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最新专利技术
  • 复合部件
    复合部件_株式会社村田制作所_202480017141.6
    本发明涉及复合部件， 是内置一个以上的电子部件的复合部件， 具备：Si基底层， 具有第一主面以及与第一主面对置的第二主面；重布线层， 配置在第一主面上；Si贯穿过孔， 与重布线层电连接， 并贯穿Si基底层；电子部件， 与Si贯穿过孔电连接，...
    2025-10-26
  • 半导体模块
    半导体模块_新电元工业株式会社_202480016015.9
    本发明的目的在于提供一种半导体模块， 在将壳体粘接于基板时， 可以抑制粘接剂溢出到基板上的搭载电子部件的搭载部侧。本发明的半导体模块(1)具有安装有壳体(20)的基板(10)并由树脂密封， 其中， 在与基板(10)对置的壳体(20)的对置面...
    2025-10-26
  • 包括厚掩埋介电层的基板和制备这种基板的方法
    包括厚掩埋介电层的基板和制备这种基板的方法_索泰克公司_202480015799.3
    本发明涉及一种最终基板(S)， 该最终基板依次包括以下项并且以下项彼此接触：由半导体材料制成的上层(5)、厚度大于200nm的介电层(4)、电荷捕获层(2)和基础基板(3)。最终基板(S)的曲率小于60微米， 优选地小于40微米。上层(5)...
    2025-10-26
  • 板状基材的加工方法
    板状基材的加工方法_电化株式会社_202480016975.5
    本发明提供一种板状基材的加工方法， 其特征在于， 包括：工序A， 经由临时固定用组合物， 将板状的基材(1)与光学透明的板状的基材(2)贴合；工序B， 使上述组合物固化而形成粘接剂层， 将基材(1)与(2)粘接；工序C， 加工基材(1)或(...
    2025-10-26
  • 装载口装置及EFEM
    装载口装置及EFEM_TDK株式会社_202480019396.6
    本发明提供一种能够将容器内的气氛的清洁度维持为高的状态的装载口装置、及包括该装载口装置的EFEM。装载口装置(10)具有：吹扫部(16)， 其向收纳晶圆W的容器(2)的内部导入吹扫气体；框架(11)， 其具备能够取放晶圆W的开口部(14)；...
    2025-10-26
  • 各级上具有机械手的二级真空晶片传送系统
    各级上具有机械手的二级真空晶片传送系统_应用材料公司_202480015198.2
    示例性半导体处理系统可以包括第一处理腔室和第二处理腔室。每个处理腔室可以限定处理区域和具有狭缝阀的传送区域。每个处理腔室可以包括可在处理区域和传送区域之间垂直平移的基板支撑件。每个处理腔室可包括设置在基板支撑件上方并与基板支撑件对准的气体输...
    2025-10-26
  • 检测单晶硅结构中的缺陷的方法
    检测单晶硅结构中的缺陷的方法_环球晶圆股份有限公司_202480015978.7
    本发明公开用于检测掺杂有锑、硼、砷或磷的单晶硅结构中的缺陷的方法。将所述结构浸没在超声波浴中。使所述结构与包括硝酸及氢氟酸的第一蚀刻剂溶液接触以形成经蚀刻表面。使用包括能够扩散通过硅以形成经涂布表面的金属的组合物涂布所述经蚀刻表面。将所述结...
    2025-10-26
  • 连接构造体的制造方法和引导膜
    连接构造体的制造方法和引导膜_迪睿合株式会社_202480017643.9
    在布线基板等第1部件的既定区域接合有比第1部件更微细的μLED等第2部件的连接构造体的制造方法具有：在第1部件与第2部件之间配置具有该第2部件能够通过的贯通孔的引导膜的工序A；使第2部件通过引导膜的贯通孔而将第2部件配置于第1部件的既定区域...
    2025-10-26
  • 用于通过局部光子表面激活的选择性蚀刻的方法
    用于通过局部光子表面激活的选择性蚀刻的方法_东京毅力科创株式会社_202480016805.7
    披露了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在室中提供由图案化掩模覆盖的衬底。该方法包括在室中对衬底的未被图案化掩模覆盖的部分局部地施加辐射。该方法包括在室中通过干法蚀刻工艺蚀刻衬底部分。
    2025-10-26
  • 被处理体的处理方法、用于去除含硼物的去除液及基板的处理方法
    被处理体的处理方法、用于去除含硼物的去除液及基板的处理方法_东京应化工业株式会社_202480016662.X
    一种被处理体的处理方法， 包括：使包含正高碘酸和水的含硼物去除液与具有含硼物的被处理体接触， 去除所述含硼物的工序。此外， 一种用于从具有含硼物的被处理体中去除含硼物的去除液， 其包含正高碘酸和水。
    2025-10-26
  • 蚀刻方法和蚀刻装置
    蚀刻方法和蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480019591.9
    在本公开中， 对容纳有基板的处理容器内进行排气， 该基板形成有分别在表面暴露的第1膜和多孔质膜以及由所述多孔质膜覆盖而不在表面暴露的第2膜， 从气体供给源向气体供给路径供给相对于所述第1膜和所述第2膜具有蚀刻性的蚀刻气体， 将所述蚀刻气体贮...
