Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置
    一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置_广州南砂晶圆半导体技术有限公司_202511743108.4
    本申请涉及碳化硅单晶生长设备技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置，用于碳化硅单晶生长的加热器包括相对设置的第一加热单元和第二加热单元；第一加热单元和第二加热单元合围构成用于容纳碳化硅单晶生长坩埚的空间；第一加...
    2026-03-23
  • 一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统
    一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712514.4
    本发明公开了一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统，汞监测收集装置包括排气管，所述排气管的入口用于与反应室相连，所述排气管沿排气方向依次设有反应室排气阀、冷阱、文丘里管和鼓泡瓶，所述鼓泡瓶内设有磁性脱汞剂，所述排气管的入口至文丘里管之间的...
    2026-03-23
  • 基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质
    基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质_无锡唯因特数据技术有限公司_202511685975.7
    本发明提供一种基于拉速的放肩控制方法，包括以下步骤：对于选定的晶体规格，选择对应的预先配置的直径生长速率预测模型和拉速预测模型；在放肩阶段，当晶体按照SOP控制生长至预设长度时，通过直径生长速率预测模型预测获得晶体长度为预设长度+一个单位长...
    2026-03-23
  • 单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511566789.1
    本发明提供单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在单晶等径生长过程中，获取当前周期直径测量值、晶棒拉速检测值、直径设定值及晶棒拉速设定值；基于当前直径测量值、直径设定值计算当前直径偏差值；基于...
    2026-03-23
  • 基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法
    基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法_西安理工大学_202512007978.1
    本申请提出一种基于事件触发学习的半导体硅单晶生长值预测方法，属于硅单晶生长预测技术领域。包括以下步骤：根据硅单晶生长机理构建值状态空间模型；将值状态空间模型嵌入长短期记忆网络中，构建网络模型；在网络模型中引入注意力机制，并依次进行加权融合处...
    2026-03-23
  • 一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质
    一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质_深圳市朗帅科技有限公司_202511956358.6
    本发明公开了一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质，涉及氧化镓单晶温控技术领域，包括，实时监测晶体生长区的温度分布数据；根据温度分布数据设定预热曲线，并对晶体生长区进行逐步加热，获取稳定温度数据；基于稳定温度数据，通过粒子群优化算...
    2026-03-23
  • 一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用
    一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用_青海高景太阳能科技有限公司_202511694399.2
    本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及一种拉晶热场控制方法、拉晶热场系统和应用。所述的拉晶热场控制方法，包括以下步骤：在直拉单晶硅的等径生长阶段，当硅棒固化率≤30%时，将氩气流量控制在90~120SLPM，将炉压控制在800~1000P...
    2026-03-23
  • 一种单晶硅棒的电阻率调节方法
    一种单晶硅棒的电阻率调节方法_江苏芯诺半导体科技有限公司_202511675924.6
    本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种单晶硅棒的电阻率调节方法，包括：配制硅原料，装入单晶炉内进行熔料，熔料完毕后进行引晶和放肩操作；在放肩阶段结束时停止拉晶，保留硅熔体在单晶炉内并取出肩状硅体；测试肩状硅体的电阻率，获得实测电阻率；判...
    2026-03-23
  • 一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法
    一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法_包头美科硅能源有限公司_202511250442.6
    本发明涉及单晶炉副室定位技术领域，具体涉及一种单晶炉副室合炉用定位引导装置及定位方法，包括底座和立柱，立柱底部与底座顶部一端固定连接，底座顶部另一端与炉体底部固定连接，还包括导向柱、导向套、开合炉组件、纠偏环、挤压组件和联动组件，导向柱和副...
    2026-03-23
  • 一种降低单晶硅棒短断苞的方法
    一种降低单晶硅棒短断苞的方法_宁夏中环光伏材料有限公司_202410961916.7
    本申请提供一种降低单晶硅棒短断苞的方法，步骤包括：获取上一颗晶棒中等经段中的拉速修正量；获取上一颗晶棒的实际放肩功率降幅值；基于上一颗晶棒的拉速修正量和放肩功率降幅值，获得下一颗晶棒的预放肩功率降幅值。本申请一种降低单晶硅棒短断苞的方法，可...
    2026-03-23
  • 一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法
    一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511599632.9
    本发明公开了一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶，包括以下原料：InP多晶料、无水三氧化二硼、红磷和硫化铟；其制备方法，包括以下步骤：将上述原料加入坩埚中，然后置...
    2026-03-23
  • 晶体生长装置及结晶方法
    晶体生长装置及结晶方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511957583.1
    本发明提供一种晶体生长装置及结晶方法，包括：主腔室；位于主腔室内的坩埚，用于容纳原料熔体，坩埚的开口上方与主腔室的内壁之间具有第一冷却区；籽晶杆，用于连接籽晶后与原料熔体的表面接触进行结晶生长；位于主腔室内的电阻加热器，设置于坩埚周围，用于...
