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最新专利技术
  • 一种存储器及其操作方法
    一种存储器及其操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410993352.5
    本申请公开了存储器及其操作方法，所述存储器包括多条全局译码连接线以及多条位线，所述操作方法包括：将所述多条位线中包括连接选定存储单元的目标位线以及与所述目标位线相邻的m‑1条位线在内的选定位线组中的m条位线，分别连接至m条全局译码连接线，m...
    2026-03-21
  • 存储块的擦除方法及存储器
    存储块的擦除方法及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410986569.3
    本申请公开了一种存储块的擦除方法及存储器。该擦除方法包括：基于擦除指令对存储块执行擦除操作；对擦除操作完成后的中间数据字线进行擦除验证操作；响应于中间数据字线未通过擦除验证操作，擦除操作的循环次数加一，并调整擦除操作的擦除电压，返回再次执行...
    2026-03-21
  • 一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用
    一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用_浙江大学_202511951196.7
    本发明公开一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用，是在带有分裂栅的非易失性闪存存储器中，选择栅MG和存储节点MS开启下施加正源极电压、正漏极电压与负存储栅电压，以在沟道内产生高能沟道热电子；通过沟道热电子的碰撞...
    2026-03-21
  • 存储器操作方法
    存储器操作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415527.5
    本发明提供一种存储器操作方法，应用于包括多个分离栅浮栅器件的存储器阵列。该方法包括：对与待编程的目标存储部分连接的目标位线施加第一电压；对与目标字线上待进行编程抑制的至少第一和第二抑制存储部分连接的第一和第二位线，分别施加电平互不相同的第二...
    2026-03-21
  • 一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构
    一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构_长江存储控股股份有限公司_202410924239.1
    本申请提供了一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构，涉及半导体芯片技术领域。该存储器系统包括存储器和处理电路，存储器和处理电路通过接口电路耦接。接口电路包括第一接口电路和第二接口电路，存储器包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路。其...
    2026-03-21
  • 半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202410940838.2
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质，所述半导体器件包括存储阵列、与存储阵列耦接的外围电路，以及与存储阵列中的存储单元耦接的第一字线组和第二字线组；与第二字线组耦接的存储单元位于与第一字线组耦接的存储单元和与第一...
    2026-03-21
  • 半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202410940293.5
    本公开实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括存储器阵列和与存储器阵列耦接的外围电路，外围电路被配置为：在第一编程循环的编程阶段，对第一字线施加第一编程电压，并同时对与第一字线相邻的第二字线施加第二编程电压；第一编程电压与第二编程电压的差...
    2026-03-21
  • 新型存储器及其控制方法和控制电路
    新型存储器及其控制方法和控制电路_新存科技(武汉)有限责任公司_202511572677.7
    本公开实施例公开了一种新型存储器及其控制方法和控制电路。该控制方法包括：在第一时段将施加到所述新型存储器的至少一个目标存储单元的控制信号由第一信号值变化为第二信号值；在第二时段向所述目标存储单元施加所述第二信号值的所述控制信号；在第三时段将...
    2026-03-21
  • 存储器电路、集成芯片及其操作方法
    存储器电路、集成芯片及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408457.0
    本申请的实施例公开了存储器电路、集成芯片及其操作方法。存储器电路，包括第一位线、第二位线、第一字线、第二字线、第一存储器单元、第二存储器单元、第一感测放大器、第一位线晶体管和第二位线晶体管。第一存储器单元耦合到第一位线和第一字线。第二存储器...
    2026-03-21
  • 用于降低RERAM器件中非选中晶体管的TDDB的系统及方法
    用于降低RERAM器件中非选中晶体管的TDDB的系统及方法_威比特纳诺有限公司_202511016109.9
    在电阻式随机存取存储器(ReRAM)阵列的传统编程过程中，许多ReRAM单元会承受不必要的应力。这种过应力导致与时间相关电介质击穿(TDDB)可靠性较低。根据本实施例，在被编程单元的位线(BL)上施加负电压，同时在所有未被编程单元的字线(W...
    2026-03-21
  • 一种用于SRAM存储器的冗余列切换控制电路
    一种用于SRAM存储器的冗余列切换控制电路_北京时代民芯科技有限公司_202511298596.2
    本发明涉及一种用于SRAM存储器的冗余列切换控制电路，包括：冗余列切换地址译码模块，用于接收冗余列切换地址并输出译码信号参与冗余列的替换管理，其地址码型决定冗余列号；冗余列切换管理模块，用于产生写、读通路通断控制信号；写、读通路通断控制模块...
