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  • 本公开实施例提供一种芯片封装方法及封装结构,该方法包括:提供芯片,在芯片的功能面形成多个磁性凸块;提供基板,在基板的功能面形成多个磁性焊盘,磁性焊盘与磁性凸块相对应;将芯片的功能面倒装贴装于基板的功能面,其中,磁性凸块与磁性焊盘通过磁性吸附...
  • 本发明公开了一种提高芯片封装回流焊过程中锡球连接稳定性的工艺,将芯片基板固定在治具上,然后将第一孔板贴装在芯片基板上并固定在第一孔板上刷上第一层锡膏并抹平;在第一孔板上加入锡球,控制治具、第一孔板和芯片基板整体进行反复摆动,直到制第一孔板的...
  • 本申请提供了一种基于高铜柱的电路板双层封装方法及其电子设备,通过提供导电基板,在导电基板上制备多个贯穿孔形成第一板体;在第一板体的上表面制备可溶解材料层形成第二板体;在第二板体的外露表面制备导电层形成第三板体,在第三板体的上表面及下表面区域...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开一种半导体三维封装设计方法及系统,该方法包括:制备至少两个立方体基板,并在每个立方体基板上分别设置重布线层;其中,每个立方体基板上的重布线层用于将对应立方体基板内部导通并延伸至对应立方体基板的外表面;在每个...
  • 提供了一种半导体封装,包括:封装衬底,具有设置在封装衬底的顶表面上的第一上连接焊盘和第二上连接焊盘;第一半导体芯片,设置在封装衬底上;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片上;多个第一芯片焊盘和多个第二芯片焊盘,分别设置在第一半导体芯片和第二...
  • 本发明属于半导体封装技术领域,具体的说是一种新型芯片封装结构及其封装工艺,包括上封装基体、下封装基体、芯片主体、导电连接部及多个引脚,通过高导热材料和鸥翼型引脚设计优化散热性能与电性连接路径,采用注塑工艺简化制造流程。本申请可以实现减少寄生...
  • 本公开实施例提供一种晶圆键合结构及其制造方法。晶圆键合结构包括:第一基板;位于所述第一基板表面的具有至少一个凹槽的键合层;其中所述键合层由3D打印形成;所述凹槽内壁依次附着有粘附层和种子层;附着有所述粘附层和所述种子层的所述凹槽内填充有金属...
  • 本发明涉及一种借助于用于操作晶片的操纵器装置和借助于多个工作站在晶片的连结面上产生接触金属化部的方法,工作站分别具有用于容纳晶片的工艺腔,其中多个工作站具有至少一个沉积站,其具有用于容纳由沉积到晶片(11)的连结面上的接触金属构成的溶液的工...
  • 本发明公开了一种基于特定温度差不同热膨胀量调节应力的封装装置,包括基板,所述基板上的至少两种不同参数的坑,所述基板上填充坑内的热膨胀材料,所述基板上的半导体材料。本发明通过特定温度差不同热收缩量的加入,实现了特定温度下的应力调节功能,实现芯...
  • 本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元,其包括一载板、一第一介电层、至少一天线、至少一裸晶、一第二介电层、至少一导电柱、多条第一导接线路、一第三介电层、多条第二导接线路及一外护层;其中各第一导接线路及各第二导接线路是经由利用先将金属膏填注于凹槽...
  • 本申请公开了一种芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法,涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基板、第一芯片组件和第二芯片组件,基板包括相对设置的第一表面、第二表面以及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,基板内具有第一重布线层,第一表面...
  • 本申请公开了一种封装基板以及芯片封装结构,封装基板包括层叠的若干导电层;若干导电层中至少一层作为接地层,接地层包括第一区域金属层和第二区域金属层,第二区域金属层位于第一区域金属层的内部镂空处且与第一区域金属层之间具有绝缘间隙;用于接地的第一...
  • 一种重布线结构及其形成方法,其中重布线结构包括:至少一重布线层;所述重布线层包括:沿第一方向延伸的若干信号线和若干接地线;所述信号线及所述接地线沿第二方向交替分布,所述第一方向与所述第二方向垂直。所述重布线层内的信号线和接地线沿第二方向交替...
  • 本申请提供了一种堆叠封装结构及其制备方法和电子设备,涉及封装技术领域。堆叠封装结构包括沿第一方向堆叠固定设置的至少两个封装基板,任意两个封装基板之间无互连线;封装基板包括:电路板,电路板的一侧表面包括位于中心的芯片连接区和位于边缘的引脚连接...
  • 本发明提供了一种功率模块封装结构及其封装工艺,包括上基体;与所述上基本相对设置的散热底板;设置于所述上基体以及所述散热底板之间的AMB基板;以及设置于所述AMB基板上的功率芯片,所述功率芯片的源极通过铜夹片与外部端子电连接,且所述铜夹片与所...
  • 本发明涉及功率半导体技术领域,公开了一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路,本发明的SiC功率模块为六层PCB板叠层结构,包括自上而下依次设置的SiC功率器件布局层、低阻抗参考地平面层、漏极走线层、源极走线层、驱动供电层...
  • 本发明提供一种封装结构及其形成方法,所述布线插入层中的所述桥接芯片与所述芯片封装组件通过第一有机互连层以及第二有机互连层键合连接,第一有机互连层以及第二有机互连层键合形成有机混合键合结构,所述桥接芯片无需与所述芯片封装组件通过焊锡连接,则不...
  • 本发明提供一种封装结构及其形成方法,在所述封装结构中,所述桥接芯片的背面与所述底部重布线层的正面通过第一键合结构连接,所述第一键合结构为有机与无机混合键合结构或者有机混合键合结构,和/或所述桥接芯片的正面与所述顶部重布线层的背面通过第二键合...
  • 提供了一种具有减少的寄生电容的再分布结构。该再分布结构可以包括通孔层和在与通孔层垂直的第一方向上设置在通孔层上的布线层,布线层包括金属板和被配置为在第一方向上穿透金属板的第一绝缘图案。第一绝缘图案的外侧表面可以从金属板的侧表面暴露。
  • 本申请提供一种封装体结构及其制备方法、电子设备。封装体结构包括玻璃基板、芯片和导电层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面、及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,第一侧面为凸面。芯片连接于玻璃基板的第一表面,芯片包括第二侧面,芯片的第二...
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