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近紫外波段通用的负性光刻胶及其制备方法和使用方法
本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及近紫外波段通用的负性光刻胶及其制备方法和使用方法,旨在解决现有宽谱光刻胶的分辨率与对比度较低、图形轮廓控制能力不佳及工艺窗口较窄的问题。其技术方案要点是:包括如下重量比的原料:50‑70份溶剂、20‑40份...
TPP弹性体光刻胶及其制备方法和应用
本申请属于新材料技术领域,提供了TPP弹性体光刻胶及其制备方法和应用。TPP(双光子聚合)弹性体光刻胶包括聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、稀释剂、交联剂和引发剂;PUA的数均分子量为2000~9000;稀释剂为二官能团丙烯酸酯单体;交联剂为三官能...
一种通过配体交换使量子点与商用光刻胶兼容光刻的方法
本发明涉及光电材料技术领域,具体公开了一种通过配体交换提升钙钛矿量子点稳定性的方法,实现其与商用光刻胶AZ5214的直接混合及简便高效图案化,克服了兼容性问题。所述方法通过对CsPbBrI2量子点引入新配体正十二硫醇,硫醇配体可以通过形成S...
负型感光性树脂组合物、固化膜及其制造方法、层叠体、半导体元件
本发明公开了一种负型感光性树脂组合物,该树脂组合物包括含有(甲基)丙烯酸基和脲键重复单元的聚酰亚胺前体及聚苯并噁唑前体组成的组中的至少一种。本发明的负型感光性树脂组合物能够在180~250 ℃下实现11~25+微米厚的固化膜的低温固化,避免...
有机膜形成用苯磺酸盐化合物、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法
本发明涉及有机膜形成用苯磺酸盐化合物、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供可形成使用作为多层抗蚀剂用的有机下层膜时涂布缺陷、成膜性、填埋性结果等涂布性优良的膜,且作为光致抗蚀剂材料亦为有用的使用了不属于全氟烷...
纳米压印模块、自由度调节方法及纳米压印机
本申请提供了一种纳米压印模块、自由度调节方法及纳米压印机,可以应用于半导体设备技术领域。该纳米压印模块包括:促动器第一端连接件,包含相对的第一上端面和第一下端面,第一下端面上不共线的三个点分别与不同的促动器的第一端连接;三个促动器,每个促动...
一种基于纳米压印单元拼贴的大面积曲面微纳结构减反射表面制备方法
本发明属于光学微纳制造技术领域,提供了一种基于纳米压印单元拼贴的大面积曲面微纳结构减反射表面制备方法,包括:机械减薄、单元边长设定、基材切割、基片清洗、压印模板制备、压印基片制备、粘接层喷涂、逐片贴合、压合处理以及紫外线照射;本发明通过将原...
一种大面积气压式纳米压印装置及其压印方法
本申请提供了一种大面积气压式纳米压印装置及其压印方法,包括包括:上腔整体、下腔体和连接两个腔体的上下腔体支撑柱,上腔整体设有紫外灯和密封可伸缩外壳,下腔体内设有微型伺服电机、保护外壳、可伸缩保护内壳,可伸缩保护内壳的顶端设有基体放置圆盘,基...
一种改善光掩模干法蚀刻工艺中石英玻璃片监测颗粒的方法
本发明涉及一种改善光掩模干法蚀刻工艺中石英玻璃片监测颗粒的方法,包括对石英玻璃片进行第一次颗粒物检查、在真空腔室中进行氧化镀膜、进行第二次颗粒物检查、对比第一次颗粒物检查结果和第二次颗粒物检查结果以完成对石英玻璃片的处理。利用本发明设计的一...
一种掩模版的清洗方法和清洗装置
本发明涉及半导体掩模版清洗技术领域,具体涉及一种掩模版的清洗方法和清洗装置,清洗方法包括以下步骤:S1、将待清洗掩模版放置于亚硫酸盐溶液中,亚硫酸盐溶液的pH为10~14;S2、在采用紫外光照射活化亚硫酸盐溶液的条件下,利用超声清洗待清洗掩...
