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最新专利技术
  • 一种超薄PCD/PCBN复合片及其交替层压制备工艺
    一种超薄PCD/PCBN复合片及其交替层压制备工艺_郑州大学_202511323350.6
    本发明公开了一种超薄PCD/PCBN复合片及其交替层压制备工艺，包括以下步骤：制备PCD预制体层和PCBN预制体层，在两预制体层的表面分别沉积梯度过渡层；采用激光刻蚀技术在梯度过渡层表面加工预设图案的微结构，并在刻蚀后的微结构内填充高导热的...
    2026-02-14
  • 一种高厚度氮化铝生坯的制浆成型方法
    一种高厚度氮化铝生坯的制浆成型方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202511319478.5
    本发明公开了一种高厚度氮化铝生坯的制浆成型方法，涉及陶瓷材料技术领域，本发明取真空脱泡的陶瓷浆料通过流延机，控制双刮刀刀高2‑2.2mm、流延传送速度0.1‑0.3m/min，保温段温度设置至34‑36℃，恒速段温度设置至39‑41℃，降速...
    2026-02-14
  • 一种大尺寸二硼化钛粉体的制备方法
    一种大尺寸二硼化钛粉体的制备方法_山东鹏程陶瓷新材料科技有限公司_202511728189.0
    本发明提供了一种大尺寸二硼化钛粉体的制备方法，属于二硼化钛粉体技术领域；所述制备方法包括改性二氧化钛、炭黑预处理和混合烧结步骤；所述改性二氧化钛步骤为，向乙醇溶液中加入硼酸、碳酸锂，然后加入二氧化钛，进行超声分散，得到包覆二氧化钛；将包覆二...
    2026-02-14
  • 高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2固溶体陶瓷粉体及其制备方法、高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2涂层及其制备方法
    高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2固溶体陶瓷粉体及其制备方法、高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2涂层及其制备方法_北京理工大学_202511327889.9
    本发明属于高熵硼化物涂层技术领域，具体涉及高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2固溶体陶瓷粉体及其制备方法、高熵(Zr, Hf, Ta, Ti)B2涂层及其制备方法。本发明直接使用商用硼化物陶瓷粉HfB2粉体、ZrB2粉体、TaB2粉体和...
    2026-02-14
  • 稀土硼化物及其制备方法与应用
    稀土硼化物及其制备方法与应用_湖南稀土金属材料研究院有限责任公司_202511296796.4
    本申请提供了稀土硼化物及其制备方法与应用。所述稀土硼化物的制备方法，包括如下步骤：将稀土氧化物、含氧化合物、氧化硼、还原剂和熔盐混合，压制得到块状坯料；对所述块状坯料进行热处理，制备中间产物；对所述中间产物依次进行酸洗处理、水洗处理、过滤和...
    2026-02-14
  • 一种利用粗粉无压烧结制备高红外透过率MgAlON陶瓷的方法
    一种利用粗粉无压烧结制备高红外透过率MgAlON陶瓷的方法_大连海事大学_202511253223.3
    本发明涉及一种利用粗粉无压烧结制备高红外透过率MgAlON陶瓷的方法，属于陶瓷制备领域。一种利用粗粉无压烧结制备高红外透过率MgAlON陶瓷的方法，将纯相MgAlON粉体和烧结助剂球磨混合，烘干、造粒，得MgAlON和烧结助剂混合粉体，成型...
    2026-02-14
  • 一种预氧化法制备可控电阻碳化硅陶瓷的方法
    一种预氧化法制备可控电阻碳化硅陶瓷的方法_河南雅利安新材料有限公司_202511264250.0
    本发明提供一种预氧化法制备可控电阻碳化硅陶瓷的方法，属于碳化硅陶瓷制备技术领域，包括(1)碳化硅微粉预氧化，将碳化硅微粉在高温中氧化，引入二氧化硅，控制引入二氧化硅的质量；(2)热压烧结，将预氧化后的碳化硅微粉装入热压模具中，高温高压下保温...
    2026-02-14
  • 基于凝胶注模成型的碳化硅零件制备方法
    基于凝胶注模成型的碳化硅零件制备方法_长沙理工大学_202511687196.0
    本发明公开了一种基于凝胶注模成型的碳化硅零件制备方法，步骤包括：将碳化硅粉，炭黑，酚醛树脂，溶剂，分散剂以及丙烯酸交联剂混合球磨，得第一浆料；向第一浆料中加入固化剂，继续球磨，除泡，得第二浆料；将第二浆料倒入聚丙烯模具中，进行固化，脱模后得...
    2026-02-14
  • 新型碳化硅复合陶瓷材料
    新型碳化硅复合陶瓷材料_南京亿升流体设备有限公司_202511478159.9
    本发明涉及耐腐耐磨材料技术领域，具体涉及一种新型碳化硅复合陶瓷材料；新型碳化硅复合陶瓷材料主要由25%‑32%的酚醛树脂、60%‑65%的碳化硅颗粒、3%‑6%的橡胶颗粒、10%‑12%的碳纤维、3%‑5%的硫酸钡以及2%‑3%的固化剂组成...
    2026-02-14
  • 一种高纯碳化硅粉料的制备方法
    一种高纯碳化硅粉料的制备方法_连云港鸿蒙硅材料有限公司_202511375422.1
    本发明公开了一种高纯碳化硅粉料的制备方法，由如下制备步骤构成：将碳源原料与硅源原料混合，然后采用微波加热固相反应直接合成制得碳化硅粉料，制得碳化硅粉料后冷却、破碎粉料、粉料纯化后处理后制得高纯碳化硅粉料；在前述微波加热工序中还设有混合原料持...