    2026-03-21
  • 一种芯片、芯片控制方法及电子设备
    一种芯片、芯片控制方法及电子设备_上海壁仞科技股份有限公司_202511963969.3
    本申请提供一种芯片、芯片控制方法及电子设备，芯片包括控制模块、存储模块以及状态模块；存储模块包括无复位引脚的存储器；控制模块通过读写线与存储模块以及状态模块连接，用于通过读写线发送读写信号；控制模块还通过复位线与状态模块连接，用于通过复位线...
    2026-03-21
  • 一种基于SRAM的低功耗感知读写电路、芯片
    一种基于SRAM的低功耗感知读写电路、芯片_安徽大学_202511592371.8
    本发明公开了一种基于SRAM的低功耗感知读写电路、芯片，涉及静态随机存取存储器电路设计技术领域。本发明一种基于SRAM的低功耗感知读写电路，其一方面设计了数据预处理电路对数据以连续三位作为一组的方式进行预处理以得到相应的标注符号位，另一方面...
    2026-03-21
  • 一种基于电容网络的电荷域线性加权电路
    一种基于电容网络的电荷域线性加权电路_电子科技大学_202511580459.8
    本发明涉及集成电路设计技术领域，具体为一种基于电容网络的电荷域线性加权电路。本发明通过构建满足二进制比例的电容网络配合时序控制，以电荷共享的方式直接实现加权，将复杂的模拟加权过程转化为一系列的电荷共享操作，输出的模拟电压可直接送至量化模块，...
    2026-03-21
  • 用于提高字线和位线的信号设置速度的存储设备
    用于提高字线和位线的信号设置速度的存储设备_三星电子株式会社_202510870054.1
    一种存储设备包括核心外围电路结构和单元阵列结构。单元阵列结构包括第一子阵列和第二子阵列。核心外围电路结构包括第一偶数子字线驱动器电路和第二偶数子字线驱动器电路以及第一奇数子字线驱动器电路和第二奇数子字线驱动器电路。核心外围电路结构的第一区域...
    2026-03-21
  • 一种用于存内计算的专用执行控制装置及控制方法
    一种用于存内计算的专用执行控制装置及控制方法_天津津航计算技术研究所_202511627102.0
    本申请提供一种用于存内计算的专用执行控制装置及控制方法，其中，控制装置包括用于接收并缓存批量位运算指令的指令缓存组件、用于缓存微程序的微程序存储组件、用于存储当前执行微操作码序列的微操作码存储组件、用于生成DRAM行物理地址的寻址组件、用于...
    2026-03-21
  • 一种恢复氧化铪基铁电擦写印记现象的方法
    一种恢复氧化铪基铁电擦写印记现象的方法_晶铁半导体技术(广东)有限公司_202511532080.X
    本发明提出了一种恢复氧化铪基铁电擦写印记现象的方法，涉及铁电薄膜领域，包括对施加电脉冲进行数据擦写后的氧化铪基铁电薄膜器件，施加双极性电脉冲，或与数据擦写电脉冲结束后极化方向相反的单极性电脉冲。通过该方法，能够有效恢复因为数据擦写导致的印记...
    2026-03-21
  • 一种基于1FeFET-1C结构的非易失性计算存储阵列及寄生电容补偿方法
    一种基于1FeFET-1C结构的非易失性计算存储阵列及寄生电容补偿方法_浙江大学_202511418810.3
    本发明公开了一种基于1FeFET‑1C结构的非易失性计算存储阵列及寄生电容补偿方法，以克服现有技术中模式依赖电容变化导致阵列输出线性度下降和感测裕度减小的问题，实现大规模CiM阵列性能的准确评估与优化。补偿方法包括：在TCAD平台建立包含G...
    2026-03-21
  • 用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路、方法及存储设备
    用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路、方法及存储设备_寒序科技(北京)有限公司_202511433075.3
    本申请公开一种用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路、方法及存储设备。用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路包括多个存储阵列、源线复用单元和阵列间缓冲级单元，阵列间缓冲级单元设置于相邻两个存储阵列之间；存储阵列根据控制信号产生预设低阈值...
    2026-03-21
  • 非易失存储器结构、读地址进位方法和介质
    非易失存储器结构、读地址进位方法和介质_珠海博雅科技股份有限公司_202511287605.8
    本发明公开了一种非易失存储器结构、读地址进位方法和介质，涉及存储器技术领域。该结构包括：系统控制模块，用于根据读命令生成控制信号；地址模块，用于根据控制信号生成地址信号；译码模块，用于根据地址信号生成译码选择信号；锁存模块，用于锁存译码选择...
    2026-03-21
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