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  • 本发明涉及微生物培育技术领域,提供一种环境菌群空间分布智能预测方法与系统,通过传感器采集环境参数、代谢物浓度及洁净室等级等实验组特征,经边缘计算节点预处理得到标准化多模态特征数据。在云端训练测试深度学习模型得到智能预测模型。最终将实时预处理...
  • 本申请公开了一种分子模拟方法、装置、非易失性存储介质及电子设备。其中,该方法包括:获取当前分子构型的分子体系信息;采用变分量子本征求解器算法计算关键原子区域的第一能量和第一梯度,以及计算非关键原子区域的第二能量和第二梯度;其中,第一梯度用于...
  • 本发明公开了一种整合蛋白质结构比对的多杀菌素合成菌株代谢模型重构方法与应用,属于系统生物学领域。本发明以白色链霉菌成熟GEMs为模板,综合利用蛋白序列比对、结构对比,建立白色链霉菌和刺糖多孢菌基因(蛋白)同源关系,并结合额外的基因功能注释、...
  • 本发明公开了一种性能测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质,应用于测试领域,包括:通过在单一测试环境中动态调整测试参数,同步采集环境资源利用情况和测试硬盘的性能数据;当测试硬盘性能受限时,根据测试参数、环境资源利用情况和性能数据,进行关联...
  • 本申请实施例提供一种固态硬盘宽温可靠性测试系统及方法,所述系统包括上位机、测试板、控制板以及高低温箱。上位机可以获取测试工单,以及根据所述测试工单向控制板和高低温箱下发工单配置指令,再根据测试数据生成测试结果信息。高低温箱内设有温腔,控制板...
  • 本公开实施例提供一种延时测量电路和存储器。延时测量电路应用于延迟锁相环,包括:环路标志生成电路,与所述延迟锁相环的环路电连接,被配置为,在对所述延迟锁相环进行环路延时测量时,生成环路标志信号,并将所述环路标志信号输入至所述延迟锁相环的环路;...
  • 本申请涉及存储器系统的错误校正配置。所描述技术提供一种存储器系统,其用于在确定是否启动刷新操作时评估一或多个额外条件。例如,所述存储器系统可确定存储器单元的页面的位错误率BER是否满足对应于触发刷新操作的BER阈值的下限阈值及指示可优先进行...
  • 本发明涉及存储器测试技术领域,提出了一种用于并行接口NOR FLASH存储器的测试系统,包括:NOR FLASH存储器测试过程中采集测试数据块的测试数据在存储区域和校验操作的验证信息,判断测试数据块是否存在错误;划分存在错误的测试数据块,确...
  • 本公开涉及只读存储器的快速、低面积自测试。公开了用于执行快速只读存储器(ROM)测试的方法。第一种方法中,通过执行利用扩展读取周期的第一组N次读取操作和随后的利用全速读取周期的第二组N次读取操作来生成签名,其中N是大于或等于2的整数。使用模...
  • 本公开涉及基于包的一次可编程存储器。一次可编程OTP存储器可耦合到OTP存储器控制器。所述OTP存储器控制器可被配置成将OTP数据以包格式存储(500)在所述OTP存储器内。所述OTP包内的数据可标识相应索引,其中这些索引中的每一个可对应于...
  • 本申请公开了只读存储器程序修正系统及方法,涉及计算机技术领域,包括程序比对模块、程序修正模块和地址管理模块;程序比对模块用于获取标准签名值与实际签名值并进行对比,得到各段程序分段的比对结果;程序修正模块用于控制片上系统从外部存储设备中获取目...
  • 本申请公开一种NAND FLASH编程脉冲电压的控制方法、系统和装置,方法包括:获取对NAND FLASH编程前的初始电压以及进行编程时的目标脉冲电压;根据预设配置将初始电压与目标脉冲电压的电压区间划分为阶梯抬升的N个子脉冲电压,并确定各子...
  • 本发明公开了一种SONOS存储器的控制方法。该方法包括:在擦除指令完成之后,根据上电次数获取对应的块;根据对应的块获取编程后的块;筛选出编程后的块中的编程态存储单元;检测编程态存储单元的阈值电压是否降到了校验电压之下;根据检测结果,决定是否...
  • 本发明公开了一种NOR存储器电源故障保护电路,涉及NOR存储器技术领域,包括第一稳压模块,配合第二稳压模块为主板模块供电,再由主板模块为存储器模块供电,电压检测模块对存储器模块进行电压变化检测,由电源控制模块根据存储器模块所需的工作电压可设...
  • 本发明公开了一种ReRAM存储器单元,该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置,该ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层;和选择电路,该选择电路包括与ReRAM装置串联连接的两个串联连接的选择晶体管,该两个串联连...
  • 本揭露的一实施例揭示一种记忆体装置、记忆体电路及其操作方法。在一个态样中,记忆体装置包括耦接至位元线及字元线的记忆体单元。记忆体装置包括第一延迟电路,其经配置以产生第一延迟信号,以根据记忆体单元的位元线转变为逻辑低状态来启动字元线驱动器。记...
  • 本发明提供了一种半选鲁棒的内建读写辅助SRAM存储单元电路及装置,包括:该存储单元由12个晶体管组成,并通过内建读写辅助电路设计保证了该存储单元在低电压下的读写稳定性,应用于位交织阵列结构的低电压存储单元,降低SRAM的工作电压从而降低功耗...
  • 本发明提出一种基于存储内计算的基因数据压缩编码硬件架构,包括:SRAM阵列模块,包括多个并行的SRAM阵列,每个SRAM阵列具有多个SRAM芯片;该SRAM阵列用于存储基因数据并进行列级并行计算或符号级并行计算;外围设计模块,与该SRAM阵...
  • 一种数据存储电路、半导体结构及其制备方法,该数据存储电路包括:包括多个第一子位线的第一存储阵列;包括多个第二子位线的第二存储阵列;第一选择电路,与至少两个第一子位线电连接,被配置为选择至少两个第一子位线中的一者作为第一目标子位线,并将第一目...
  • 本申请案涉及双面存储器装置及相关联系统及方法。本文中公开系统级封装SiP装置及相关联系统及方法。在一些实施例中,一种SiP装置包含通信地耦合到多个主机装置的高带宽存储器HBM装置。所述HBM装置经由多个相关输入/输出IO电路来通信地耦合到所...
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