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最新专利技术
  • 一种TOPCon太阳能电池电极电镀工艺
    一种TOPCon太阳能电池电极电镀工艺_弘元新材料(徐州)有限公司_202511145297.5
    本发明公开了一种TOPCon太阳能电池电极电镀工艺，本发明涉及太阳能电池技术材料领域，包括以下操作步骤：S1：在N型硅片的正面、背面层进行激光开槽，开出正面、背面栅线图案，露出p+发射极和n+场区；S2：对n+场区的开槽区进行预清洗；S3：...
    2025-11-30
  • 一种全彩光电功能材料的层压结构及封装方法
    一种全彩光电功能材料的层压结构及封装方法_新源劲吾(北京)科技有限公司_202511002085.1
    本申请提出了一种全彩光电功能材料的层压结构及封装方法，方法包括对透明基层表面处理使得透明基层表面的达因值大于60；在透明基层厚度方向上的一侧利用油墨进行图像成型处理形成彩色层；将完成彩色层设置的透明基层再次进行表面处理，使得彩色层表面的达因...
    2025-11-30
  • 一种Ni@NiO/Ga2O3微米线光电探测器制备方法
    一种Ni@NiO/Ga2O3微米线光电探测器制备方法_东北师范大学_202510983430.8
    本发明公开了一种Ni@NiO/Ga2O3微米线光电探测器制备方法，涉及光电探测器制备技术领域，包括以下步骤：步骤一：利用热氧化法将NiMW氧化为Ni@NiOMW, 步骤二：利用原子层沉积技术ALD制备Ga2O3薄膜, 步骤三：Ga2O3薄膜...
    2025-11-30
  • 硅电路板的电气线路穿仓方法
    硅电路板的电气线路穿仓方法_江苏奥雷光电有限公司_202510976476.7
    本发明硅电路板的电气线路穿仓方法，在硅载体制作埋于二氧化硅钝化层的下方钛铂金线路实现硅基气密的电气线路穿仓；在硅表面镀金属化线路，实现微米级精度的载体、电气化线路集成，将封装体尺寸从十毫米级降低到毫米级，硅表面自然生成二氧化硅保护层，相对于...
    2025-11-30
  • 一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法
    一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法_西南技术物理研究所_202510963716.X
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法，其包括以下步骤：第一步：选用P型高阻单晶硅衬底，在其正面形成氧化层；第二步：在氧化层表面涂覆光刻胶，通过光刻定义注入窗口，形成硅晶圆；第三步：对硅晶圆正面注入硼离...
    2025-11-30
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_天合光能股份有限公司_202411334002.4
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳能电池制备方法包括：提供N型的半导体基底；半导体基底具有相对设置的第一面和第二面，第二面包括邻接的钝化接触区和钝化区；于第一面上形成第一隧穿钝化结构；于第二面上形成层叠的第二隧穿...
    2025-11-30
  • 一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元
    一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元_陕西众森电能科技有限公司_202410621618.3
    本发明涉及包含专门适用于制造或处理阳电池或其部件的方法，具体涉及一种太阳电池金属化方法、太阳电池单元，用于解决制备栅线的原料中采用银或锡包覆铜粉导致生产成本较高，而使用纯铜粉存在在空气中容易氧化导致导电性下降，以及栅线附着力差，易脱落的不足...
    2025-11-30
  • 太阳能电池的制备方法
    太阳能电池的制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410617351.0
    本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括一次硼扩散工艺及氧化工艺；所述硼扩散工艺包括：沉积步骤，向扩散炉中通入硼源、氧气及氮气，在硅衬底的第一表面进行硼原子沉积；推进步骤，向扩散炉中通入氮气，将硅衬底第一表面沉积的硼原子向第一...
    2025-11-30
  • 一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法
    一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法_常州时创能源股份有限公司_202410569888.4
    本发明公开了一种P型硅背结钝化双面电池的制备方法，本发明针对低温硼扩导致的电池效率低、背面硼硅玻璃防护力弱等问题提出了此工艺。首先在P型硅片上制绒并涂覆80‑100nm薄膜(二氧化硅或氮化硅)，通过激光开模精确分区，增强非电极区域抗硼扩散和...
    2025-11-30
  • CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器
    CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060686.8
    本发明提供一种CIS传感器用堆叠键合晶圆及CIS传感器。CIS传感器用堆叠键合晶圆具有与感光晶圆堆叠键合的逻辑晶圆，在所述逻辑晶圆的背面具有包括介电层和硅的多层层叠结构膜，所述多层层叠结构膜是硅基底层+第一SiO2+SiN/SiCN+第二S...
