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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202511334819.6
    提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置(1)，所述半导体装置(1)包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元(34)的源极部(...
    2026-01-01
  • 一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法
    一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法_宁波萃锦科技发展有限公司_202511321362.5
    本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，尤其涉及一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法。该结构在N型SiC衬底上依次形成N+缓冲层与N‑漂移层，其表面设有深度一致的主沟槽与辅助沟槽；主沟槽内依次形成栅氧化层与多晶硅栅极，...
    2026-01-01
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511284793.9
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括半导体层、沟槽、栅电极和场电极。其中半导体层具有相背的第一表面和第二表面。沟槽，位于所述半导体层中，自半导体层的第一表面向半导体层内部延伸。栅电极，位于沟槽上半部分。场电极，位于沟槽下半部分。场电极包括第...
    2026-01-01
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511283363.5
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括：半导体层，具有相背的第一表面和第二表面；沟槽，位于所述半导体层中，自所述半导体层的第一表面向半导体层内部延伸；栅电极，位于沟槽上半部分；以及场电极，位于沟槽下半部分，其中所述场电极中包括第一空槽。本申请...
    2026-01-01
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510633049.9
    本公开涉及半导体装置及其制造方法，用于使短路耐量提高。半导体装置具备的半导体基板具有漂移层、并排设于漂移层的上表面侧的第一和第二基极层、选择性设置于第二基极层的上表面侧且杂质浓度分别比第一基极层、第二基极层高的源极层和接触层。另外具备：栅极...
    2026-01-01
  • 一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件
    一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件_电子科技大学_202511641059.3
    本发明提出一种浅槽隔离加固的抗辐射高压LDMOS器件，属于功率半导体技术领域。所述器件包括衬底、埋氧层、N型漂移区、N阱区、P阱区、ONO浅槽隔离区、栅氧化层、多晶硅栅、重掺杂源极区、重掺杂体接触区、重掺杂漏极区、漏极金属、源极金属；器件最...
    2026-01-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511332669.5
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底内的体区；位于衬底内的漂移区；位于漂移区内的浅沟槽隔离结构；位于漂移区上的场板氧化层；位于衬底上的栅极结构；位于体区内的源极区；位于漂移区内的漏极区。浅沟槽隔离结构能够有效避免“鸟嘴效...
    2026-01-01
  • 一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法
    一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法_河南师范大学_202511287621.7
    本发明公开了一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法，本发明涉及半导体晶体管技术领域，包括衬底层，半导体层的上方两侧分别设置有导电接触层和导电金属层，导电接触层的上方设置有第一电极和第二绝缘层，导电金属层的上方设置有第二电极，导电接触层和导电...
    2026-01-01
  • 一种晶体管、制作方法及电子器件
    一种晶体管、制作方法及电子器件_深圳平湖实验室_202511670441.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管、制作方法及电子器件，该晶体管包括：依次堆叠设置的漏极、导电衬底、半导体层和源极，半导体层包括沿第一方向排列的第一半导体、第二半导体和第三半导体，第一半导体和第二半导体形成第一沟道，第二半导体和第三...
    2026-01-01
  • 晶体管结构
    晶体管结构_杰力科技股份有限公司_202410963497.0
    本发明提供一种晶体管结构，包括磊晶层、井区、多个栅极区域、多个第一重掺杂区以及多个第二重掺杂区。井区形成在磊晶层之上。栅极区域形成在磊晶层中并穿透井区。各第一重掺杂区形成在对应的各栅极区域的第一侧边上，第一重掺杂区彼此间相互隔离。各第二重掺...
    2026-01-01
  • 在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET
    在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET_德州仪器公司_202511274337.6
    本发明实施例涉及在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET。一种半导体装置(100)包含延伸漏极finFET(102)。所述finFET(102)的漏极漂移区域(128)在所述finFET(102)的漏极接点区域(132)与主体(124...
    2026-01-01
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410728197.4
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：补偿层，覆盖所述鳍部的部分侧壁。由于补偿层覆盖鳍部的部分侧壁，因此，在后续的工艺过程中，补偿层可以起到平衡鳍部尺寸的作用，从而对鳍部的损耗进行补偿，相应提高鳍部的质量和性能，进而提高半导体结构的性...
    2026-01-01
  • 一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片
    一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511666348.9
    本发明公开一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片，包括：半导体基底、多晶硅栅极层和栅极金属层；栅极金属层包括：至少两个相互电气隔离的栅极金属区和一个栅极信号扩展区，每个栅极金属区对应至少一个高阻细条，栅极信号扩展区通过高阻细条分别与各...
    2026-01-01
  • 包括分离图案的场效应晶体管及其制造方法
    包括分离图案的场效应晶体管及其制造方法_三星电子株式会社_202510289944.3
    一种半导体器件包括：衬底；有源图案，在衬底上；第一沟道图案和第二沟道图案，在有源图案上；分离图案，在第一沟道图案和第二沟道图案之间；栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上；以及栅极绝缘层，在第一沟道图案和栅电极之间、以及第二沟道图案和栅电极...
    2026-01-01
  • 一种金刚石基板上GaN基HEMT外延结构及其制备方法
    一种金刚石基板上GaN基HEMT外延结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511659133.4
    本发明公开一种金刚石基板上GaN基HEMT外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该外延结构包括从下而上层叠设置的金刚石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N过渡层、GaN/Alx2Ga1‑x2N应变超晶格层、GaN缓冲层、Aly1I...
    2026-01-01
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_深圳平湖实验室_202511640939.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，位于衬底上的缓冲层，位于缓冲层上的势垒层，位于势垒层的部分区域上的栅极盖帽层，覆盖栅极盖帽层及部分势垒层的介质层，位于介质层两侧的源极和漏极。栅极盖帽层包括：位于势垒层上的p型半导体层和位...
    2026-01-01
  • 一种低温低噪声InP基HEMT器件结构
    一种低温低噪声InP基HEMT器件结构_大连理工大学_202511284505.X
    本发明公开了一种低温低噪声的InP基HEMT器件结构，自下而上依次为：衬底层、第一缓冲层、第二缓冲层、第一沟道层、第二沟道层、隔离层、δ‑Si掺杂层、势垒层、刻蚀停止层和帽层；其中，所述第二缓冲层采用渐变组分，组分为InzAl1‑zAs，z...
    2026-01-01
  • 半导体装置
    半导体装置_稳懋半导体股份有限公司_202510758329.2
    一种半导体装置，包括：基板、半导体堆叠、盖层、源极电极及漏极电极、以及栅极。半导体堆叠位于基板之上。盖层位于基板之上，且包括：本质盖层、刻蚀停止层、n型盖层。开口穿过盖层。源极电极及漏极电极，位于半导体堆叠之上。栅极，位于开口之中且位于源极...
    2026-01-01
  • 半导体结构的形成方法和半导体结构
    半导体结构的形成方法和半导体结构_广州增芯科技有限公司_202511327874.2
    一种半导体结构的形成方法和半导体结构，方法包括：提供基底，基底内包括第一漂移区、体区、以及位于第一漂移区与体区之间的待掺杂区，部分第一漂移区内形成有浅沟槽隔离结构，并且，第一漂移区内的浅沟槽隔离结构延伸至待掺杂区内；在基底的顶面形成第一掩膜...
    2026-01-01
  • 具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法
    具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511296216.1
    公开了具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法。碳化硅器件(500)包括具有沟槽栅极结构(150)的碳化硅本体(100)，该沟槽栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中。本体区(120)与沟槽栅极结构(150)的有...
    2026-01-01
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