一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质,通过接收目标掩膜图案及对应的设计厚度;将所述目标掩膜图案作为初始电子束曝光图案输入预训练的掩膜顶底面工艺校正模型;确定所述模拟电子束曝光图案中各个边缘段对应的...
掩模版的缺陷修复方法、装置及终端
本发明提供一种掩模版的缺陷修复方法、装置及终端,修复方法包括:获取掩模版表面的光声信号与荧光信号;光声信号与荧光信号是在量子点溶液施加至掩模版表面,通过激发所述量子点溶液中的量子点时产生的;根据光声信号与荧光信号,确定缺陷区域的缺陷信息,缺...
一种缺陷掩膜基板的筛选方法、系统、介质及终端
本发明提供一种缺陷掩膜基板的筛选方法、系统、介质及终端,本发明的缺陷掩膜基板的筛选方法包括,获取缺陷掩膜基板的缺陷信息;获取目标版图数据;将缺陷掩膜基板与目标版图设定不同的相对旋转角度,进行匹配分析:B1:若缺陷为遮光型缺陷,当局部图形密度...
一种掩模版表面光刻保护层、制备方法及应用
本发明涉及半导体光刻技术领域,具体涉及一种掩模版表面光刻保护层、制备方法及应用,光刻保护层设置在掩模版具有图形结构的表面上,用于提升光刻曝光过程中的图形质量,所述光刻保护层包括类金刚石碳材料,所述光刻保护层的厚度为至少12nm,使用包括光刻...
冗余图形的添加方法、添加系统、计算机设备和存储介质
本申请涉及一种冗余图形的添加方法、添加系统、计算机设备和存储介质。该冗余图形的添加方法包括:获取掩膜图形;于掩膜图形中划分出第一区域及第二区域;第一区域为需要进行光学临近校正的区域,第二区域为无需进行光学临近校正的区域;于第一区域添加第一冗...
一种校正光罩布局的方法
本发明提供了一种校正光罩布局的方法,应用于半导体技术领域。在本发明中,先基于相邻像素图形之间的间距长度,筛选出间距长度不满足预设范围的多个像素图形,然后再对筛选出的像素图形的关键尺寸进行不同比例的N次倍缩,以构建出若干第一测试光罩,而后基于...
光学邻近修正模型的建立方法、系统、设备及存储介质
本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法、系统、设备及存储介质,方法包括:提供测试版图,测试版图上具有第一测试图形;利用第一光学邻近修正模型对第一测试图形进行修正操作,生成第一测试图形的掩模版图形数据;获取按照掩模版图形数据,执行曝光...
光学邻近校正方法、电子设备及计算机可读存储介质
本发明提供一种光学邻近校正方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括:获取与图形密度对应的光刻胶等效扩散长度数据;基于所述数据,对目标版图进行光学邻近校正。获取数据时,可设计具有不同占空比的测试图形,通过光刻实验确定等效扩散长度随图形密...
光罩传送盒
本发明提供一种光罩传送盒,用于存放一光罩,该光罩传送盒包含一底座及一上盖。其中,底座具有一基板,基板可气体连接至一外部充填洁净气体。上盖可选择性盖合底座并形成一存放空间,用以存放光罩,并使存放空间气体连接至外部充填洁净气体。基板与上盖是由一...
一种偏轴投影屏幕及投影系统
本发明属于投影显示领域,公开了一种偏轴投影屏幕,包括成像层、黑色吸光层和锯齿形微结构层;所述黑色吸光层上设置有若干非均匀间隔分布的黑色吸光条,从靠近投影机方向往远离投影机方向,所述黑色吸光条的分布间距增大。本发明的黑色吸光条的设置,使得屏幕...
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木材加工工具,设备的制造及其制品制作技术
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