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最新专利技术
  • 一种垂直LED芯片及其制备方法
    一种垂直LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511394963.9
    本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括在生长衬底上成型发光结构层和第一键合层；发光结构层具有N型导电孔，第一键合层在N型导电孔内形成键合插孔；在导电支撑衬底上成型辅助键合层和第二键合层；辅助键合层由辅助键合柱组...
    2026-01-21
  • 二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法
    二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511224503.1
    本申请提供了一种二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制造方法，应用于半导体技术领域。该二极管芯片包括支撑层、有源层、p型接触层、电子阻挡层和n型接触层，有源层设置在支撑层沿第一方向的一侧的第一区域，p型接触层设置在支撑层沿第一方向的一...
    2026-01-21
  • 微型共振腔发光二极管及其制备方法
    微型共振腔发光二极管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511448854.0
    本公开提供了一种微型共振腔发光二极管及其制备方法，该二极管包括：一底部分布式布拉格反射镜(1)；一硅基衬底(2)；一未掺杂半导体(3)；一发光结构，设置于未掺杂半导体(3)上；一顶部分布式布拉格反射镜(11)，形成于未掺杂半导体(3)上且覆...
    2026-01-21
  • 微型共振腔发光二极管及其制备方法
    微型共振腔发光二极管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511448788.7
    本公开提供了一种微型共振腔发光二极管及其制备方法，该二极管包括：一硅基衬底(2)；一底部分布式布拉格反射镜(1)；一顶部分布式布拉格反射镜(11)；一发光结构，设置于底部分布式布拉格反射镜(1)与顶部分布式布拉格反射镜(11)之间，底部分布...
    2026-01-21
  • 一种用于中小功率贴片式LED封装的白胶半固化方法
    一种用于中小功率贴片式LED封装的白胶半固化方法_广东韶华科技有限公司_202511442215.3
    本发明提供了一种用于中小功率贴片式LED封装的白胶半固化方法，用于解决封装中镜与底层胶体易分层的问题，从而提高封装可靠性，确保产品使用过程稳定可靠。其包括如下步骤：S1、等离子清洗，将完成固晶焊线的产品放入等离子清洗机进行等离子清洗，通过清...
    2026-01-21
  • 一种特殊光型的倒装LED芯片及其制备方法
    一种特殊光型的倒装LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511399334.5
    本发明涉及LED芯片加工技术领域，尤其涉及一种特殊光型的倒装LED芯片及其制备方法。所述制备方法包括步骤：提供衬底，在衬底上制备外延层，然后刻蚀形成台面和侧壁；然后依次制备得到倒装LED芯片的完整结构，沿设定切割道切割所述衬底，形成切割斜面...
    2026-01-21
  • 一种基于LED芯片生产的封装设备及工艺
    一种基于LED芯片生产的封装设备及工艺_宜兴曲荣光电科技有限公司_202511389414.2
    本发明公开了一种基于LED芯片生产的封装设备及工艺，涉及LED芯片加工技术领域，包括机架、输送机构、滑动块、输送机构、芯片安置部、安装座、升降机构、储胶筒、灌胶部；往复横移机构，设于储胶筒下端，且在灌胶部朝下移动时，驱动灌胶部水平往复移动；...
    2026-01-21
  • 发光二极管制备方法
    发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511259205.6
    本公开提供了一种发光二极管制备方法。该方法包括：在衬底上依次制作外延层和透明导电层；在透明导电层表面制作第一光刻胶结构，在第一光刻胶结构覆盖下露出透明导电层的边缘部分；在第一光刻胶结构遮挡下，对透明导电层进行第一次腐蚀，去除透明导电层的边缘...
    2026-01-21
  • 一种绒面结构、钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种绒面结构、钙钛矿太阳能电池及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511448482.1
    本发明公开一种绒面结构、钙钛矿太阳能电池及制备方法。绒面结构的制备方法包括：提供包含单晶硅的基底，单晶硅位于基底表面；通过刻蚀单晶硅的特定晶面，在基底表面形成塔基，塔基包括塔底和围绕于塔底的侧壁，各个塔基的侧壁构成网状的框架；在基底的表面形...
