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最新专利技术
  • 双极性晶体管及其制备方法、电子设备
    双极性晶体管及其制备方法、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511306550.0
    本申请涉及一种双极性晶体管及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底，衬底的顶面包括沿背离衬底的方向依次排列的漂移层、基极层及发射极层；形成覆盖发射极层及基极层顶面的掩模层；于掩模层内形成环绕发射极层且沿发射极层的径向排列的初始沟槽及光刻胶层；...
    2025-12-31
  • IGBT器件的制造工艺
    IGBT器件的制造工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511234807.6
    本申请公开了一种IGBT器件的制造工艺，包括：提供成对的晶圆，所述晶圆包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层中形成有深沟槽结构，其中，成对的所述晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对所述第一晶圆和第二晶圆进行正面键合工艺，使得所述第一晶圆中...
    2025-12-31
  • 非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法
    非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186944.7
    本发明提供一种非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法。该方法包括：提供限定多个深沟槽位置的光罩层版图；修改该版图，将至少一个深沟槽的位置进行偏移，形成非对称的深沟槽排布；基于该非对称排布，在深沟槽底部形成第一注入区，并在其间形成...
    2025-12-31
  • 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法
    一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511407472.3
    一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极层上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局...
    2025-12-31
  • 赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法
    赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511370948.0
    本发明公开了一种赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域；本发明提出的IGBT结构基于沟槽栅型IGBT结构，将部分沟槽栅替换为深沟槽赝栅，深沟槽赝栅的沟槽内部全部填充绝缘氧化物形成赝栅，深沟槽赝栅位于N型漂移...
    2025-12-31
  • 一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法
    一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511370947.6
    本发明公开了一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域；IGBT结构包括集电极、半导体层、沟槽栅和发射极，半导体层的P型集电区设有多个深掺杂区，深掺杂区沿垂直于N型缓冲区界面的方向嵌入N型缓冲区并延伸至N型漂移区的内...
    2025-12-31
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_南京南瑞半导体有限公司_202511274068.3
    本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法，在晶圆衬底表面设置金属层通过打孔的方式与衬底进行欧姆接触，形成发射极和栅电极，在不同电极的金属间隙填充一种低温工艺绝缘材料，防止金属之间间距过近造成GE短接，高度与金属层一致，使表面金属不存在台阶；...
    2025-12-31
  • 一种IGBT元胞
    一种IGBT元胞_南京南瑞半导体有限公司_202511265061.5
    本发明公开了一种IGBT元胞，包括集电极结构、N‑漂移区、发射极结构和栅极结构；所述N‑漂移区布置在集电极结构上方，发射极结构和栅极结构布置在N‑漂移区上方；所述栅极结构采用沟槽栅结构，包括若干平行布置的深沟槽栅和浅沟槽栅，通过调整深沟槽的...
    2025-12-31
  • 分段变掺杂场终止层IGBT芯片及其损耗协同优化方法
    分段变掺杂场终止层IGBT芯片及其损耗协同优化方法_深圳市盟祺科技有限公司_202511098780.2
    本发明属于芯片技术领域，具体的说是分段变掺杂场终止层IGBT芯片及其损耗协同优化方法，包括：P+集电极层，位于所述IGBT芯片最底层，采用高浓度P型掺杂；分段变掺杂场终止层，位于所述P+集电极层上方，采用分段式N型掺杂；N‑漂移区，位于所述...
    2025-12-31
  • 一种FRD器件及其制备方法
    一种FRD器件及其制备方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410741001.5
    本发明提供一种FRD器件及其制备方法，该FRD器件的制备方法包括以下步骤：提供一至少包括元胞区及终端区的半导体层，并于半导体层的上表面形成图案化的介电层；基于图案化的介电层形成位于元胞区的基区和位于终端区的耐压区；于基区及耐压区的显露表面形...
