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最新专利技术
  • 双向固态断路器模块
    双向固态断路器模块_伊顿电力设备有限公司_202510488626.X
    本发明提供了一种双向固态断路器模块，包括第一子模块和第二子模块，所述第一子模块包括第一部分，所述第二子模块包括第二部分，并且所述第一子模块的至少所述第一部分和所述第二子模块的至少所述第二部分具有相同的配置并且相对于彼此对称地布置，所述第一部...
    2026-03-01
  • 复位电路、集成电路和芯片
    复位电路、集成电路和芯片_无锡众星微系统技术有限公司_202511563447.4
    本申请涉及一种复位电路、集成电路和芯片。复位电路包括异步复位控制电路、关时钟解复位电路、时钟控制电路；异步复位控制电路的第一输出端与关时钟解复位电路的输入端连接，异步复位控制电路的第二输出端与时钟控制电路的第一输入端连接，关时钟解复位电路的...
    2026-03-01
  • 一种功率器件的驱动电路
    一种功率器件的驱动电路_中国电力科学研究院有限公司_202511341433.8
    本发明涉及了一种功率器件的驱动电路。该驱动电路通过第一选择模块在调制信号为关断信号时，基于负载电流，生成与负载电流对应的开关动作信号，第一调节电路和第二调节电路对开关动作信号进行调节，实现对驱动电路中NMOS管和PMOS管的控制，使驱动电路...
    2026-03-01
  • 氮化镓功率晶体管的栅极电压智能控制方法、系统及装置
    氮化镓功率晶体管的栅极电压智能控制方法、系统及装置_广州市瀚云信息技术有限公司_202512048215.1
    本发明公开了一种氮化镓功率晶体管的栅极电压智能控制方法、系统及装置，涉及通信技术领域，通过采集氮化镓功率晶体管的供电电压与供电电流，并采集检波信号；基于供电参数计算平均直流功率，基于检波信号计算平均输出功率，进而得到平均耗散功率；以平均耗散...
    2026-03-01
  • 一种驱动电路和电子设备
    一种驱动电路和电子设备_中电普瑞电力工程有限公司_202511295229.7
    本申请提供了一种驱动电路和电子设备。驱动电路包括短路检测模块、控制模块和电源模块。短路检测模块用于根据获取的功率管的集射极电压输出短路指示信号给控制模块。控制模块用于根据短路指示信号输出第一控制信号给电源模块。电源模块用于根据第一控制信号输...
    2026-03-01
  • 一种小型化抗干扰和差器
    一种小型化抗干扰和差器_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511527783.3
    本发明公开了一种小型化抗干扰和差器，涉及无线通信技术领域。该和差器包括射频网络组件和信号处理单元。所述射频网络组件内部集成有第一、第二和第三切换开关、移相器、多个功分器、低通滤波器、带通滤波器、衰减器及混频器。所述切换开关和移相器均采用ME...
    2026-03-01
  • 一种功率管驱动电路及驱动器
    一种功率管驱动电路及驱动器_河北新华北集成电路有限公司_202511508854.5
    本申请提供一种功率管驱动电路及驱动器。该驱动电路包括传输门驱动模块、传输门模块、自举模块和功率管；自举模块的第一端用于连接第一电源，自举模块的第二端连接功率管的控制端，自举模块用于驱动功率管；传输门驱动模块的第一端用于接收脉冲信号，传输门驱...
    2026-03-01
  • 脉宽失真优化电路、解调装置以及数字隔离器
    脉宽失真优化电路、解调装置以及数字隔离器_杰华特微电子(深圳)有限公司_202510265719.6
    本申请涉及隔离传输技术领域，公开了一种脉宽失真优化电路、解调装置以及数字隔离器，其中，数字隔离器包括调制装置和解调装置，调制装置适于对初始输入信号进行调制以生成差分调制信号，解调装置适于对差分调制信号进行解调以生成第一解调信号和第二解调信号...
    2026-03-01
  • 测试和测量仪器中的脉冲幅度调制转换密度触发
    测试和测量仪器中的脉冲幅度调制转换密度触发_特克特朗尼克公司_202511055802.7
    提供了测试和测量仪器中的脉冲幅度调制转换密度触发。一种测试和测量仪器包括：输入，用于接收脉冲幅度调制n电平(PAMn)信号；模数转换器(ADC)，耦合到输入以数字化PAMn信号；采集存储器，耦合到ADC并被配置为将数字化的PAMn信号的至少...
    2026-03-01
  • 一种用于数字延迟线校准的方法及装置
    一种用于数字延迟线校准的方法及装置_芯耀辉科技股份有限公司_202512035647.9
    本申请涉及数字电路技术领域并提供了一种用于数字延迟线校准的方法及装置，提供了一种用于数字延迟线的校准机制，能够有效减少系统性不匹配和随机性不匹配。
    2026-03-01
  • 时钟信号校准电路、方法以及芯片
    时钟信号校准电路、方法以及芯片_深圳市中兴微电子技术有限公司_202512051026.X
    本发明实施例提供时钟信号校准电路、方法以及芯片，包括：第一时钟延迟模块的输出端通过反相器与第二时钟延迟模块的输入端连接，第一时钟延迟模块的输出端通过第一与门与时钟信息检测模块的输入端连接，第二时钟延迟模块的输出端通过第一与门与时钟信息检测模...
