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最新专利技术
  • 一种用于高精度开关电容应用的新型模拟开关
    一种用于高精度开关电容应用的新型模拟开关_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511270460.0
    本发明涉及模拟开关技术领域，特别涉及一种用于高精度开关电容应用的新型模拟开关，包括：主路径电路、辅助路径电路、保持电容；所述辅助路径与主路径并联，并联的输入端作为用于高精度开关电容应用的新型模拟开关的输入端，并联的输出端通过保持电容接地，并...
    2026-01-22
  • 一种抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路
    一种抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路_重庆青山工业有限责任公司_202511350666.4
    本发明公开一种实现三电平栅源极驱动电压的抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路。该驱动电路包括推挽电路和串扰抑制辅助电路，推挽电路控制驱动电路的导通关断；串扰抑制辅助电路利用RC电路的电位延迟原理实现三电平驱动波形。驱动方式采用负压关断，用...
    2026-01-22
  • 一种基于PWM控制的高压切换电路及其控制方法
    一种基于PWM控制的高压切换电路及其控制方法_西安交通大学_202511401659.2
    一种基于PWM控制的高压切换电路及其控制方法，包括开关模块和控制模块，控制模块和开关模块连接；开关模块包括耐高压N型MOSFET Q1~Q5等；控制模块包括555定时器U1、可调电阻R13、R14等；通过调节控制模块的两个可变电阻的阻值改变...
    2026-01-22
  • 一种SiC MOSFET短路保护电路
    一种SiC MOSFET短路保护电路_重庆青山工业有限责任公司_202511350664.5
    本发明提供一种SiC MOSFET短路保护电路，包括双脉冲电路和去饱和短路保护电路，由驱动芯片通过去饱和短路保护电路检测双脉冲电路；通过判断器件漏源电压是否超过设定的阈值电压而判断器件是否发生故障，通过设计消隐时间有效避免开关过程中短路保护...
    2026-01-22
  • 一种多输出模式的比较器控制装置及控制方法
    一种多输出模式的比较器控制装置及控制方法_青岛本原微电子有限公司_202511293231.0
    本发明涉及比较器控制领域，公开了一种多输出模式的比较器控制装置及控制方法，控制装置包括接口转换单元、解码单元、反相器、模式选择器一、同步单元、数字滤波单元、波形对比单元、锁存单元、模式选择器二；本发明所公开的控制装置可以方便用户根据应用场景...
    2026-01-22
  • 一种多路同步快上升沿脉冲产生装置
    一种多路同步快上升沿脉冲产生装置_电子科技大学_202511249685.8
    本发明属于仪器仪表应用技术领域，提供一种多路同步快上升沿脉冲产生装置，包括：输入触发脉冲调理电路、FPGA模块、程控脉冲延时电路、基于雪崩三极管的多路快脉冲信号发生电路、多路时钟扇出缓冲器、时间数字转换电路；通过FPGA结合程控脉冲信号延时...
    2026-01-22
  • 一种延时装置
    一种延时装置_深圳市速腾聚创科技有限公司_202410814547.9
    本申请实施例公开了一种延时装置，包括计时器以及振荡器，计时器包括至少N个依次串联的触发器，N≥2，振荡器包括信号接入电路、第一触发电路、振荡控制电路、第二触发电路，信号接入电路与触发器的复位端连接，以对触发器复位，第一触发电路与信号接入电路...
    2026-01-22
  • 一种精准延时电路
    一种精准延时电路_上海空间电源研究所_202511187952.3
    本发明公开了一种精准延时电路，其特征在于包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压二极管D1、稳压二极管D2、功率放大三极管Q1、功率放大三极管Q2、光电耦合器、电容C1、电容C2、电容C3、...
    2026-01-22
  • 脉冲转换电路、方法、装置及系统
    脉冲转换电路、方法、装置及系统_华为技术有限公司_202410773935.7
    本申请实施例提供的一种脉冲转换电路、方法、装置及系统，包括处理模块及逻辑门电路；处理模块的输入端用于外接原始脉冲输出设备；处理模块，用于获取原始脉冲信号的原始脉宽，并基于原始脉宽调整振荡参数；在接收的原始脉冲信号为无效信号时，持续输出第一电...
    2026-01-22
  • 低频千安级脉冲电流发生器
    低频千安级脉冲电流发生器_上海空间电源研究所_202511187950.4
    本发明公开了一种低频千安级脉冲电流发生器，其特征在于包括：第一工作电源、第二工作电源、脉冲发生器和N个隔离驱动器放大单元；其中，所述第一工作电源分别与所述脉冲发生器的一端和每个隔离驱动器放大单元的第一功率输入端相连接；所述脉冲发生器的另一端...
    2026-01-22
  • 应用于多通道阵列高速SerDes接收机的时钟数据恢复电路
    应用于多通道阵列高速SerDes接收机的时钟数据恢复电路_西安电子科技大学_202511238914.6
    本发明公开了一种应用于多通道阵列高速SerDes接收机的时钟数据恢复电路，半速率判决反馈均衡器根据上一周期从时钟网络输出的第一目标采样时钟对当前周期输入的原始模拟信号进行信号恢复处理输出数字串行信号；目标采样器根据上一周期从时钟网络输出的第...