    2025-12-31
  • 电容结构及其制备方法
    电容结构及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134698.0
    本申请提供一种电容结构及其制备方法，其中在制备方法中，先在沟槽侧壁和底壁表面的阱区上形成绝缘介质层，然后在沟槽中填充沟槽多晶硅层，接着在沟槽多晶硅层上形成栅氧化层，随后在栅氧化层上形成栅极多晶硅层，最后通过第一至第三导电插塞以及第一至第二图...
    2025-12-31
  • 金属-绝缘体-金属电容器的制作方法
    金属-绝缘体-金属电容器的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511105750.X
    本发明公开了一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的制作方法，包括以下步骤：提供具有第一导电层和介质层的基板；在介质层上形成图案化光刻胶层；采用干法刻蚀工艺，以光刻胶层为掩模刻蚀介质层，形成具有尖锐内底角的凹槽；关键地，在干法刻蚀之后，增加...
    2025-12-31
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510673101.3
    本发明的目的在于，提供一种能够在具有杂质浓度的半导体区域的厚度较薄的情况下改善折衷关系的技术。半导体装置具备第一半导体区域、第二半导体区域、绝缘膜、以及隔着绝缘膜而设置在第二半导体区域之上的导电膜，第二半导体区域包括：上区域；中区域，设置为...
    2025-12-31
  • 层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法
    层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510158107.7
    本公开提供一种能够抑制翘曲的层叠结构体、半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的层叠结构体具备：包括第1半导体器件层和设置有所述第1半导体器件层的第1基板的第1晶片；直接接合于所述第1晶片的一方表面侧的第2半导体器件层；以及直接接合于...
    2025-12-31
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511152201.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在第一存储叠层上形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖阵列区和部分触点区的第一存储叠层，以第一掩膜层为掩膜对第一存储叠层进行刻蚀，形成位于阵列区的阵列叠层以及位于触点区的冗余叠层和第一凹槽。然后在...
    2025-12-31
  • 一种1S1R存储单元及其制备方法
    一种1S1R存储单元及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511303928.1
    本发明提供了一种1S1R存储单元及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明方法制备过程中间，对包括第一电极层、选通层和缓冲层的制备器件进行退火工艺处理，使选通层和缓冲层结晶，选通层结晶后可以降低Forming电压，提高器...
    2025-12-31
  • 非挥发性存储器元件及其制造方法
    非挥发性存储器元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202511335856.9
    本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法。所述非挥发性存储器元件包括基底、内连线结构、多个存储器单元、多个导电通孔以及多个虚设通孔。基底具有存储器区域以及虚设区域，其中虚设区域围绕存储器区域。内连线结构设置于基底上，且位于存储器区域中。...
    2025-12-31
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510790178.9
    一种用于制造半导体装置的方法包括：在基底上顺序地形成下电极层、磁性隧道结结构层、第一上电极层和第一蚀刻停止层。去除第一蚀刻停止层的一部分，并且形成第二上电极层。在第二上电极层上顺序地形成第二蚀刻停止层和牺牲电极层。将下电极层、磁性隧道结结构...
    2025-12-31
  • 氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法
    氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511277995.0
    本发明公开了一种氧化物沟道铝钪氮铁电薄膜晶体管存储器，包括漏端电极、氧化物半导体沟道层、氧化物介质层、源端电极、浮栅金属层、铁电介质层和控制端电极；所述浮栅金属层位于衬底上，所述氧化物介质层和铁电介质层位于浮栅金属层上且相互隔离，所述铁电介...
    2025-12-31
  • 铁电场效应晶体管存储器及其制备方法
    铁电场效应晶体管存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410722765.X
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，所述铁电场效应晶体管存储器包括依次层叠设置的衬底层、栅电极、铁电层、半导体沟道层和源漏电极层，所述栅电极的材料的功函数WF＜4.5eV。本申请的铁电场效应晶体管存储器可以降低...
    2025-12-31
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