF铁电薄膜及其制备方法和铁电器件，方法包括步骤：制备初始PVDF薄膜；将初始PVDF薄膜放置在移动平台上；控制飞秒激光器产生朝下的激光光束，并控制移动平台驱动初始PVDF薄膜在飞秒...
    2026-02-15
  • 柔性压电薄膜及其制备方法、宽量程柔性声表面波应变传感器
    柔性压电薄膜及其制备方法、宽量程柔性声表面波应变传感器_南京工业大学_202511323229.3
    本公开提出一种柔性压电薄膜及其制备方法、宽量程柔性声表面波应变传感器，属于宽量程应变检测技术领域。制备方法包括：制备模具，所述模具包括衬底，以及位于所述衬底上的叉指电极、以及与所述叉指电极连接的导线；将压电微粒、溶剂和固化剂混合，得到共混液...
    2026-02-15
  • 一种可逆粘附的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用
    一种可逆粘附的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用_广西大学_202512037805.4
    本发明公开一种可逆粘附的柔性半导体制冷器件及其制备方法和应用，属于半导体制冷技术领域。器件包括π型热电对互连阵列、基底层、连接材料和可逆粘附层；π型热电对互连阵列含封装材料、互连电极及N/P型热电臂(间隔排列且经互连电极构成热并联电串联结构...
    2026-02-15
  • 一种微纳结构增强对流换热的快响应气体测温薄膜热电偶
    一种微纳结构增强对流换热的快响应气体测温薄膜热电偶_西安交通大学_202511505675.6
    本发明公开了一种微纳结构增强对流换热的快响应气体测温薄膜热电偶，该热电偶包括基底层、热电偶功能薄膜层和热输运强化微纳结构单元。所述微纳结构单元为设置于热电偶功能薄膜层内的周期性纳米孔阵列，通过增大换热表面积、缩短热输运路径及强化气体对流，显...
    2026-02-15
  • 一种共自组装分子、钙钛矿太阳电池及制备方法
    一种共自组装分子、钙钛矿太阳电池及制备方法_江西师范大学_202511533583.9
    本发明公开了一种共自组装分子、钙钛矿太阳电池及制备方法，涉及钙钛矿太阳电池领域。共自组装分子包括自组装分子1(Me‑2PACz和Me‑4PACz)和氧化膦自组装分子2(TPPO、TMePPO、TCarPPO、TChPPO和TFPPO)；并将...
    2026-02-15
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