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最新专利技术
  • 非水电解质二次电池用负极及使用其的非水电解质二次电池
    非水电解质二次电池用负极及使用其的非水电解质二次电池_株式会社AESC日本_202380094321.X
    本发明的目的在于抑制使用Si系负极活性物质时的、包含锂离子二次电池的非水电解质二次电池的充放电中的膨胀收缩， 提高非水电解质二次电池的寿命(循环特性)， 并提高快速充电性。负极活性物质包括：硅系活性物质(A1)， 包含预掺杂有锂的SiOx(...
    2025-10-20
  • 半导体结构体及其制造方法
    半导体结构体及其制造方法_三井化学株式会社_202480013743.4
    一种半导体结构体， 具有半导体基板、复合基板和中间接合层， 该半导体基板包含半导体基板接合层， 该半导体基板接合层包含绝缘层和电极， 该复合基板包含二维配置的多个硅裸片和填充在多个硅裸片之间的有机间隙填充材料， 该中间接合层介于半导体基板中...
    2025-10-20
  • 陶瓷板、包装体、陶瓷板的制造方法、模块及电气电子产品
    陶瓷板、包装体、陶瓷板的制造方法、模块及电气电子产品_电化株式会社_202480013614.5
    一种陶瓷板， 其在板状陶瓷部件的表面的至少一部分具备镀覆膜。通过升温脱附气体分析法， 以5℃/分钟的升温速度将该陶瓷板从25℃加热至400℃时的250℃下的陶瓷板的每单位质量的氢的释放量A250以基于离子电流值的质谱强度计为5.0×10‑1...
    2025-10-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480013003.0
    实施方式的半导体装置具有主体部， 该主体部具有基板以及在基板的外表面中的朝向第一方向的一侧的器件面上安装的芯片。具有收容主体部的壳体。具有导热销。壳体具有与器件面对置的盖部件。导热销保持于盖部件， 并且从盖部件朝向芯片延伸。
    2025-10-20
  • 包括伸长焊盘的集成器件
    包括伸长焊盘的集成器件_高通股份有限公司_202480014484.7
    一种设备， 包括集成器件。该集成器件包括管芯基板；耦合至该管芯基板的互连部分、多个焊柱互连以及耦合至该互连部分的钝化层。互连部分包括第一多个焊盘和第二多个焊盘。第一多个焊盘被配置成提供用于输入/输出信号的第一多个电路径。第二多个焊盘被配置成...
    2025-10-20
  • 利用晶粒至晶片键合的多层晶粒堆叠方法
    利用晶粒至晶片键合的多层晶粒堆叠方法_应用材料公司_202380094269.8
    本文提供晶粒堆叠的方法的实施方式。在一些实施方式中， 一种利用晶粒至晶片键合的晶粒堆叠的方法包含：通过混合键合工艺将多个第一晶粒键合至基板；执行选择性硅(Si)薄化工艺， 以减少经键合的所述多个第一晶粒的厚度， 以形成多个薄化的第一晶粒；将...
    2025-10-20
  • 热控室断接件
    热控室断接件_朗姆研究公司_202480014731.3
    一种装置包括第一组件和第二组件。第一组件包括具有与其连接的第一导管的第一断接件以及与第一导管接触的温控外壳。第一温控外壳连接至处理室的第一部并包括加热器。第二组件连接至处理室的第二部， 并包括具有与其连接的第二导管的第二断接件。第一部与第二...
    2025-10-20
  • 半导体制造设备用废气预处理装置
    半导体制造设备用废气预处理装置_LOTCES有限公司_202480013263.8
    根据本发明， 提供一种半导体制造设备用废气预处理装置， 作为对从执行利用工艺气体的半导体制造工艺的半导体工艺腔室中通过真空泵腔室排气管排出的废气进行预处理， 该腔室排气管连接所述半导体工艺腔室和所述真空泵的装置， 包括：废气反应腔室， 其设...
    2025-10-20
  • 缓冲装置、安装装置及安装方法
    缓冲装置、安装装置及安装方法_芝浦机械电子株式会社_202480014683.8
    本发明提供一种缓冲装置、安装装置及安装方法， 可减少电子零件与安装基板的由从预处理到接合处理为止的时间的经过所致的接合不良。实施方式的缓冲装置具有：存储库161， 在对零件供给体TW与安装基板BW进行了表面处理和/或清洗处理后将这些加以存储...
    2025-10-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202480014879.7
    提供能够抑制导热性的降低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有半导体芯片、基板以及粘接层。所述基板支承所述半导体芯片。所述粘接层配置在所述半导体芯片与所述基板之间。所述粘接层将所述半导体芯片与所述基板粘接。所述粘接层具有第一部分...