    2026-03-01
  • 一种低开销的单节点翻转自恢复锁存器及其管控方法
    一种低开销的单节点翻转自恢复锁存器及其管控方法_宁波晶钻科技股份有限公司_202511489361.1
    本申请涉及一种低开销的单节点翻转自恢复锁存器及其管控方法，涉及集成电路抗干扰技术领域，解决了集成电路对辐射引起的软错误变得更加敏感的问题，其包括2个传输门，2个输入输出双重保护容错单元，1个输入分离反相器，1个基于钟控的输入分离反相器和1个...
    2026-03-01
  • 数字滤波器及构建方法、电子设备及计算机可读存储介质
    数字滤波器及构建方法、电子设备及计算机可读存储介质_深圳市中兴微电子技术有限公司_202410982397.2
    本申请实施例公开了一种数字滤波器及构建方法、电子设备及计算机可读存储介质，属于通信技术领域。该数字滤波器包括：预处理单元、移位选择单元、移位补位单元和符号运算单元；其中，预处理单元基于系数位数设计；移位选择单元基于系数位数、滤波器阶数和可分...
    2026-03-01
  • 基于FPGA的时分复用IIR滤波器元二阶节
    基于FPGA的时分复用IIR滤波器元二阶节_电子科技大学_202511580589.1
    本发明公开了一种基于FPGA的时分复用IIR滤波器元二阶节，包括在FPGA中设置的双口BRAM、DSP模块和控制模块，双口BRAM用于保存当前元二阶节对应的IIR滤波器参数并缓存输入数据和输出数据，为元二阶节分配一个寄存器组，用于缓存输入数...
    2026-03-01
  • 基于锁存器的有限脉冲响应滤波器
    基于锁存器的有限脉冲响应滤波器_意法半导体国际公司_202511056313.3
    本公开涉及基于锁存器的有限脉冲响应滤波器。提供了一种滤波器，其包括多个串联耦合的滤波器级。所述多个滤波器级中的每个滤波器级包括多个锁存器。所述多个锁存器分别由多个时钟信号驱动。所述多个时钟信号彼此不同。每个滤波器级包括耦合到所述多个锁存器中...
    2026-03-01
  • 声表面波谐振器装置及其制造方法
    声表面波谐振器装置及其制造方法_深圳新声半导体有限公司_202411032003.3
    一种声表面波谐振器装置及其制造方法，声表面波谐振器装置具有包括在第一方向上依序排列的第一周边区、第一末端区、中心区、第二末端区和第二周边区的叉指电极区，且包括：叉指换能器，设置于压电基板上，且包括多个叉指电极，多个叉指电极位于叉指电极区，且...
    2026-03-01
  • 具有布拉格反射结构的微机械谐振器及其制备方法
    具有布拉格反射结构的微机械谐振器及其制备方法_北京晶芯微科技有限公司_202511493158.1
    本发明公开了一种具有布拉格反射结构的微机械谐振器及其制备方法，包括：衬底，以及设于衬底上依次设置的埋氧层和器件层；所述衬底上侧设有凹槽，所述器件层和设于凹槽上的埋氧层形成空腔；所述器件层上表面的两侧均设有多层弧形凹槽；所述弧形凹槽内可选的设...
    2026-03-01
  • 一种体声波谐振器及其制备方法
    一种体声波谐振器及其制备方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511534671.0
    本发明提供了一种体声波谐振器及其制备方法，体声波谐振器包括衬底，以及位于衬底上的反射介质层；设置于反射介质层上的谐振器组件，谐振器组件包括底部电极、压电层和顶部电极，压电层位于底部电极与顶部电极之间；在反射介质层中设置有层叠设置的多层布拉格...
    2026-03-01
  • 声表面波器件及射频前端模组
    声表面波器件及射频前端模组_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202511664954.7
    本申请公开一种声表面波器件及射频前端模组，声表面波器件包括压电层、声速层和叉指电极，所述叉指电极包括多个电极指。压电层具有相对设置的第一面和第二面，叉指电极设于压电层的第一面，声速层设于压电层的第二面；声表面波器件工作时的声波包括声表面波和...
    2026-03-01
  • 一种弹性波器件
    一种弹性波器件_三安日本科技株式会社_202511040081.2
    本发明提供一种弹性波器件，包含：压电基板，IDT电极，IDT电极具有：层叠部，由第1金属层及第2金属层交替设置形成，第1金属层由第1金属构成，第2金属层由密度比第1金属大，电阻率比第1金属小的第2金属构成；第3金属层，形成于层叠部之上，第3...
    2026-03-01
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