    2026-02-14
  • 一种碳化硅陶瓷结合铝碳化硅梯度材料的制备方法及其应用
    一种碳化硅陶瓷结合铝碳化硅梯度材料的制备方法及其应用_湖南航天诚远精密机械有限公司_202511272201.1
    一种碳化硅陶瓷结合铝碳化硅梯度材料的制备方法及其应用，本发明之碳化硅陶瓷结合铝碳化硅梯度材料的制备方法，包括以下步骤：制备碳化硅素坯；烧结；将预制坯体的局部浸泡在液态环氧树脂或高温沥青中；裂解碳化处理；局部液相Si浸渍反应烧结制成SiC陶瓷...
    2026-02-14
  • 一种3D打印电子级高纯碳化硅部件的制备方法
    一种3D打印电子级高纯碳化硅部件的制备方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511246659.X
    本发明涉及材料成型技术领域，且公开了一种3D打印电子级高纯碳化硅部件的制备方法，该3D打印电子级高纯碳化硅部件的制备方法，包括以下步骤：制备高固相含量浆料，将纯度≥99.99％的碳化硅粉末与纳米分散剂混合后进行声学共振分散，获得固含量55‑...
    2026-02-14
  • 一种轻质、防隔热和电磁屏蔽一体化陶瓷基复合材料及其制备方法
    一种轻质、防隔热和电磁屏蔽一体化陶瓷基复合材料及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410795354.3
    本发明涉及一种轻质、防隔热和电磁屏蔽一体化陶瓷基复合材料及其制备方法。所述轻质、防隔热和电磁屏蔽一体化陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体；其中，所述碳纤维预制体的上半部分作为多孔结构层；所述碳纤维预制体的下半部分弥散有(CrZrHfNbTa)...
    2026-02-14
  • 一种宏观绝缘结构优化硫化铜材料热电性能和稳定性的方法
    一种宏观绝缘结构优化硫化铜材料热电性能和稳定性的方法_昆明理工大学_202511313914.8
    本发明涉及热电材料技术领域，公开了一种宏观绝缘结构优化硫化铜材料热电性能和稳定性的方法，首先利用机械合金化法制得Cu1.96S前驱粉体，随后将Cu1.96S前驱粉体放入石墨磨具中，同时按照不同的排列方式(包括上下孔排列、左右孔排列)逐层添加...
    2026-02-14
  • 一种金刚石球或金刚石复合材料球及其制备方法
    一种金刚石球或金刚石复合材料球及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511695122.1
    本发明属于复合材料技术领域，涉及一种金刚石球或金刚石复合材料球及其制备方法。本发明以金刚石粉作为原料，设计合成块，通过高温高压法制备金刚石球坯，再经过精加工得到金刚石球，能发挥金刚石材料的优异性能，同时显著降低其制备加工成本，制备的金刚石球...
    2026-02-14
  • 一种石墨烯复合材料及其制备方法
    一种石墨烯复合材料及其制备方法_北京石墨烯研究院有限公司_202410733619.7
    本发明公开了一种石墨烯复合材料及其制备方法，具体包括以下步骤：提供氧化石墨烯浆料；将所述氧化石墨烯浆料涂布在载体表面，烘干，将载体剥离，得到氧化石墨烯膜；将所述氧化石墨烯膜放入容器中，浸泡去离子水中使其溶胀，将溶胀的氧化石墨烯膜堆叠多层，干...
    2026-02-14
  • 制备包含选自氧化铀UO2、氧化钚PuO2和次锕系元素氧化物的一种或更多种氧化物的粉末的方法
    制备包含选自氧化铀UO2、氧化钚PuO2和次锕系元素氧化物的一种或更多种氧化物的粉末的方法_法国原子能源和替代能源委员会_202510793400.0
    本发明涉及一种制备粉末的方法，所述粉末包含一种或更多种氧化物，所述一种或更多种氧化物选自氧化铀UO2、氧化钚PuO2和次锕系元素氧化物，所述次锕系元素选自镅、镎和锔，所述方法包括以下步骤：a)将包含选自铀基阳离子、钚基阳离子和次锕系元素基阳...
    2026-02-14
  • 氧化钇烧结体及其制备方法
    氧化钇烧结体及其制备方法_湖南圣瓷新材料有限公司_202511338819.3
    本发明涉及一种氧化钇烧结体的制备方法及通过该方法制备的氧化钇烧结体，并涉及包含所述氧化钇烧结体的半导体制造装置。本发明的制备方法包括将由氧化钇粉体和碳化硼粉体制成的造粒粉进行成型和烧结后获得所述氧化钇烧结体，从而在不影响所述氧化钇烧结体纯度...
    2026-02-14
  • 一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用
    一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用_北京科技大学_202511343244.4
    本发明公开了一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明通过以硝酸镧和乙酸镍为原料，经溶解、干燥、热处理、压制成型及烧结等步骤制备出低电阻LaNiO3陶瓷靶材。本发明的低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其...
    2026-02-14
  • 一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法
    一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法_中国科学院电工研究所_202511298597.7
    本发明公开一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法。该制备方法包括如下步骤：S01：根据多组分超导靶材的组分情况，设计每个组分靶材的形状结构得到多个部分靶材结构，所述部分靶材结构均为扇形结构，其中所有部分靶材结构组合...
    2026-02-14
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