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  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和外壳, 底座和外壳连接形成的中空腔体内设置有:弹片, 一端为固定端且另一端为弯折板, 弹片具有施压端, 施压端位于固定端和弯折板之间;发射极板, 顶端与弹片连接, 令弹片作...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和外壳, 底座和外壳连接形成的中空腔体内设置有:弹片, 一端为固定端且另一端为自由端, 固定端固定在中空腔体内;发射极板, 上部为竖直结构的第一竖直部;接收极板, 上部为竖直...
  • 本发明属于电子产品技术领域, 具体涉及一种电容微动开关, 包括底座和盖板, 底座和盖板连接形成的中空腔体内设置有:发射极板, 上部为第一竖直部;接收极板, 上部为第二竖直部, 第二竖直部与第一竖直部相对设置形成电容结构;复位件, 底端与中空...
  • 本发明实施例提供了一种触摸检测电路, 包括触摸传感器、开关组件、第二电容、第三电容和差分放大器, 触摸传感器包括第一电容, 开关组件用于依次导通电源与第二电容之间的通路、第一电容与第二电容之间的通路、第一电容与电源之间的通路, 第一电容与第...
  • 本公开实施例提供了一种理想二极管电路, 包括:功率管驱动模块、比较器模块以及背靠背串联的第一NMOS管和第二NMOS管;第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接功率管驱动模块的输出端, 第一NMOS管的源极连接理想二极管电路的输入...
  • 本发明公开了一种肖特基界面雪崩电离基负阻效应的开关式调控方法, 通过在半导体材料表面制备四个金属电极, 其中两端各一个, 中间中垂线两侧各一个。将电流源与电压表并联后, 正负极接两端电极时, 因边缘电极限制载流子运动路径, 肖特基界面发生雪...
  • 本发明提供了一种转移电流电路以及直流断路器, 属于电路保护技术领域, 转移电流电路包括:第一电路和第二电路, 包括串联的两个功率半导体器件, 且两个功率半导体器件之间引出两个端点;第三电路, 包括依次串联的第一电感、电阻和第五功率半导体器件...
  • 提供能够利用微弱的电流高精度地驱动负载的半导体开关。半导体开关具备产生基于受光的电动势的电动势产生电路, 连接于第一输出端子与基准电压节点之间并在产生上述电动势时驱动负载的第一开关晶体管, 连接于第二输出端子与上述基准电压节点之间并在产生上...
  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种带测试电路的异步复位状态可控的触发器电路结构, 包括第一复位控制电路、第二复位控制电路、M组异步复位状态可控的触发器电路{A1, A2, ..., Am, ..., AM}, Am为第m个异步复位状态可...
  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种异步复位状态可控的低功耗触发器电路结构, 包括第一触发器、第二触发器、复位控制门、置位控制门和非门, 其中, 第一复位输入引脚和第一置位输入引脚均用于接收第一复位信号, 第二复位输入引脚和第二置位输入引...
  • 本发明涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种带测试电路的异步复位状态可控的低功耗触发器电路结构, 包括第一选择器、第二选择器、第一触发器、第二触发器、复位控制门、置位控制门和非门, 其中, 第一选择器的第一输入端口用于接收第一测试复位信号, 第一...
  • 本发明公开了一种基于GaN HEMT具有自恢复功能的串扰抑制电路及方法, 属于电力电子与电力传动的技术领域, 本发明电路拓扑结构包括方波选通模块、电阻R1、电容C1、二极管D1和二极管D2。本发明方法电容在栅极开通过程中进行充电, 然后当G...
  • 本发明公开了一种可调的互补输出驱动装置, 包括:功放单元, 用于接收外部输入的第一信号I, 对所述第一信号I进行1:1放大;信号处理单元, 与所述功放单元连接, 用于接收所述第一信号I和参考信号R, 将所述功放单元输出的所述第一信号I直接输...
  • 本申请实施例公开一种时钟切换电路。时钟切换电路包括时钟处理单元、时钟选择单元、复位控制单元、延迟单元及时钟输出单元, 时钟处理单元包括多个时钟处理电路, 复位控制单元基于时钟处理电路的工作状态与外部系统的工作状态, 输出第一复位信号, 延迟...
  • 本发明公开了一种过流保护电路及供电电路, 电流比较电路通过采集目标MOS管所在电路的目标电流, 并在目标电流大于预设电流阈值时输出MOS管关断指令, 也即在确定负载出现电流过载时输出MOS管关断指令, 以便使MOS管控制电路输出关断控制电平...
  • 本发明提供了一种开关组件及导电结构, 开关组件包括串联基板, 所述串联基板上设置有供电流流通的第一流路;至少两个开关基板, 各个所述开关基板上均设置有供电流流通的第二流路;各个所述开关基板的第二流路与所述第一流路均连通;各个所述开关基板上至...
  • 本发明公开了一种误触发振荡定量抑制的GaN HEMT驱动方法, 包括以下步骤:计算关断暂态过程时间;建立误触发振荡等效电路模型, 推导振荡系统特性方程并对其进行根轨迹分析, 划定振荡抑制效果最好的RC参数的设计范围;通过检测电路检测GaN ...
  • 本发明提供了一种基于多段式栅极驱动的功率模块及其关断方法, 包括:PWM控制器、多段式栅极驱动电路及功率器件, PWM控制器连接多段式栅极驱动电路, 多段式栅极驱动电路连接功率器件的栅极;PWM控制器向多段式栅极驱动电路发送关断信号;多段式...
  • 本发明提供了一种多段式驱动电路, 包括:PWM控制器, 用于输出关断信号;分阶段模块, 输入端连接PWM控制器的输出端;分阶段模块依次输出三阶段的信号:起始阶段的信号、转换阶段的信号、结束阶段的信号;以及, 电流生成模块, 输入端连接PWM...
  • 本发明涉及射频脉冲调制技术领域, 提供一种射频脉冲调制信号产生电路及射频脉冲调制设备, 其中电路包括:控制模块;推挽模块, 控制模块与推挽模块的受控端连接;开关调制模块, 推挽模块与开关调制模块连接, 开关调制模块与射频信号输入端以及射频信...
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