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最新专利技术
  • CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元
    CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元_天津大学_202511576935.9
    本发明涉及互补金属氧化物半导体图像传感器，为提高电荷转移效率、实现图像传感器中电荷的双向转移，本发明，CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元，包括光电二极管、浮动式扩散层FD、氧化物组成的传输栅TG和电极，传输栅与电级相连；其中，载...
    2026-02-17
  • 一种高满阱图像传感器及其工作方法
    一种高满阱图像传感器及其工作方法_南京大学_202511458359.8
    本发明公开了一种高满阱图像传感器及其工作方法，属于图像传感器领域。该高满阱图像传感器包括至少一个图像传感器单元，单个图像传感器单元包括形成在同一衬底上的感光收集区、信号读取区和第一浅槽隔离结构，感光收集区为一浮栅电容器，包括电容器第一级介质...
    2026-02-17
  • 光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法
    光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法_佳能株式会社_202511032777.0
    本发明涉及光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法。根据本说明书的公开内容的方面，一种光电转换设备包括：第一半导体基板；第一布线构造；第二布线构造；以及第二半导体基板，其中，第一半导体基板包括保护元件以及沿行方向和列方向布置的多个像素，其...
    2026-02-17
  • 用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法
    用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法_豪威科技股份有限公司_202510580484.X
    本申请案涉及一种用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法。描述一种包括光电二极管及分叉深沟槽隔离(DTI)结构的图像传感器。所述光电二极管安置于具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的半导体衬底内。所述分叉DTI结构经配置以将所述光电二极管...
    2026-02-17
  • 光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法
    光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512052365.X
    本申请公开了光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法，光阻层的形成方法包括：在半导体结构的表面中形成疏水层；在半导体结构的表面上形成图案化的光阻层。本申请提供的光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法，可以降低高深比下的光阻层移位甚至倒塌问...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511441154.9
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，遮光基板采用非透光材料，实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内形成包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装结构
    一种CIS芯片封装结构_通富微电子股份有限公司_202511441102.1
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，遮光基板实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511440367.X
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，提供透光基板，在透光基板的表面形成多个凹槽，将感光芯片的正面朝下固定于凹槽内，降低封装结构的整体厚度；在凹槽的内壁以及透光基板的表面形成遮光层，直接在遮光层上形成导电金属层，无需设置硅通孔，降低工艺难...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511440362.7
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，遮光基板采用非透光材料，实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用遮光基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内形成包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511438894.7
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，在透光基板的表面设置多个凹槽，将感光芯片的正面朝下固定于凹槽内，降低封装结构的整体厚度；在凹槽的内壁以及透光基板的表面设置有遮光层，确保全域避光完整性；直接在遮光层上设置导电金属层，无需设置硅通孔，降...
    2026-02-17
  • 一种CIS芯片封装结构
    一种CIS芯片封装结构_通富微电子股份有限公司_202511438379.9
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，遮光基板实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围...
    2026-02-17
  • 一种改善图像传感器白色像素的方法
    一种改善图像传感器白色像素的方法_格科半导体(上海)有限公司_202411003676.6
    本发明公开了一种改善图像传感器白色像素的方法，包含：提供一基片，其包含半导体衬底及其外延层，所述基片设有像素区及逻辑区，所述像素区及逻辑区均具有若干源漏区；提供一光罩，暴露所述源漏区的外延层；第一离子注入步骤：向所述源漏区的第一深度注入第一...
    2026-02-17
  • 用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用
    用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用_西安电子科技大学_202511524117.4
    本发明公开了一种用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用，属于半导体光电器件与火焰监测技术领域。该器件组包含两个功能互补、结构独立的阵列：基于高温退火蓝宝石衬底生长的取向一致Ga22O33紫外探测器阵列，用于对火焰日盲紫...
    2026-02-17
  • 一种改进型多波段融合视觉传感器
    一种改进型多波段融合视觉传感器_天津津航计算技术研究所_202511606598.3
    本申请提供一种改进型多波段融合视觉传感器，包括：第一像素阵列层配置为采集和处理可见光信号，并集成有动态模式切换电路，可根据环境光照强度自动切换工作模式适配不同光照条件下的成像需求；第二像素阵列层配置为采集和处理红外光信号，包括主SPAD阵列...
    2026-02-17
  • 图像传感器的制备方法及图像传感器
    图像传感器的制备方法及图像传感器_苏州山河光电科技有限公司_202511524902.X
    本申请提供一种图像传感器的制备方法及图像传感器，制备方法包括如下步骤：提供一传感器芯片，所述传感器芯片具有像素阵列区、位于所述像素阵列区周侧的焊盘区，所述焊盘区具有若干焊盘；在所述传感器芯片的受光面形成覆盖所述像素阵列区和焊盘区的一层透明介...
    2026-02-17
  • 量子点红外探测器晶圆级封装方法
    量子点红外探测器晶圆级封装方法_昆明物理研究所_202511486095.7
    本发明的量子点红外探测器晶圆级封装方法包括：提供读出电路晶圆；在读出电路晶圆上涂敷量子点光电转换薄膜，在量子点光电转换薄膜上制作上电极，上电极覆盖芯片光电转换活性区，在上电极上制作有薄膜封装层，薄膜封装层为无机层和有机层的多层结构，其中无机...
    2026-02-17
  • 一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法
    一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法_广西欣亿光电科技有限公司_202510709013.4
    本发明涉及图像传感器封装领域，尤其涉及一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法。本发明的一种嵌入式图像传感器封装结构，通过密封胶将围挡框与透光片牢牢固定封装在一起，利用高弹封胶的弹性特征为基板上封装的芯片模组提供散热和缓冲减震效果，芯片模组...
    2026-02-17
  • 一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触
    一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触_重庆大学_202511567876.9
    本发明涉及一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触，属于仿生光电子器件技术领域。其包括衬底、源极、漏极、第一栅电极、沟道层以及位于第一栅电极与沟道层之间的第一垂直堆叠光敏浮栅，第一垂直堆叠光敏浮栅包括垂直堆叠的至少两个半导体光敏层和至少三...
    2026-02-17
  • 高增益4H-SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法
    高增益4H-SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法_北京工业大学_202511626273.1
    本发明提供了一种高增益4H‑SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域。通过第一n型4H‑SiC层、p型4H‑SiC层以及第二n型4H‑SiC层，即n++‑p‑n‑‑结构实现了一种高增益4H‑SiC紫外位置敏感探测器，...
    2026-02-17
  • 一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法
    一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法_复旦大学_202511511694.X
    本发明涉及一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法，该探测器件包括衬底层，衬底层上设有亚波长OMSM结构，亚波长OMSM结构包括半导体层，半导体层上的两端设有相对的左金属电极与天线层和右金属电极与天线层，左金属电极与天线层和...
    2026-02-17
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