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最新专利技术
  • 光探测器芯片、光调制器芯片、集成光芯片及光通信设备
    光探测器芯片、光调制器芯片、集成光芯片及光通信设备_上海诣岳科技有限公司_202410995355.2
    本申请提供了一种光探测器芯片、光调制器芯片、集成光芯片及光通信设备，光探测器芯片包括：设置在第一介质层中的第一光波导和光探测器；第一光波导为超低无源损耗材料；第一光波导配置为通过倏逝波耦合方式将光耦合进光探测器，光探测器配置为将光信号转换为...
    2026-02-06
  • 一种用于改善PID的TOPCON电池正面钝化结构
    一种用于改善PID的TOPCON电池正面钝化结构_宜宾英发德坤科技有限公司_202511751086.6
    本发明公开了一种用于改善PID的TOPCON电池正面钝化结构，涉及电池制备技术领域，包括N型硅基体，从内到外依次层叠有高厚度氧化铝钝化膜、超薄氮氧化硅膜、氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜，所述氮化硅膜层从内到外依次包括底层高折射氮化硅膜、...
    2026-02-06
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511683134.2
    本发明提供一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：衬底；多层氧化铝层，多层氧化铝依次叠置在衬底的表面；多层氧化铝层中距离衬底最近的氧化铝层的孔隙率低于多层氧化铝层中其它的氧化铝层的孔隙率。该太阳能电池可以降低UV的衰减，从而提高太阳能电...
    2026-02-06
  • 太阳能电池、电池组件及光伏系统
    太阳能电池、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511589108.3
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，包括：硅衬底，所述硅衬底具有正面和与所述正面相对的背面；在所述硅衬底的背面交替间隔设置有第一掺杂区域和第二掺杂区域；本申请通过在第一掺杂区域的硅衬底表面直接进行无多晶硅层的...
    2026-02-06
  • 一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件
    一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511625998.9
    本申请涉及一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件，包括N型基底，N型基底的第一表面包括第一区域和第二区域，第一区域包括第一子区域，隧穿层设置在第一区域上，掺杂导电层设置在隧穿层远离N型基底的一侧，第一钝化层设置在掺杂导电层远离隧穿层的一侧以及第...
    2026-02-06
  • 一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511621729.5
    本申请设计光伏技术领域，特别是一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，背接触电池包括基底、细栅和标记点，细栅包括沿第二方向交替排布的第一细栅和第二细栅，标记点至少覆盖相邻两个第一细栅，或者，标记点至少覆盖相邻两个第二细栅，用于标记位于标记...
    2026-02-06
  • 太阳能电池片和太阳能电池串组
    太阳能电池片和太阳能电池串组_天合光能股份有限公司_202511595082.3
    本发明提供一种太阳能电池片和太阳能电池串组，其包括电池片主体和设置在电池片主体的第一表面的副栅结构，电池片主体的第一表面划分有常规区域和环绕在常规区域周围的加强区域；副栅结构包括相互平行的至少四个第一副栅线，第一副栅线的中心段和位于中心段两...
    2026-02-06
  • 太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511576177.0
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制备方法、电池组件、光伏系统；太阳能电池包括掺杂层及复合电极，复合电极设于掺杂层且包括层叠设置的第一导电层与第二导电层；掺杂层位于第一导电层背离第二导电层的一侧，且掺杂层与第一导电层电...
    2026-02-06
  • 背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511987137.5
    本申请提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，背接触太阳能电池包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面、第二表面和侧表面；所述半导体衬底的第二表面设置有交替排布的第一导电区域和第二导电区域；所述第一导电区域内层叠设有...
    2026-02-06
  • 一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511706872.4
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅片，硅片包括相对设置的背面和正面，背面包括第一区域；设置于第一区域的第一掺杂层，第一掺杂层具有呈镂空设置的若干个第一镂空部，第一区域对应第一镂空...
    2026-02-06
  • 背接触电池及其制备方法、电池组件、光伏系统
    背接触电池及其制备方法、电池组件、光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511653724.0
    本申请适用于背接触电池技术领域，提供了一种背接触电池及其制备方法、电池组件、光伏系统；背接触电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层以及第一硅材料层；硅衬底的背面包括若干第一区域、若干第二区域以及设置于第一区域与第二区域之间的非掺杂区；第一掺...
