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最新专利技术
  • 一种射频前端模组
    一种射频前端模组_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202511585466.7
    本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频前端模组，包括：基板，包括相邻设置的第一侧边和第二侧边；信号输入端口，设置于所述基板的第一侧边；信号输出端口，设置于所述基板的第二侧边；以及沿第一直线依次设置并设置于所述基板上的第一模块、第二模块和第...
    2026-01-22
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411884268.6
    本发明公开一种电子装置及其制造方法，电子装置包括一基板和一第一缓冲层。基板具有一穿孔。基板包括一第一基层和一第二基层。第一基层包括一第一子穿孔，其中第一子穿孔贯穿第一基层。第二基层与第一基层接合。第二基层包括一第二子穿孔，其中第二子穿孔贯穿...
    2026-01-22
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411874595.3
    本发明提供一种电子装置。电子装置包括基板、晶种层以及导体层。基板具有第一表面与相对于第一表面的第二表面，其中基板包括穿孔，且穿孔具有侧壁，连接第一表面与第二表面。晶种层设置于第一表面、第二表面与侧壁上。导体层设置于晶种层上，其中晶种层的表面...
    2026-01-22
  • 玻璃基板、制备方法和半导体器件
    玻璃基板、制备方法和半导体器件_中国科学院微电子研究所_202511459814.6
    本申请实施例公开了一种玻璃基板、制备方法和半导体器件，玻璃基板包括了基板本体，基板本体上形成有多个单元模块，单元模块可以为半导体器件的功能单元，或需要形成功能器件的区域，后续需要对基板本体进行切割以获取多个玻璃基板或半导体器件。密封环组中每...
    2026-01-22
  • 半导体器件和使用支撑框架来堆叠器件的方法
    半导体器件和使用支撑框架来堆叠器件的方法_星科金朋私人有限公司_202511441572.8
    半导体器件和使用支撑框架来堆叠器件的方法。一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底上的第一电气部件。在第一衬底上设置第一支撑框架。第一支撑框架具有跨第一衬底延伸的水平支撑通道和从水平支撑通道延伸到第一衬底的垂直支撑支架。第一支撑框架可以具...
    2026-01-22
  • 一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法
    一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511353139.9
    本发明提供一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法，先进行第一次光刻工艺形成图形化第一掩膜层，在第一掩膜层的辅助下刻蚀形成第一TSV孔，并电镀形成第一TSV铜柱；然后进行第二次光刻工艺形成图形化第二掩膜层，在第二掩膜层的辅助下刻蚀形...
    2026-01-22
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510333598.4
    一种半导体封装包括：封装衬底；中间衬底，在封装衬底上；光引擎单元，在中间衬底上；逻辑器件，与光引擎单元相邻，并且在中间衬底上；以及存储器件，与逻辑器件相邻，并且在中间衬底上，其中，光引擎单元包括第一再分布衬底、第一再分布衬底上的光子集成电路...
    2026-01-22
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411876786.3
    本发明公开一种电子装置，包括一电路结构、一第一电子单元以及一封装层。第一电子单元设置在电路结构上。封装层围绕第一电子单元。电路结构包括至少一第一绝缘层以及至少一第二绝缘层，至少一第一绝缘层设置在第一电子单元与至少一第二绝缘层之间，且至少一第...
    2026-01-22
  • 一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构
    一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构_天津工业大学_202511842087.1
    本发明提供了一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构，主基板两端设有正极连接端子和交流连接端子，两端子之间设有第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片的正极功率电极与正极连接端子电连接，第二芯片的正极功率电极和交流连接端子电连接，第二芯片的负极功率电极...
    2026-01-22
  • 一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架
    一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架_北京卓芯半导体科技有限公司_202511541843.7
    本发明公开了一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架。本发明框架由多个引线框架单元按照指定阵列排布组成；单个引线框架单元，包括多个引脚、支撑边框、用于在封装时通过导电胶固定芯片的基岛以及包含引脚半蚀刻区域和基岛半蚀刻区域在内的多个半...
    2026-01-22
  • 功率单元、功率模块
    功率单元、功率模块_江苏金脉电控科技有限公司_202511518832.7
    本发明提供了一种功率单元、功率模块。功率单元包括基板和设置于所述基板一侧的第一端子、第二端子、控制端子和至少一个功率芯片；所述基板包括线路层，所述第一端子、所述第二端子及所述控制端子均与所述线路层电连接；所述功率芯片包括第一电极、第二电极和...
    2026-01-22
  • 双向TVS半导体器件
    双向TVS半导体器件_苏州锝耀电子有限公司_202511080612.0
    本发明公开一种双向TVS半导体器件，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和2个在竖直方向上叠置的瞬态二极管芯片，第二引线条一端与位于底部的瞬态二极管芯片正极电连接，另一端从环氧封装体的底面延伸出并与一第二引脚连接，第一引脚、第二引...
    2026-01-22
  • 具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法
    具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510913946.5
    本文涉及一种具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：封装体，其具有在第一平面中的顶侧和在与第一平面平行的第二平面中的底侧；从封装体突出的至少一条引线，引线包括位于与第一平面平行的平面中的第一部分和朝向第二平面远离第一...
    2026-01-22
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510823590.6
    本发明提供一种半导体装置，其能够稳定地确保与半导体模块的输出端子电连接的金属端子与半导体模块的控制端子之间的绝缘距离。至少一个半导体模块(1a)配置在底板(5)的上表面上，具有控制端子(3)和水平延伸的第一输出端子(2a)。基座(7)配置在...
    2026-01-22
  • 半导体结构及其制备方法和电子设备
    半导体结构及其制备方法和电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410888005.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性。半导体结构包括：衬底，以及贯穿衬底表面的第一沟槽；金属层，设于第一沟槽下方；导电结构，贯穿第一沟槽的底部且与金属层连接；导电结...
    2026-01-22
  • 功率模组及功率设备
    功率模组及功率设备_华为数字能源技术有限公司_202410882178.7
    本申请实施方式提供一种功率模组及功率设备。功率模组包括基板、第一预封装体、第一金属引出层及塑封体。基板、第一预封装体、第一金属引出层沿第一方向依次层叠设置，塑封体封装基板、第一预封装体及第一金属引出层。第一预封装体包括第一芯片、第一走线层及...
    2026-01-22
  • 一种基底刻蚀方法及刻蚀结构
    一种基底刻蚀方法及刻蚀结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872285.2
    本申请公开了一种基底刻蚀方法及刻蚀结构，包括：在基底的表面上形成有机物掩膜；执行刻蚀工艺，对露出的基底表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤；第一刻蚀步骤使用第一气体(包括含氟气...
    2026-01-22
  • 玻璃通孔及其制备方法
    玻璃通孔及其制备方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872283.3
    本申请公开了一种玻璃通孔及其制备方法，包括：在玻璃衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体和第二气体的等离子体，对玻璃衬底的露出表面进行各向同性的第一刻蚀，形成通孔中间结构，并在其内壁和光刻胶掩膜上形成第一...
    2026-01-22
  • 玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔
    玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872280.X
    本申请公开了一种玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔，包括在玻璃材料的衬底表面上形成多个光刻胶材料的掩膜，并对掩膜表面进行第一处理；执行刻蚀工艺，对衬底进行刻蚀形成通孔，刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤，第一刻蚀...
    2026-01-22
  • 高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔
    高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872279.7
    本申请公开了一种高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔，包括：在衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执...
    2026-01-22
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