    2026-01-21
  • 一种光电合封的3D封装结构
    一种光电合封的3D封装结构_光本位智能科技(上海)有限公司_202511818423.9
    本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种光电合封的3D封装结构，包括基板，所述基板的第一表面设置有第一转接板，所述第一转接板的第一表面设置有至少一个第二转接板和至少一个光芯片，所述第二转接板和所述光芯片的第一表面设置有一电芯片，所述第二转接...
    2026-01-21
  • 一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用
    一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511636753.6
    本发明提供一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用。该膜层结构包括硅基底，硅基底上层叠设置有SiO2层和Al‑O层，Al‑O层和SiO2层之间通过界面键合形成SiO2/Al‑O界面层。本发明构建的有效受主态界面层实现了双重钝化...
    2026-01-21
  • 一种光伏电池、电池组件及光伏系统
    一种光伏电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511393927.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种光伏电池、电池组件及光伏系统，该光伏电池包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域相邻设置，第一区域的反射率与第二区域的反射率的差值的绝对值大于0.05％。由于反射率的差异导致第一区域和第二区域的衬度不同...
    2026-01-21
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511277234.5
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；设置于硅基底上的氧化铝层，氧化铝层含有O元素和H元素，其中，氧化铝层中的O元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递增，氧化铝层中的H元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递...
    2026-01-21
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511820982.3
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，太阳能电池包括：硅片，硅片包括相对设置的背面和正面；间隔设置于背面的第一掺杂层和第二掺杂层，硅片的背面包括位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的隔离区；钝化层，钝化层覆盖隔离区的侧...
    2026-01-21
  • 背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件
    背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511820773.9
    本申请实施例涉及光伏领域，提供了一种背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件。该背接触太阳能电池包括：基底，包括相对的正面和背面，背面包括多个第一P型区和多个第一N型区，第一P型区和第一N型区沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布，第一P型区在...
    2026-01-21
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511468270.X
    本公开实施例涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件，光伏组件包括电池串、绝缘层以及汇流条，电池串包括多个电池片，每个电池片的背面设置有焊带，以通过焊带将多个电池片串联；述绝缘层设置于焊带远离电池片的一侧，绝缘层设置有避让区，以让焊带的部分自避让...
    2026-01-21
  • 背接触电池和光伏组件
    背接触电池和光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511450567.3
    本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种背接触电池和光伏组件，至少可以提高背接触电池的效率。背接触电池的背面包括：细栅、主栅、边缘焊盘、连接线和贯穿线，每一主栅与在沿第二方向上排列的多个极性相同的细栅电连接，位于背接触电池在沿第一方向上两侧边...
    2026-01-21
  • 异质结电池、其制备方法及光伏组件
    异质结电池、其制备方法及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202410861031.X
    本发明公开了一种异质结电池、其制备方法及光伏组件，所述制备方法包括：提供硅片；在所述硅片表面依次形成本征层、掺杂层及透明导电层；在所述透明导电层上形成介质层；制备电极，所述电极贯穿所述介质层并与所述透明导电层相接触，且所述电极突出于介质层并...
    2026-01-21
  • 异质结电池及光伏组件
    异质结电池及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202410861023.5
    本发明公开了一种异质结电池及光伏组件，所述异质结电池包括硅片及依次层叠于所述硅片正面或背面上的本征层、掺杂层及透明导电层，所述异质结电池还包括层叠于所述透明导电层上的介质层及与所述透明导电层相接触的电极，所述电极包括沿硅片厚度方向延伸至所述...
    2026-01-21
  • 光伏电池片及光伏组件
    光伏电池片及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511735595.X
    本申请关于一种光伏电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏电池片包括硅基底和隧穿钝化接触结构，硅基底设置有收集区和无收集区，收集区和无收集区之间存在沿光伏电池片厚度方向的间隔距离，在收集区上沉积有隧穿钝化接触结构。隧穿钝化接触结构不容易接触...
    2026-01-21
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