    2026-01-22
  • 一种用于分布式光纤测温激光装置的脉冲电路及测温装置
    一种用于分布式光纤测温激光装置的脉冲电路及测温装置_桂林光翼智能科技有限公司_202511481523.7
    本发明公开了用于分布式光纤测温激光装置的脉冲电路及测温装置，所述脉冲电路设有电源单元、中央处理单元和脉冲信号输出单元，所述装置设有机框，机框的内部设有底板，底板上设有包括电源单元、中央处理单元和脉冲信号输出单元集成电路板、集成电路板的傍边设...
    2026-01-22
  • 一种全球U段无线麦克风接收端自适应信道滤波系统及装置
    一种全球U段无线麦克风接收端自适应信道滤波系统及装置_深圳市长丰影像器材有限公司_202511301667.X
    本申请提供一种全球U段无线麦克风接收端自适应信道滤波系统及装置。该系统包括：自适应滤波模块、射频芯片、控制芯片和低通滤波模块；自适应滤波模块对接收信号进行滤波处理，并将滤波处理后的接收信号输出至射频芯片；射频芯片测量滤波处理后的接收信号的信...
    2026-01-22
  • 基于矩阵分解的两通道双正交滤波器组FPGA实现方法
    基于矩阵分解的两通道双正交滤波器组FPGA实现方法_杭州电子科技大学_202511260113.X
    本发明公开了基于矩阵分解的两通道双正交滤波器组FPGA实现方法。对于两通道双正交滤波器组，首先确定其滤波器初始系数，然后分解为系数保留序列和系数矩阵，再进一步通过共基的N维截取的LU分解，将系数矩阵分解为公共矩阵、低通分支矩阵和高通分支矩阵...
    2026-01-22
  • 一种毫米波宽带可调谐滤波器
    一种毫米波宽带可调谐滤波器_成都信息工程大学_202511167066.4
    本发明公开了一种毫米波宽带可调谐滤波器，包括：正交耦合器Ⅰ、两路均包含双平衡混频器Ⅰ、基带放大器、双平衡混频器Ⅱ的核心电路、正交耦合器Ⅱ、LO匹配电路；正交耦合器基于变压器结构，采用差分输入输出实现相位正交分配功能，使得可替代性地使用单相5...
    2026-01-22
  • 一种体声波滤波器和电子设备
    一种体声波滤波器和电子设备_武汉敏声新技术有限公司_202511348899.0
    本发明公开了一种体声波滤波器和电子设备，该体声波滤波器包括至少一个谐振器组，谐振器组包括层叠设置的四个体声波谐振器；体声波滤波器还包括衬底、第一电极层、第一压电层、缓冲层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；第一电极层、第一压电层和第二电极...
    2026-01-22
  • 基于跳频合路器驱动的通信信号动态滤波处理方法及系统
    基于跳频合路器驱动的通信信号动态滤波处理方法及系统_广东宽普科技有限公司_202511287918.3
    本发明公开了基于跳频合路器驱动的通信信号动态滤波处理方法及系统，涉及电通信传输技术领域。该方法，包括以下步骤：通信信号滤波处理、滤波耦合干扰判断和滤波器参数动态调节。本发明通过将通信信号输入至集成化多频率可调带阻滤波器进行滤波处理，从而有效...
    2026-01-22
  • 弹性波谐振器、滤波器及双工器
    弹性波谐振器、滤波器及双工器_上海唯捷创芯电子技术有限公司_202511295024.9
    本发明公开了一种弹性波谐振器、滤波器及双工器，该弹性波谐振器包括：压电衬底；电极结构，包括：多个长度相等的IDT电极、两个汇流条，以及两组连接电极；多个IDT电极相互平行且两端对齐设置，IDT电极的长度方向垂直于汇流条的长度方向，每个IDT...
    2026-01-22
  • 一种应用蜂窝结构的热敏晶体谐振器
    一种应用蜂窝结构的热敏晶体谐振器_宁波晶创科技有限公司_202511724592.6
    本发明涉及一种应用蜂窝结构的热敏晶体谐振器，包括基座、石英晶片和热敏电阻，基座包括从下到上依次设置的基座底板、基座中间板以及基座墙壁，基座中间板上端面与基座墙壁的内壁围合形成有内腔，内腔上端口通过上盖封住，基座中间板上端面的中部纵向开设有中...
    2026-01-22
  • 基于FBAR的MIM片上电容及其在混合FBAR电路中高集成芯片结构
    基于FBAR的MIM片上电容及其在混合FBAR电路中高集成芯片结构_苏州汉天下电子有限公司_202511285503.2
    本公开涉及基于FBAR的MIM片上电容及其在混合FBAR电路中的高集成芯片结构和电子设备，芯片结构包括：在同一衬底上的薄膜体声波谐振器和电容器；薄膜体声谐振器包括声波反射结构，层叠形成在其上的下电极、压电层和上电极；电容器包括层叠形成在衬底...
    2026-01-22
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