    2025-11-30
  • 光电转换器、感测装置、电子设备及其制造方法
    光电转换器、感测装置、电子设备及其制造方法_阜时科技有限公司_202511005973.9
    本公开提供一种光电转换器、感测装置及其制造方法，属于半导体技术领域。光电转换器包括衬底；多个光电转换单元，形成于衬底内，光电转换单元包括第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区和第二半导体区之间的接触界面形成PN结；隔离结构，设于相邻的两个...
    2025-11-30
  • 包括单光子雪崩二极管的图像传感器及制造该图像传感器的方法
    包括单光子雪崩二极管的图像传感器及制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202510633750.0
    一种图像传感器，包括：形成在衬底中的多个单光子雪崩二极管(SPAD)元件。多个SPAD元件中的每一个包括：沟槽，将一个SPAD元件与另一SPAD元件分离；第一导电类型半导体层，形成在沟槽的侧壁上；绝缘膜，形成在沟槽内部并且覆盖第一半导体层的...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_李学能_202511191835.4
    本发明提供一种半导体装置，包括介电层以及半导体基底。介电层具有凸出部或凹陷部。半导体基底包括依序堆叠在介电层上的第一型半导体层以及第二型半导体层。第一型半导体层设置在凸出部或凹陷部上。第一型半导体层的顶面及底面根据凸出部而凸出或根据凹陷部而...
    2025-11-30
  • 一种内级联激光电池阵列及其制作工艺
    一种内级联激光电池阵列及其制作工艺_中国电子科技集团公司第十八研究所_202510995478.0
    本发明提供一种内级联激光电池阵列及其制作工艺，所述电池阵列包括衬底，所述衬底上设有多个内级联横向子单元，所述多个内级联横向子单元可串并联输出不同的电压，相邻的所述内级联横向子单元之间设有隔离槽，所述内级横向子单元包括在所述衬底上自下而上逐层...
    2025-11-30
  • 一种感光芯片封装结构及方法
    一种感光芯片封装结构及方法_宁波金晟芯影像技术股份有限公司_202511029164.1
    本发明公开了一种感光芯片封装结构及方法，包括电路板、固定填充胶层、CIS感光芯片、支撑胶层、包裹填充胶层、滤光片及多个焊盘。CIS感光芯片通过固定填充胶层固定于电路板上方，感光区域由设置于其外沿的支撑胶层与上方滤光片共同构成密封芯片内腔；感...
    2025-11-30
  • 一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法
    一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511005509.X
    本申请公开了一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法。所述方法包括：将固定有红外探测器的夹具装入镀膜设备的腔室中；对腔室进行抽真空；在腔室满足预设条件的情况下，以一氧化硅为薄膜材料在红外探测器的预设区域制备背面增透薄膜；其中，腔室包括...
    2025-11-30
  • 具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器
    具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器_苹果公司_202510630866.9
    公开了用于混合像素阵列的各种结构。该混合像素阵列包括正方形光电二极管(PD)像素结构和分离PD像素结构的组合。正方形PD像素结构每像素单元包括一个光电二极管，而分离PD像素结构每像素单元包括两个光电二极管。在某些实例中，在该混合像素阵列中，...
    2025-11-30
  • 光检测传感器
    光检测传感器_三星电子株式会社_202510530736.8
    提供了一种光检测传感器，所述光检测传感器包括：基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，第二表面是光入射表面；深沟槽隔离件，在基底中的深沟槽内并且限定像素区域；至少一个凹陷，从第二表面到像素区域中；透明电极，在第二表面和所述至少一...
    2025-11-30
  • 一种光电晶体管及其制备方法
    一种光电晶体管及其制备方法_北京大学深圳研究生院_202410621328.9
    本申请涉及一种光电晶体管，包括衬底；位于所述衬底上方的控制极；位于所述衬底和所述控制极上方的介质层；位于所述介质层上方的有源层；位于所述有源层上方与有源层接触的第一电极，以及位于所述有源层上方、至少部分与所述有源层接触的第二电极；其中所述第...
    2025-11-30
  • 一种nBn型红外探测器材料及其制备方法
    一种nBn型红外探测器材料及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202511050167.3
    本发明提供了一种nBn型红外探测器材料，包括衬底，以及在所述衬底上由下至上依次生长的缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、上接触层和盖层；所述电子势垒层与所述吸收层之间设置空间电荷区调制层，所述空间电荷区调制层为N型重掺杂的半导体材料。该n...
    2025-11-30
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