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最新专利技术
  • 基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法
    基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法_南开大学_202511678736.9
    本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法。该基于紫精衍生物的单分子忆阻器包括：电极对和有机功能分子，有机功能分子选自紫精衍生物，通过酰胺缩合反应组装于电极对之间。本发明提供的有机功能分子在紫精分子结构的基础...
    2025-12-28
  • 包括多个阻变层的半导体装置
    包括多个阻变层的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510296296.4
    本公开涉及一种包括多个阻变层的半导体装置。半导体装置包括第一电极层、设置在第一电极层上的第一阻变层、设置在第一阻变层上的第一阻丝控制层、设置在第一阻丝控制层上的第二阻变层、设置在第二阻变层上的第二阻丝控制层、设置在第二阻丝控制层上的第三阻变...
    2025-12-28
  • 一种用于制备约瑟夫森结的方法及系统
    一种用于制备约瑟夫森结的方法及系统_济南量子技术研究院_202511356510.7
    本申请提供的用于制备约瑟夫森结的方法和设备，属于量子器件制备的技术领域。该方法包括：在衬底上形成共面波导层；在所述共面波导层上形成图案；在预定的压力下通过自限性原子层刻蚀对所述图案进行表面处理；在经过表面处理的图案上形成第一超导膜层；基于化...
    2025-12-28
  • 一种超导量子芯片及制备方法
    一种超导量子芯片及制备方法_深圳量旋科技有限公司_202511274820.4
    本发明公开了一种超导量子芯片及制备方法。超导量子芯片的制备方法包括：在衬底上制备底层线路；在已制备底层线路的衬底上制备约瑟夫森结；在已制备底层线路和约瑟夫森结的衬底上旋涂第一光刻胶并烘烤；接着旋涂第二光刻胶并烘烤；将第一掩膜版对准约瑟夫森结...
    2025-12-28
  • 一种超导量子芯片及制备方法
    一种超导量子芯片及制备方法_深圳量旋科技有限公司_202511271120.X
    本发明公开了一种超导量子芯片及制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备约瑟夫森结；在已制备约瑟夫森结的衬底涂敷负性光刻胶并烘烤；将第一掩膜版对准约瑟夫森结，对负性光刻胶进行曝光；对曝光后的负性光刻胶进行泛曝光和显影，以在负性光刻胶上形成底层线...
    2025-12-28
  • 一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法
    一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法_合肥工业大学_202511314371.1
    本发明公开了一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法，属于微纳加工与自旋电子学领域。步骤包括：采用较大束流相互辅助加工初始结构大于500 nm厚，随后加工机械手凹坑；原位减薄消除反沉积，缩短扫描宽度降低变形，减薄样本至亚微米级厚度...
    2025-12-28
  • 水平霍尔传感器及半导体器件
    水平霍尔传感器及半导体器件_浙江睿晶微电子科技有限公司_202511402036.7
    本发明涉及一种水平霍尔传感器及半导体器件。水平霍尔传感器包括：P型衬底、深P阱、霍尔元件、浅P阱以及P+区。深P阱、霍尔元件、浅P阱以及P+区均位于P型衬底内部，深P阱生长于P型衬底的底部位置，霍尔元件和浅P阱生长于深P阱上方，霍尔元件位于...
    2025-12-28
  • 垂直霍尔传感器及半导体器件
    垂直霍尔传感器及半导体器件_浙江睿晶微电子科技有限公司_202511399618.4
    本发明涉及一种垂直霍尔传感器及半导体器件。垂直霍尔传感器包括：N阱、深N阱以及接触，深N阱位于N阱的中心线的两侧，且深N阱生长于N阱的内部并延伸至N阱的上表面，中心线垂直于N阱的上表面；接触包括第一接触和第二接触，第一接触生长于深N阱的内部...
    2025-12-28
  • 一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法
    一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法_中国电子科技集团公司第四十九研究所_202511312629.4
    一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法，属于航空智能蒙皮与传感技术领域，本发明为解决现有柔性阵列式压力传感器存在曲面贴附易失效、粘贴界面损伤无法自修复的问题。包括：由下至上设置的三层梯度模量PDMS结构层，三层梯度模量PDMS结构...
    2025-12-28
  • 一种自匹配堆叠结构压电换能器
    一种自匹配堆叠结构压电换能器_浙江大学_202511227647.2
    本发明公开了一种自匹配堆叠结构压电换能器。通过将PVDF等聚合物压电薄膜与PZT等压电陶瓷堆叠，将PVDF等低声阻抗聚合物薄膜直接作为压电层结构中的天然声阻抗匹配层。相比于使用单独制作的匹配层，使用PVDF等聚合物薄膜作为匹配层不仅起到声阻...
