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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511373116.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的表面形成多晶硅层，对第二区域上方的多晶硅层进行离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在多晶硅层上形成第一介质层；去除位于第一区域上方的多晶硅层和第一介质层，以...
    2026-04-27
  • 一种芯片的制备方法及芯片
    一种芯片的制备方法及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511907701.8
    本申请公开了一种芯片的制备方法及芯片，芯片的制备方法，包括：在半导体层上依次形成第一导体层和第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成桥墩结构；在所述桥墩结构之间形成牺牲层；在所述桥墩结构上依次形成第三绝缘层和桥梁结构；以及去除所述牺牲层，形成空气...
    2026-04-27
  • 形成钼的金属膜的方法及装置
    形成钼的金属膜的方法及装置_东京毅力科创株式会社_202510902013.6
    本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置，能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时，实施以下工序：对基板形成钨的金属基底膜；以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜，钼的晶粒尺寸变大，能够形成电阻率小的...
    2026-04-27
  • 实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法
    实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415530.7
    本发明提供一种实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法。该方法包括：对形成于金属层上的光刻胶层进行减薄处理；通过调整光刻工艺的焦距及进行紫外光固化烘烤处理，使光刻胶层形成具有目标倾斜角度的掩模形貌；以该掩模形貌为掩模，采用去耦等离子体源刻蚀设备，通...
    2026-04-27
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510842834.5
    一种互连结构及其形成方法。互连结构包括设置于第一介电层中的第一导电结构、设置于第一介电层上方的第二介电层，以及设置于该第二介电层中及该第一导电结构上方的第二导电结构。第一导电结构包括第一阻障层及第一主导电层。第二导电结构包括第二阻障层、第二...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410940390.4
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一金属层和覆盖所述第一金属层顶面的介电层；形成位于所述介电层中的第一开口，且所述第一开口的深度小于所述介电层的厚度；形成位于所述第一开口侧壁的保护层；以及加深所述第一开口，使...
    2026-04-27
  • 降低后段互联接触电阻的方法
    降低后段互联接触电阻的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416401.X
    本发明公开了一种降低后段互联接触电阻的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在形成暴露下层铜互连结构的开口后，对衬底进行表面处理。所述表面处理采用包含还原性气体(例如氢气)的处理气体，在等离子体环境中，将所述下层铜互连结构表面的氧化铜还...
    2026-04-27
  • 晶粒制作工艺、晶粒及芯片
    晶粒制作工艺、晶粒及芯片_长沙安牧泉智能科技有限公司_202511489792.8
    本发明公开了一种晶粒制作工艺、晶粒及芯片，本发明的晶粒制作工艺，能加工出侧部形成有PAD的晶粒，将该工艺制得的晶粒用于芯片时，使得其它在侧边留有端口的器件(例如RLC器件)能直接焊接在晶粒侧部的PAD上，实现与晶粒的电连接，无需经由在基板内...
    2026-04-27
  • TSV工艺金属层对准方法
    TSV工艺金属层对准方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511335128.8
    本发明公开了一种TSV工艺金属层对准方法，包括：S1，制作CT层标记；S2，执行CT层金属填充工艺；S3，TSV层光刻定义TSV图形，同时将CT层标记区域光刻胶去除；S4，TSV层刻蚀，利用填充金属与Si刻蚀选择比，反相刻蚀出与CT层标记反...
    2026-04-27
  • DTI结构制作方法及DTI结构
    DTI结构制作方法及DTI结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415537.9
    本发明公开了一种DTI结构制作方法，包括以下步骤：S1，衬底上依次形成第一氧化层、第一SiN层、第二氧化层和第二SiN层，并刻蚀形成沟槽；S2，氮化硅回刻；S3，生长第三氧化层，第三氧化层顶部高于第二氧化层，且第一氧化层、第二氧化层和第三氧...
    2026-04-27
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410922104.1
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在衬底中形成用于制造局部氧化层的沟槽，并在沟槽侧壁的衬底中掺杂第一离子而形成侧壁阻挡层，进一步在沟槽中进行硅外延工艺，从而通过将沟槽中的硅氧化来形成局部氧化层，且在局部氧化层形成过程中通过侧壁阻挡层阻挡氧...