    2026-03-23
  • 一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3-nCln晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用
    一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3-nCln晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用_中国人民解放军空军工程大学_202511450543.8
    本发明公开了一种Pb基杂化钙钛矿MAPbBr3‑n3‑nClnn晶体的同质与异质籽晶外延生长方法及应用，涉及钙钛矿晶体生长技术领域。所述方法包括获取同质籽晶或者异质籽晶；将MABr、PbBr22、PbCl22溶解于有机溶剂中，经过滤后，得到...
    2026-03-23
  • 一种晶体材料制备的提纯工艺及设备
    一种晶体材料制备的提纯工艺及设备_四川华树航新材料有限公司_202511601710.4
    本发明公开了一种晶体材料制备的提纯工艺及设备，具体涉及晶体材料制备技术领域，包括以下操作步骤：S1、原料预处理：取待提纯晶体材料，晶体材料重量为100‑500g，去除表面可见杂质后进行破碎处理，形成晶体颗粒，粒径为0.5‑2mm。该晶体材料...
    2026-03-23
  • 一种基于溶胶-凝胶法制备类单晶锰酸锂正极材料的方法
    一种基于溶胶-凝胶法制备类单晶锰酸锂正极材料的方法_桂林电子科技大学_202511515020.7
    一种基于溶胶‑凝胶法制备类单晶锰酸锂正极材料的方法，包括：配置络合剂溶液；将锰源化合物缓慢加入络合剂溶液中，在搅拌条件下形成均匀的溶胶；将获得的溶胶进行加热，蒸发后得到湿凝胶；将湿凝胶进行真空干燥，得到凝胶前驱体；将凝胶前驱体进行研磨，并与...
    2026-03-23
  • 基于脉冲高压辅助的电解等离子体抛光方法
    基于脉冲高压辅助的电解等离子体抛光方法_哈尔滨工业大学_202511873181.3
    基于脉冲高压辅助的电解等离子体抛光方法，涉及金属材料构件表面精整加工领域。解决了当前电解质等离子抛光加工对于高表面粗糙度构件抛光效果受限，且对于异形结构抛光均匀性较差的问题。本发明脉冲高压辅助可以提高抛光过程中整个系统的能量输入，进而在工件...
    2026-03-23
  • 一种电化学溶解半导体衬板回收贵金属的方法
    一种电化学溶解半导体衬板回收贵金属的方法_深圳市博远贵金属科技有限公司_202511863300.7
    本发明公开了一种电化学溶解半导体衬板回收贵金属的方法，属于贵金属回收技术领域，其技术方案要点是包括如下步骤：衬板清洗；衬板作阳极，钛板作阴极，阳极电化学溶解液为含氯离子的酸性混合溶液，阴极电化学溶解液为盐酸溶液，阴极和阳极之间设置阳离子交换...
    2026-03-23
  • 一种新型电解铜箔及其制备方法
    一种新型电解铜箔及其制备方法_湖北中一科技股份有限公司_202511799137.2
    本申请提供了一种新型电解铜箔及其制备方法，属于电解铜箔表面处理技术领域，包括如下步骤：将电解生箔在预处理液中浸泡进行低轮廓处理，得到预处理铜箔；以预处理铜箔为阴极，置于粗化液中电镀，进行粗化处理，得到粗化铜箔；粗化液包括铜源、硫酸、添加剂和...
    2026-03-23
  • 一种手机配件生产用连续电镀设备及其电镀工艺
    一种手机配件生产用连续电镀设备及其电镀工艺_惠州银瓶山实业有限公司_202511710766.3
    本发明涉及电镀领域，其公开了一种手机配件生产用连续电镀设备，包括电镀槽体与悬挂组件，电镀槽体内设置有隔板a，隔板a沿电镀槽体的长度方向阵列设置有多个，多个隔板a配合将电镀槽体的内腔分隔呈多个互不连通的电镀室，电镀槽体的一侧设置有侧支架，侧支...
    2026-03-23
  • 电镀辅助阴极的制备及使用方法
    电镀辅助阴极的制备及使用方法_中国航发南方工业有限公司_202511625121.X
    本发明公开了一种电镀辅助阴极的制备及使用方法，该制备方法包括以下步骤：将短切金属纤维与无水乙醇按预设固液比混合，经球磨设备湿磨后通过惰性气体干燥得到预制纤维；将预制纤维与电镀保护胶混合形成混合涂料；将混合涂料置于搅拌设备中并向搅拌设备内加入...
    2026-03-23
首页 上一页 8 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证