    2025-12-28
  • 一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用
    一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用_深圳市宝安区妇幼保健院_202511144110.X
    本发明提供一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用。具体技术方案是以甘氨酸修饰的钛酸钡(BTO)纳米颗粒为基础，通过超声自组装制备氨基酸功能化的压电纳米复合材料(BTG)。该材料在超声刺激下可产生强压电极化，显著提升ROS生...
    2025-12-28
  • MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法
    MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法_新余学院_202511271182.0
    本发明公开了MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法，涉及到柔性纳米发电机制备领域，包括S101：MoS2纳米球的合成，将钼源和硫源溶解在适量的去离子水中，搅拌均匀；S102：PVDF纳米材料的制备，将PVDF溶解在适量的有机...
    2025-12-28
  • 一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用
    一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用_南京大学_202511338066.6
    本发明公开了一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用，属于制冷器件技术领域。本发明提供了一种增强电卡效应的复合材料，包含周期性交替排列的铁电材料和弛豫材料两部分，构成沿一个晶向的超晶格结构。本发明采用基于第一性原理的有效哈密顿量方法构建...
    2025-12-28
  • 一种热释电静电分析器
    一种热释电静电分析器_中山大学_202511299610.0
    本发明涉及加速器技术领域，具体公开一种热释电静电分析器，包括真空腔、第一热释电晶体、第二热释电晶体和温度控制器；第一热释电晶体和第二热释电晶体均配置在所述真空腔内；第一热释电晶体和第二热释电晶体之间设置有间隙，以形成通道；第一热释电晶体和第...
    2025-12-28
  • 热电片、热电片的制备方法以及地基温度监控装置
    热电片、热电片的制备方法以及地基温度监控装置_国能神皖安庆发电有限责任公司_202511325230.X
    本申请涉及一种地基温度监控装置，地表层，位于地表外部且用于信号传输；冻土活动层，用于对冻土层0.5m‑2m深度区间内的温度和应力进行数据采集；冻土稳定层，用于对冻土层超过2m深度的应力进行数据采集；地基基岩层，用于提高装置整体的稳定性；其中...
    2025-12-28
  • 基于丝网印刷的三维立体可赋形热电器件及其制备方法
    基于丝网印刷的三维立体可赋形热电器件及其制备方法_电子科技大学_202511302261.3
    本发明属于新能源器件技术领域，具体提供一种基于丝网印刷的三维立体可赋形热电器件及其制备方法，利用多层丝网印刷工艺，在TPU基底上通过多次印刷制备得到三维立体可赋形热电器件，使其能够沿人体‑环境之间的热流方向建立温度梯度，从而在垂直热流驱动下...
    2025-12-28
  • 一种高载流子迁移率的近室温热电材料Bi4Te3的制备方法及所得产品
    一种高载流子迁移率的近室温热电材料Bi4Te3的制备方法及所得产品_北京师范大学_202511319780.0
    本发明属于热电材料领域，具体涉及一种高载流子迁移率的近室温热电材料Bi4Te3的制备方法及所得产品。本发明制备得到的Bi₄Te₃ 展现出优异的拓扑绝缘体性质，这使得该材料具有相对较高的载流子迁移率 (μ)，最佳的塞贝克系数 (S) 和热电优...
    2025-12-28
  • 一种碳纳米管-黑磷@MXene异质结复合热电材料及其制备方法
    一种碳纳米管-黑磷@MXene异质结复合热电材料及其制备方法_深圳大学_202511303520.4
    本发明公开了一种碳纳米管‑黑磷@MXene异质结复合热电材料及其制备方法。该方法包括：将黑磷纳米片和MXene纳米片在溶剂中进行超声震荡得到黑磷@MXene异质结；将碳纳米管和黑磷@MXene异质结在溶剂中进行超声震荡；真空抽滤。本发明通过...
    2025-12-28
  • 基于放电等离子体烧结或热压烧结的热挤压工艺及热挤压模具
    基于放电等离子体烧结或热压烧结的热挤压工艺及热挤压模具_北京科技大学_202511169886.7
    本发明涉及电子材料技术领域，公开了一种基于放电等离子体烧结或热压烧结的热挤压工艺，包括：准备柱状块体铸锭，对所述柱状块体铸锭进行预处理后放入具有锥度挤压通道的热挤压模具中进行放电等离子体烧结或热压烧结，放电等离子体烧结或热压烧结的阶段包括至...
    2025-12-28
  • 一种基于碳电极的钙钛矿太阳能电池及其全空气制备方法
    一种基于碳电极的钙钛矿太阳能电池及其全空气制备方法_烟台哈尔滨工程大学研究院_202511667122.0
    本发明公开了一种基于碳电极的钙钛矿太阳能电池及其全空气制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明引入1‑(4‑吡啶基)丙酮作为钙钛矿电池的钝化层材料，并采用碳电极替代传统贵金属电极和空穴传输层，实现低成本、高稳定性的器件结构。本发明电池...
    2025-12-28
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