    2026-04-27
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410921903.7
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在衬底的待形成局部氧化层区域外围上方的刻蚀阻挡层中形成第一沟槽，并对第一沟槽底部的衬底进行第一离子的注入以形成侧部离子掺杂层，之后去除衬底的待形成局部氧化层区域的刻蚀阻挡层以形成第二沟槽，且进一步氧化第...
    2026-04-27
  • M0C Block形成方法
    M0C Block形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511429961.9
    本发明公开了一种M0C Block形成方法，包括以下步骤包括：S1, 在器件中间结构的覆盖氧化层上旋涂底层SOC、中间层Si‑ARC和顶层光刻胶的三层膜堆，随后进行曝光与显影，得到初始图形；S2, 经过多次刻蚀把初始图形逐层传递到SiN，形...
    2026-04-27
  • 预热环、内衬结构及半导体设备
    预热环、内衬结构及半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511467641.2
    本申请提供一种预热环、内衬结构及半导体设备。预热环应用于半导体设备，半导体设备包括内衬结构。内衬结构形成有开口向上的环形的预热环容纳槽。预热环容纳槽的径向外缘形成第一定位部，预热环容纳槽的径向内缘形成第二定位部。预热环包括第一环部以及由第一...
    2026-04-27
  • 一种供体衬底加工方法及复合衬底
    一种供体衬底加工方法及复合衬底_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202410927677.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种供体衬底加工方法及复合衬底。其中供体衬底加工方法包括以下步骤：S1、对供体衬底的边缘进行第一次倒角并形成第一L型倒角；S2、对供体衬底的键合面进行抛光处理；S3、盖板连接于键合面，盖板的尺寸基于键合面的...
    2026-04-27
  • 一种InGaAsP中微量As组分的确定方法
    一种InGaAsP中微量As组分的确定方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511520877.8
    本发明提供一种InGaAsP中微量As组分的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：针对多个不同y值，在衬底上生长对应的InGaAsyyP1‑y1‑y外延层，获得多个外延样品；采用预设腐蚀溶液，获取每一个y对应的腐蚀速率，进行数据拟合...
    2026-04-27
  • 半导体器件及基于其的接合状态检测方法
    半导体器件及基于其的接合状态检测方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511422267.4
    本申请提供一种半导体器件及基于其的接合状态检测方法，包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底上设置有第一测试结构，第一测试结构包括间隔设置的多个第一金属块，多个第一金属块沿着预定排布路径依次间隔排布；第二半导体衬底，第二半导体衬底上设置有第二测...
    2026-04-27
  • HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构和方法
    HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511418387.7
    本发明公开了一种HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构，第一测试区域中包括多条平行排列的第一栅极条形；各第一栅极条形包括第一P型栅极段和两端的第一N型栅极段；第一N型栅极段的伪多晶硅栅去除工艺是在第一P型栅极段形成之后进行。在靠近P型和N型栅...
    2026-04-27
  • 晶圆背面清洗机台的监控方法
    晶圆背面清洗机台的监控方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511415106.2
    本申请公开了一种晶圆背面清洗机台的监控方法，包括：提供形成有PN结导通回路的测试晶圆，测试晶圆包括顶部的层间介质层，层间介质层中形成有若干接触孔一，在层间介质层上形成有金属间介质层，金属介质层中形成有一一对应于接触孔一的顶层金属，顶层金属通...
    2026-04-27
  • 半导体结构的检测方法以及测试元件组
    半导体结构的检测方法以及测试元件组_华邦电子股份有限公司_202411077130.5
    本发明实施例提供一种半导体结构的检测方法以及测试元件组，该半导体结构的检测方法包含提供测试元件组，测试元件组包含多个隔离结构以及设置于各隔离结构之中的第一字元线及第二字元线，其中第一字元线及第二字元线分别位于各隔离结构的两侧；对测试元件组执...
    2026-04-27
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