    2025-10-20
  • 用添加剂气体进行的高深宽比接触刻蚀
    用添加剂气体进行的高深宽比接触刻蚀_东京毅力科创株式会社_202480013571.0
    披露了一种处理衬底的方法， 该方法包括：使碳氟化合物、金属卤化物和分子氢(H2)流动到等离子体处理腔室中， 该等离子体处理腔室被配置成固持衬底， 该衬底包括作为刻蚀目标的包含氧化硅的介电层和在该介电层上的包含多晶硅(poly‑Si)的图案化...
    2025-10-20
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、气体供给系统以及气体供给程序
    基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、气体供给系统以及气体供给程序_株式会社国际电气_202380094109.3
    具备：(a)一对喷射装置， 其分别向基板供给成膜用气体；(b)一对罐， 其与所述一对喷射装置中的各个喷射装置连接并蓄积所述气体；(c)一对开闭阀， 其分别控制相互对应的所述喷射装置与所述罐之间的所述气体的流体连通；(d)一对压力计， 其测定...
    2025-10-20
  • 在堆叠件中蚀刻特征的方法
    在堆叠件中蚀刻特征的方法_朗姆研究公司_202480014416.0
    提出了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法， 堆叠件包括在掩模下方的硅氧化物层。将衬底支撑件冷却至低于0℃的温度， 衬底支撑件用于支撑在蚀刻室中的堆叠件。提供蚀刻气体， 蚀刻气体包括含卤素成分及含磷成分。由蚀刻气体产生等离子体。提供偏置， 以使离子...
    2025-10-20
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社东芝_202480014880.X
    实施方式的半导体装置的制造方法具有第一粘贴工序、磨削工序、单片化工序以及支承基板脱离工序。第一粘贴工序是将由半导体材料构成的基材的形成有电路图案的器件面粘贴于支承基板的工序。磨削工序是在被支承基板支承的状态下对器件面的相反侧的面进行磨削的工...
    2025-10-20
  • 安装装置及安装方法
    安装装置及安装方法_芝浦机械电子株式会社_202480014043.7
    本发明提供一种安装装置及安装方法， 可减少电子零件与安装基板的由从预处理到接合处理为止的时间的经过所致的接合不良。实施方式的安装装置1具有：供给体清洗部110；安装基板清洗部120；表面处理部100， 对零件供给体TW及安装基板BW的表面进...
    2025-10-20
  • 基板处理方法、基板处理装置以及软件
    基板处理方法、基板处理装置以及软件_东京毅力科创株式会社_202480016750.X
    本公开的蚀刻方法实施以下工序：将第一蚀刻气体、包含氨气和胺气中的至少一方的第二蚀刻气体分别从气体供给源供给到气体供给路径；贮存工序， 将所述第一蚀刻气体及所述第二蚀刻气体贮存于在所述气体供给路径设置的贮存部， 并使该贮存部的内部升压；以及气...
    2025-10-20
  • 电子部件用粘合胶带
    电子部件用粘合胶带_古河电气工业株式会社_202480017271.X
    本发明提供一种电子部件用粘合胶带， 其即使对于表面具有阶差的厚而硬的晶圆， 也可使电子部件用粘合胶带充分追随而贴合， 通过将电子部件用粘合胶带扩张， 可将晶圆良好地分断为芯片状， 此外粘合剂层的碎片不会污染芯片。本发明的电子部件用粘合胶带(...
    2025-10-20
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202480014322.3
    实施方式的半导体装置的制造方法具有标记形成工序、第一粘贴工序、磨削工序、及处理工序。标记形成工序是在由半导体材料构成的基材的供电路图案形成的器件面形成凹部的工序。第一粘贴工序是将器件面粘贴于支承基板的工序。磨削工序是在被支承基板支承的状态下...
    2025-10-20
  • 薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件
    薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件_秀博瑞殷株式公社_202480014136.X
    本发明涉及一种薄膜形成物质、薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件， 并具有如下效果， 即提供通过采用可进行还原或催化反应来形成金属薄膜或金属氮化膜的规定物质作为薄膜形成物质， 从而不仅可以有效制造低电阻的薄膜， 还减少由碳等配...
    2025-10-20
  • 薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件
    薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件_秀博瑞殷株式公社_202480014135.5
    本发明涉及一种薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件， 其通过采用规定的还原剂， 即使在高集成化或具有复杂结构的基板上形成薄膜时， 也可以大幅提高薄膜的厚度均匀性， 并且具有通过减少杂质、改善薄膜密度和电阻率来有效改善膜质量的...
    2025-10-20
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