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  • 本发明公开了一种金属丝镀膜传送机构,涉及金属丝镀膜技术领域,包括收丝工作区及镀膜工作区,收丝工作区的内部下端设有收丝滚轴,收丝工作区的外部一侧设有收丝电机,收丝电机的动力输出端通过磁流体密封传动组件与收丝滚轴连接,收丝工作区的内部上下端分别...
  • 本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积设备的控制方法,以及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括:腔室本体,其中设有多个第一加热盘,其中,各所述第一加热盘上分别设有多个第一顶针,用于顶起对应的第一加热盘上的晶圆;第一升降机构,设于...
  • 本申请提供一种屏蔽罩套件和沉积设备,屏蔽罩套件用于沉积设备,屏蔽罩套件包括屏蔽罩本体和隔离环,屏蔽罩本体包括围合形成反应空间的屏蔽罩侧壁,隔离环包括隔离本体,隔离本体设于屏蔽罩侧壁朝向反应空间的内表面,且朝屏蔽罩套件的中心延伸。利用本申请提...
  • 本申请涉及一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件,涉及物理气相沉积镀膜的技术领域,一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件包括上、中、下三部分;上部:一对带粘性套的挡灰辊;中部:倒八结构不对称防污机构,防污机构包括入鼓侧的垂直L型防污件和出鼓侧的V型防污...
  • 本发明提供了一种顶针支撑机构、一种顶针支撑机构的调节方法,以及一种薄膜沉积设备。所述顶针支撑机构包括:顶针支板,设于顶针的下方,所述顶针支板上表面设有多条安装槽;以及多个顶针支座,可拆卸地安装于所述顶针支板的至少一条所述安装槽,以对准对应的...
  • 本发明涉及镀膜设备技术领域,具体是涉及真空镀膜机的镀膜控制系统,包括缓冲腔和设置于缓冲腔内部的真空腔,真空腔内还设置有放料组件;真空腔包括固定舱和移动舱,缓冲腔与真空腔之间留有过渡空间,缓冲腔上设置有能开启的舱门,通过缓冲腔的设置,在取放物...
  • 本发明公开了一种用于真空镀膜机的工件旋转机构,涉及真空镀膜设备技术领域。本发明包括底座,底座转动连接有第一转盘,第一转盘转动连接有套杆,底座安装有转动装置,第一转盘与转动装置相连接,套杆安装有升降装置,有升降装置包括升降皮带,第一转盘安装有...
  • 本揭露是有关于一种用于在一生产车间(10)中更换一工件承载装置(50)以涂覆多个基板(12)的方法。此方法包括以下步骤:通过一机器人(16)将依工件承载装置(50)从一供应区(20)移动到一处理区(14);通过机器人(16)进一步移动工件承...
  • 本发明公开了一种金属基镍铬应变薄膜及其制备方法和应用,涉及传感器应变薄膜技术领域,采用离子束溅射法制备,具体方法为:首先进行预溅射,然后进行正式溅射,在绝缘层薄膜上沉积镍铬合金应变薄膜;预溅射和正式溅射时的电压为500V~800V,加速电压...
  • 本发明涉及电加热薄膜技术领域,特别是一种柔性非晶合金基薄膜及其制备方法,制备时以FeSiB靶和Ag靶作为溅射靶材,以柔性膜为基材,通过磁控溅射的方式,在基材的表面交替沉积FeSiB层和FeSiBAg层。通过FeSiB层和FeSiBAg层交替...
  • 本发明涉及一种异形基材磁控溅射镀膜方法及加热装置,所述方法包括:将异形基材置于加热台上进行第一次溅射,使异形基材表面形成金属过渡层;在负偏压条件下对具有过渡层的异形基材进行第二次溅射,完成镀膜;其中,所述加热台具有多个开孔,所述开孔在所述加...
  • 本发明公开了一种高强韧Ti80基复合材料及其制备方法,属于钛基复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有Ti80基复合材料制备的混粉过程中由于氢化脱氢粉冷焊,导致增强相颗粒难以分散的问题。本发明通过物理气相沉积技术在氢化脱氢钛粉表面包裹均匀...
  • 本发明属于表面工程与涂层制备技术领域,具体涉及一种基于磁控溅射的细杆表面的高熵涂层及其制备方法。采用磁控溅射工艺,在预处理后的金属基体构件表面依次沉积形成过渡层、主功能层和自润滑表层,过渡层为高熵金属,主功能层为高熵金属氮化物;高熵金属或高...
  • 本发明属于刀具涂层材料技术领域,公开了一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法。所述的制备方法是对预镀膜刀具施加脉冲电流,通过脉冲电流产生的瞬态电效应和热效应取代传统的电加热方式。该方法不需要传统真空气相沉积涂层时的升温和降温过程、也不...
  • 本申请涉及半导体设备领域,尤其涉及工艺套件及半导体设备。工艺套件包括:限光壁(10),其形成为环形,所述限光壁(10)的底部顶面具有凸出部(110);外沉积环(20),其底面具有凹陷部(210),所述凸出部(110)伸入所述凹陷部(210)...
  • 本发明涉及一种薄膜电阻改性方法,包括如下步骤:在铜箔毛面真空溅射薄膜电阻,随后对薄膜电阻进行等离子体渗氮或渗碳处理,得到埋阻铜箔。经过本发明改性的薄膜电阻具有低TCR,随温度变化电阻波动小;可以通过渗碳或渗氮的含量来控制薄膜电阻的电阻率,制...
  • 本申请涉及半导体制造用溅射靶材领域,具体提供一种细晶钨靶材及其制备方法,该制备方法包括:(1)将卤代烷烃预活化后,与氢气及六氟化钨在基体上进行化学气相沉积,形成掺碳钨材料;(2)将所述掺碳钨材料在1500~2100进行退火处理,得到细晶钨靶...
  • 本发明提出一种3D打印件微孔表面制造工艺及3D打印件,涉及表面处理领域;工艺包括:将3D打印件置于源极靶材制成的外罩内部构成空心阴极后整体置于直流脉冲等离子真空炉内,真空炉顶部设置有电源正极,外罩作为活性屏;在直流脉冲电源作用下放电启辉,并...
  • 本申请提供了一种蒸镀铝用坩埚装置,包括:坩埚,其包括埚体、颈部和上口部,所述颈部连接所述埚体和所述上口部;防爬结构,其为环形,所述防爬结构设于所述颈部外部和/或所述上口部。本申请的蒸镀铝用坩埚装置能够改善爬埚现象。
  • 本申请涉及一种蒸镀薄膜沉积设备及方法,其中,蒸镀薄膜沉积设备,包括工艺腔、加热组件和载片台;工艺腔具有工艺腔侧壁;加热组件具第一加热件和第二加热件;载片台设于工艺腔内,用于放置待抗粘衬底;所述载片台由所述第一加热件独立加热,所述工艺腔侧壁由...
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