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最新专利技术
  • 电子封装模块及其制造方法
    电子封装模块及其制造方法_环鸿电子(昆山)有限公司_202511280772.X
    提供一种电子封装模块及其制造方法，此方法包含提供载板，并在载板上设置导电柱。提供线路基板，并在线路基板的表面上设置电子元件及焊接材料。电子元件具有远离线路基板的平面，并且电性连接至线路基板。在线路基板上设置焊接材料之后，在每个焊接材料上分别...
    2026-02-03
  • 电子封装模块及其制造方法
    电子封装模块及其制造方法_环鸿电子(昆山)有限公司_202511280160.0
    提供一种电子封装模块及其制造方法，包含提供具可剥层的载板。在可剥层上设置多个导电柱。可剥层覆盖每个导电柱的一区块，而每个导电柱分别连通可剥层的相对两侧。提供线路基板，并在线路基板上设置多个接垫。将电子元件设置并电性连接于线路基板上。在设置导...
    2026-02-03
  • 一种3D-SiP微组装通用工装及工艺
    一种3D-SiP微组装通用工装及工艺_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511161048.5
    本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种3D‑SiP微组装通用工装及工艺，通用工装包括用以设置待装配基板的装配工装，装配工装的上表面设置有限位槽，限位槽内形成有若干级限位气密台阶，限位槽的底部形成吸附孔，吸附孔贯穿装配工装并连通至气道；还...
    2026-02-03
  • 功率模块及其封装方法
    功率模块及其封装方法_重庆奕能科技有限公司_202511113377.2
    本公开提供了一种功率模块及其封装方法，该封装方法包括：在底板上设置第一框架，且底板上设置有基板，基板上设置有芯片；第一框架围绕基板；在第一框架内填充第一绝缘材料；固化第一绝缘材料，使第一绝缘材料包裹基板中异质材料的结合区域。该封装方法通过设...
    2026-02-03
  • 超薄封装基板的导通孔制作方法
    超薄封装基板的导通孔制作方法_浙江创豪半导体有限公司_202511695298.7
    本发明提供一种超薄封装基板的导通孔制作方法，涉及封装基板技术领域。包括步骤1：提供一超薄封装基板；步骤2：对超薄封装基板钻出钻孔靶标；步骤3：进行钻孔前棕化处理；步骤4：钻VOP盲孔；步骤5：对VOP盲孔除胶渣；步骤6：电镀填孔；所述步骤4...
    2026-02-03
  • 基于微流道的集成电路散热方法及装置
    基于微流道的集成电路散热方法及装置_张江国家实验室_202511349953.3
    本公开涉及一种基于微流道的集成电路散热方法及装置。该方法包括：使用混合键合技术将集成电路的存储层、热沉层以及逻辑芯片层依次互连，其中逻辑芯片层包含一个或多个逻辑芯片；在热沉层与逻辑芯片层中的至少一个逻辑芯片之间构建导热通道；以及在热沉层中设...
    2026-02-03
  • 一种晶圆级封装结构及制作方法
    一种晶圆级封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511296956.5
    本发明公开了一种晶圆级封装结构及制作方法，包括：步骤一：准备待加工晶圆，将所述晶圆作为封装的基础载体；步骤二：在所述晶圆的上方涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光显影以形成光阻层一，并对所述光阻层一进行固化处理；步骤三：在所述光阻层一的上方设置...
    2026-02-03
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735017.X
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够控制在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-03
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735016.5
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-03
  • 功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用
    功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用_深圳市先进连接科技有限公司_202511687776.X
    本发明公开了一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中方法包括：将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理；当烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一...
    2026-02-03
  • 抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法
    抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511315106.5
    本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法。本发明抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有硬掩模层、金属阻挡层、贵金属膜层。所述金属阻挡层包括Si3N4、TiN、Al2O...
    2026-02-03
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676224.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上的图形化光刻胶层；其中，图形化光刻胶层使得部分衬底暴露，图形化光刻胶层包括第一子图形化光刻胶层和第二子图形化光刻胶层；第一子图形化光刻胶层包括第一光刻胶图形结...
    2026-02-03
  • 改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法
    改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511102009.8
    本发明公开了一种改善硬掩模刻蚀中顶部收口问题的方法。该方法在通过硬掩模于衬底中刻蚀形成具有顶部收口轮廓的凹槽结构后，包括：对硬掩模进行湿法刻蚀回缩，以精确暴露凹槽结构在衬底顶面的尖角部分；对该暴露的尖角部分进行化学干法刻蚀，利用该刻蚀工艺在...
    2026-02-03
  • 一种碳化硅晶片的清洗方法
    一种碳化硅晶片的清洗方法_宁波阿尔法半导体有限公司_202511697018.6
    本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法，清洗方法包括步骤：S100、提供自旋转的待清洁碳化硅晶片，使用水气二流体对待清洁碳化硅晶片进行喷射清洗，得到第一晶片；S200、使用第一清洁溶液对第一晶片进行清洗，得到第二晶片，第一清洁溶液的溶质包括聚...
    2026-02-03
  • 一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法
    一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法_西安微电子技术研究所_202511283042.5
    本发明提供一种双层混合集成电路上下层焊接合体后的清洗方法，属于混合集成电路封装技术领域，将电路上下层焊接合体后，将电路倒置进行清洗，通过将电路倒置于单独的容器，于容器中添加清洗液并精准控制其浸没高度，确保清洗液不接触下层电路已有的键合丝表面...
    2026-02-03
  • 一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法
    一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法_深圳技术大学_202511274266.X
    本发明公开一种用于高压光谱测试的二维异质结及其制备方法，涉及二维材料高压转移技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1.在多个硅片衬底上分别制备h‑BN层和单层MoS2；S2.制备PC转移膜；S3.将第一h‑BN层转移到PC转移膜上；S4.将单...
    2026-02-03
  • 外延生长工艺
    外延生长工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511224939.0
    本申请公开了一种外延生长工艺，包括：将晶圆传送至外延机台的反应腔体的基座上；旋转基座并向反应腔体通入反应气体，在晶圆上生长外延层；其中，从俯视角度观察，晶圆的旋转方向为顺时针方向，反应腔体中设置有多个进气口以通入反应气体，多个进气口设置于所...
    2026-02-03
  • 一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法
    一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511091183.7
    本发明提供了一种氮掺杂直立石墨烯异质结、制备方法、应用、信号编码装置、图像生成装置及图像生成方法，包括：将SOI基底置于生长室内；对生长室内抽真空；对SOI基底加热；向生长室内通入甲烷和氨气，以PECVD工艺在SOI基底表面生长氮掺杂直立石...
    2026-02-03
  • 局部晶圆减薄的系统及其方法
    局部晶圆减薄的系统及其方法_鼎极科技股份有限公司_202510777281.X
    本发明公开一种局部晶圆减薄的系统及其方法，所述方法包括以下步骤：提供包括多个晶粒的一晶圆；为多个晶粒的每一者决定至少一关注特征以及依据至少一关注特征决定至少一待减薄起始区域，至少一关注特征与形成于晶圆的一上表面之上的至少一元件相关；撷取多个...
    2026-02-03
  • 卤素灯
    卤素灯_瑞尔斯科技股份有限公司_202510470675.0
    本发明涉及一种卤素灯，包含：插座、透明壳、第一导电件、第二导电件、螺旋灯丝、第一绝缘棒、第二绝缘棒与支撑机构，第一导电件被组接在透明壳的连接部与第一导电片之间，第二导电件被组接在第二导电片，螺旋灯丝的两引线段分别连接第一导电件与第二导电件，...
    2026-02-03
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