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最新专利技术
  • 半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法
    半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411350482.3
    本公开提供了半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法，该半导体管芯包括硅层。第一器件电路形成在该硅层的第一端部处的第一区域中，并且第二器件电路形成在硅层的第二端部处的与该第一区域相距一定距离的第二区域中。该第一端部与该第二端部相对，并且该第一器...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511621046.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底，包括相邻设置的第一器件区和第二器件区；多个栅极结构，间隔设置于所述衬底上；西格玛沟槽，位于所述第一器件区内，且所述西格玛沟槽设置于相邻两个所述栅极结构之间的所述衬底内；隔离沟槽，位于所述第二...
    2025-12-29
  • 降低半导体器件延迟的器件结构
    降低半导体器件延迟的器件结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511195912.3
    本发明公开了一种降低半导体器件延迟的器件结构中，半导体器件包括形成于半导体衬底表面上的平面栅。第一层间膜形成于平面栅外侧的半导体衬底表面上并将平面栅的侧面包覆。第一层间膜包括由多层二氧化硅层和多层LK材料层交替生长形成的叠加结构，LK材料层...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510283461.2
    一些示例实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一下栅极结构，在第一方向上延伸；上器件隔离结构，在第一下栅极结构上在第一方向上延伸；第二下栅极结构，在第二方向上与第一下栅极结构间隔开，第二方向与第一方向交叉，并且第二下栅极结构在第一...
    2025-12-29
  • n/p MOS栅极堆叠及其制造方法
    n/p MOS栅极堆叠及其制造方法_三星电子株式会社_202510154451.9
    n/p MOS栅极堆叠包括：半导体衬底，具有nMOS区域和pMOS区域；nMOS堆叠，包括第一界面层、形成在第一界面层上的第一高介电层、形成在第一高介电层上的第一n金属层、以及形成在第一n金属层上的第一上电极，它们形成在nMOS区域中；以及...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510612967.3
    一种半导体装置包括：下层间绝缘层，包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；多个有源图案，设置在下层间绝缘层的第一表面上；栅极结构，设置在下层间绝缘层的第一表面上；源极/漏极图案，连接到所述多个有源图案；下导电层，设置在下层间绝缘层的第...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411839785.1
    一种半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，在第一方向上彼此间隔开；第一半导体图案和第二半导体图案，与第一有源图案叠置；第三半导体图案和第四半导体图案，与第二有源图案叠置；下隔离绝缘层，在第一有源图案与第二有源图案之间；源极/漏极图案，...
    2025-12-29
  • 半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置
    半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410702628.X
    本申请涉及半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置，该半导体结构包括：衬底，位于衬底上的多个栅氧化结构和多个浅槽隔离结构，多个栅氧化结构和多个浅槽隔离结构沿第一方向间隔分布，位于每个浅槽隔离结构上的第一结构，第一结构包括沿第二方向间隔分布...
    2025-12-29
  • 一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法
    一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511193429.1
    本发明公开了一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法，功率器件包括共用衬底结构的耗尽型HEMT和增强型HEMT，耗尽型HEMT包括第一复合沟道层、第一势垒层、第一栅极、第一源极和第一漏极，增强型HEMT包括：第二复合沟道层、第二势垒...
    2025-12-29
  • 嵌入式MV器件的工艺集成方法
    嵌入式MV器件的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195905.3
    本发明公开了一种嵌入式MV器件的工艺集成方法中，MV器件的第一有源区的回刻工艺的步骤包括：形成第一掩膜层并对第一掩膜层进行图形化以打开第二导电类型MV阱的形成区域。以第一掩膜层为掩膜进行第二导电类型的离子注入以形成第二导电类型MV阱。以第一...
    2025-12-29
  • 形成半导体装置结构的方法
    形成半导体装置结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511100835.9
    本揭露的实施方式提供形成半导体装置结构的方法。此方法包括从基板形成鳍结构及鳍结构包括交替的第一及第二半导体层。此方法还包括移除每个第二半导体层的边缘部分、沉积围绕在鳍结构的绝缘材料、执行热工艺以横向地扩张第二半导体层、形成牺牲栅极结构在鳍结...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510731504.9
    方法包括：沉积第一层间电介质(ILD)，第一层间电介质围绕第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；使第一ILD凹进至第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件的顶面下方；在第一ILD上方以及在第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间形成硬掩模；执行离子注...
    2025-12-29
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721911.1
    示例性可流动化学气相沉积方法包括：在衬底上方沉积可流动介电材料；紫外线固化可流动介电材料；以及退火紫外线固化的可流动介电材料。可流动介电材料填充第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔。紫外线固化的紫外线功率大于约80％，并且退火的退火温度小于...
    2025-12-29
  • 半导体结构和用于形成半导体器件结构的方法
    半导体结构和用于形成半导体器件结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721024.4
    提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括提供衬底、第一纳米结构、第二纳米结构和第一栅极堆叠件。第一纳米结构位于衬底和第二纳米结构之间，并且第一栅极堆叠件包裹第一纳米结构和第二纳米结构。该方法包括去除第一栅极堆叠件和第一纳米结构的端部部...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511632337.9
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底，衬底的第一表面上包括沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层及金属栅；金属栅包括：介质叠层，沿朝向衬底的方向贯穿层间介质层；功函数叠层，向介质叠层内延伸，且其底面在第一表面...
    2025-12-29
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511424582.0
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括半导体本体，半导体本体阱区、第一区域、第二区域和第三区域，第一区域设置于所述半导体本体的第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面还设置有...
    2025-12-29
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410702472.5
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，一方面，沟道层中被栅极控制的区域增多，由此提高了栅控能力；另一方面，为栅极预留了凹槽这一额外的制备空间，提高了栅极的工艺窗口。该芯片包括衬底和设置在衬底上的环栅晶体管，环栅晶体管...
    2025-12-29
  • 场效应晶体管及其制备方法
    场效应晶体管及其制备方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410701854.6
    本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：基底、阻挡层、金属硅化物栅极和有源区，基底的第一表面上设置有栅氧层，阻挡层位于栅氧层背离基底的一侧，金属硅化物栅极位于阻挡层背离栅氧层的一侧，有源区位于金属硅化物栅极两侧且位于基底...
    2025-12-29
  • 存储结构及其制备方法
    存储结构及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202410658196.7
    本发明涉及一种存储结构及其制备方法，存储结构包括：存储单元、第一停止层以及第二停止层。存储单元包括：读晶体管，包括存储栅、读沟道结构以及背栅结构，存储栅沿第一方向延伸，读沟道结构包裹存储栅且在第一方向上具有露出存储栅的开口，背栅结构环绕读沟...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511223505.9
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此方法包括形成第一沟槽在基板中及形成第一栅极结构在第一沟槽中。形成第一栅极结构在第一沟槽中包括以下操作。沉积第一介电层以覆盖第一沟槽的内表面。第一栅极在第一沟槽中与第一介电层上形成。沉积第二介电层以覆盖...
    2025-12-29
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