    2026-02-06
  • 一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件
    一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511584917.5
    本发明提供一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件。背接触太阳能电池包括硅基底，硅基底包括相背的受光面和背光面，背光面具有沿垂直于硅基底厚度的方向依次交替排布的第一区域、漏电复合区域和第二区域；第一区域和第二区域的掺杂极性相反；沿远离硅基底的厚...
    2026-02-06
  • 一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件
    一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511584154.4
    本发明提供一种背接触太阳能电池和太阳能电池组件。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面设有连续排列的第一区域、第三区域和第二区域；在第三区域上依次层叠设置的第一隧穿介质层、第一掺杂层、绝缘介质层和第二掺杂层；第二掺杂层包括交替层叠设置...
    2026-02-06
  • 一种低翘曲度的薄膜太阳电池制作方法
    一种低翘曲度的薄膜太阳电池制作方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511982750.8
    本发明公开一种低翘曲度的薄膜太阳电池制作方法，旨在解决电池制备中因材料本征应力、热膨胀系数不匹配导致的翘曲问题。其技术方案包括：外延片预处理时，依次蒸镀Au接触层、压/张应力金属交替膜层及Au键合层；薄膜支撑衬底预处理时，一侧蒸镀Cr‑Ti...
    2026-02-06
  • 一种高功率光伏组件的制造方法
    一种高功率光伏组件的制造方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511913926.4
    本发明公开了一种高功率光伏组件的制造方法，旨在解决现有晶硅光伏组件玻璃下表面镜面反射致光损、紫外光利用率低且易加速封装胶膜老化的技术问题。该方法先对光伏正面玻璃下表面进行氢氟酸刻蚀或微米级熔融压花处理，形成凹凸陷光结构以降低入射光镜面反射；...
    2026-02-06
  • 一种背接触锡膏电池及其制备方法
    一种背接触锡膏电池及其制备方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511833985.0
    本发明公开了一种背接触锡膏电池及其制备方法，属于光伏电池组件技术领域。本发明的背接触锡膏电池的制备方法，包括以下步骤：制备背接触电池；制备印刷锡膏的网版；基于制备的网版和背接触电池制备背接触锡膏电池；背接触电池包括主栅，主栅上设置有若干焊点...
    2026-02-06
  • 一种三维石墨烯-硫化铅复合薄膜红外探测器的制备方法及系统
    一种三维石墨烯-硫化铅复合薄膜红外探测器的制备方法及系统_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202511683440.6
    本发明属于半导体光电技术领域，公开了一种三维石墨烯‑硫化铅复合薄膜红外探测器的制备方法，使用聚酰亚胺双面胶带将两片载玻片的短边两侧粘在一起；配制氧化石墨烯GO与硫化铅前驱体溶液，混合均匀装入水热釜之中，将粘好的载玻片浸渍其中，抽真空静置一段...
    2026-02-06
  • 太阳能电池导通缺陷处理方法、电池、组件及光伏系统
    太阳能电池导通缺陷处理方法、电池、组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511590045.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池导通缺陷处理方法、电池、组件及光伏系统，太阳能电池包括位于第一极性掺杂区的第一栅线和位于第二极性掺杂区的第二栅线；第一极性掺杂区与第二极性掺杂区的极性不同；该方法包括：确定太阳能电池是否存在...
    2026-02-06
  • 一种用于光伏电池片工艺中制作浅结的方法
    一种用于光伏电池片工艺中制作浅结的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511586113.9
    本发明公开了一种用于光伏电池片工艺中制作浅结的方法，涉及电池制造技术领域，包括：对硅片进行预处理操作；对硅片进行第一次预氧化处理，使所述硅片表面形成一层氧化层；对硅片进行第一次通源处理，使所述硅片表面形成初步PN结；对硅片进行第二次预氧化处...
    2026-02-06
  • 一种改善topcon太阳能电池紫外衰减的方法
    一种改善topcon太阳能电池紫外衰减的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511586105.4
    本发明公开一种改善TOPCon太阳能电池紫外衰减的方法，针对现有TOPCon电池因紫外激发氢原子逃逸致钝化失效、效率衰减的问题，在常规工艺基础上优化：先对N型硅片经清洗制绒、硼扩散、去BSG抛光、背面PEVD氧化层沉积后，执行RCA去除正面...
    2026-02-06
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