    2025-10-26
  • 基板处理装置和基板处理方法
    基板处理装置和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480019353.8
    本公开说明一种能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：清洗部， 其构成为利用清洗液清洗在处理部中被处理后的基板；以及搬送部， 其构成为在处理部与清洗部之间搬送基板。清洗部包括：清洗槽， 其构成为贮...
    2025-10-26
  • 刻蚀加工方法、加工方法和半导体制造系统
    刻蚀加工方法、加工方法和半导体制造系统_株式会社日立高新技术_202480006263.5
    已经开发出一种用于在低温使用雾/蒸气/等离子体进行无损和选择性各向同性刻蚀的新型循环刻蚀方法， 即， 类湿法原子层刻蚀(ALE)、或类湿法(等离子体) ALE、或纳米雾(等离子体) ALE， 所述方法可以最大限度地减少由于等离子体ALE中的...
    2025-10-26
  • 用于对衬底进行表面处理的方法和用于将这种衬底与另外的衬底键合的方法以及用于执行这种方法的设备
    用于对衬底进行表面处理的方法和用于将这种衬底与另外的衬底键合的方法以及用于执行这种方法的设备_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380096077.0
    一种用于对衬底(B)进行表面处理的方法， 尤其作为用于将该衬底与另外的衬底连接的方法的准备步骤， 所述方法包括：‑ 提供具有设置用于连接的键合面的衬底(B)， ‑ 至少在键合面的部分区域中对衬底(B)进行处理(100)， 以构成具有第一厚度...
    2025-10-26
  • 基板处理装置
    基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480020018.X
    一种基板处理装置， 其向基板供给处理液而对所述基板进行处理， 其中， 具备：基板保持部， 其保持所述基板并使该基板旋转；杯， 其容纳有所述基板保持部；以及开口部， 其形成于所述基板保持部的上方， 用于进行所述基板的交接， 所述杯具备：外杯，...
    2025-10-26
  • 维护作业辅助系统、控制方法以及控制程序
    维护作业辅助系统、控制方法以及控制程序_东京毅力科创株式会社_202480017031.X
    本发明使维护作业均质化。一种具备进行各作业项目的维护作业的作业机器人的维护作业辅助系统， 其具有：测定部， 每当进行作为对象的作业项目的维护作业时， 对针对所述作业项目规定的测定部位进行测定；判定部， 判定由所述测定部测定出的测定结果是否满...
    2025-10-26
  • 二次离子质谱分析
    二次离子质谱分析_诺威有限公司_202380094686.2
    一种基于SIMS的分析系统， 包括：(a)存储器电路， 被配置成存储：(i)非平面的三维(3D)结构元件的估计模型；以及(ii)3D结构元件的测量SIMS谱；(b)校准信息电路， 被配置成获得校准信息；(c)SIMS模拟电路， 被配置成提供...
    2025-10-26
  • 阻抗匹配电路、等离子体处理供应系统以及等离子体处理系统
    阻抗匹配电路、等离子体处理供应系统以及等离子体处理系统_通快霍廷格两合公司_202480015487.2
    本发明涉及一种用于等离子体处理供应系统的阻抗匹配电路(1)， 包括：a)用于固定的预设阻抗变换的第一阻抗匹配单元(6)， b)用于可调阻抗变换的第二阻抗匹配单元(7)， 该第二阻抗匹配单元包括：i)一个或更多个电抗器(C3)以及ii)用于变...
    2025-10-26
  • 阻抗匹配模块、阻抗匹配电路、等离子体工艺供应系统和等离子体工艺系统
    阻抗匹配模块、阻抗匹配电路、等离子体工艺供应系统和等离子体工艺系统_通快霍廷格两合公司_202480015483.4
    本发明涉及用于阻抗匹配电路、等离子体工艺供应系统和等离子体工艺系统的阻抗匹配模块， 该阻抗匹配模块用于功率≥500W以及在从2MHz至100MHz的范围内的频率， 该阻抗匹配模块具有：a)绝缘电路板(3)， b)平面导体轨道(2)， 其布置...
    2025-10-26
  • 多束粒子束系统与其操作方法
    多束粒子束系统与其操作方法_卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司_202480019778.9
    本发明公开了一种多束粒子显微镜， 其具有用于产生多重个别射束的改良微光学单元。该改良微光学单元包含用于设定及维持多重个别射束的不变成像特性的装置。在一个实例中， 该改良微光学单元包含至少一个测量设备， 用于感测在操作期间该微光学单元的部件的...
    2025-10-26
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