Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 双面DPC产品平坦化的均匀性方法
    双面DPC产品平坦化的均匀性方法_浙江正瀚源半导体有限公司_202511763791.8
    本发明提供了一种双面DPC产品平坦化的均匀性方法。本双面DPC产品平坦化的均匀性方法包括以下步骤：A、表面清洁：对选用的基板进行清洁，并对其表面进行微粗化处理；B、贴膜：将包覆层贴合在基板表面；C、显影：通过显影处理后在基板边沿处形成若干条...
    2026-04-10
  • 一种封装载板及其制备方法、芯片封装结构
    一种封装载板及其制备方法、芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511924022.1
    本公开提供一种封装载板及其制备方法、芯片封装结构，该制备方法包括：提供一基板，在基板上制作通孔，通孔包括标记通孔和功能通孔；在基板的表面以及通孔的侧壁沉积种子层；贴附具有第一开口的第一保护膜，第一开口暴露标记通孔；在标记通孔内填塞绝缘材料形...
    2026-04-10
  • 一种半导体封装结构及封装方法
    一种半导体封装结构及封装方法_南京华天先进封装有限公司_202512008611.1
    本发明公开了一种半导体封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的正面上形成金属垫；在所述基底及所述金属垫上形成基础介电层，并图案化所述基础介电层以形成一开口，该开口暴露所述金属垫的至少一部分；形成金属再布线基础层，...
    2026-04-10
  • 具有互连结构的键合结构
    具有互连结构的键合结构_美商艾德亚半导体接合科技有限公司_202512011251.0
    本公开涉及具有互连结构的键合结构。公开了一种键合结构。键合结构可以包括互连结构。键合结构还可以包括直接键合到互连结构的第一管芯。键合结构还可以包括被安装到互连结构的第二管芯。第二管芯沿着互连结构的上表面与第一管芯横向地间隔开。第二管芯至少部...
    2026-04-10
  • 封装结构的形成方法
    封装结构的形成方法_通富微电子股份有限公司_202512018280.X
    一种封装结构的形成方法，包括：提供基底，基底内具有若干导电插塞；在基底内形成填充层，填充层的材料热膨胀系数大于基底的材料热膨胀系数；在基底上形成顶层重布线层和底层重布线层，顶层重布线层和底层重布线层位于基底的不同侧面；在顶层重布线层上键合连...
    2026-04-10
  • 一种集成电路及其封装方法
    一种集成电路及其封装方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035925.0
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种集成电路及其封装方法，通过准备大尺寸转接芯片；所述大尺寸转接芯片包括金属线层区与空白区；所述金属线层区包括金属结构层与表面焊盘；在所述空白区刻蚀开放凹槽；将嵌合体嵌入所述开放凹槽，得到整合芯片；所述...
    2026-04-10
  • 一种集成电路及其封装方法
    一种集成电路及其封装方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035947.7
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种集成电路及其封装方法，通过准备转接芯片；在所述空白区刻蚀开放凹槽；将内嵌芯粒嵌入所述开放凹槽，得到整合芯片；在所述整合芯片的上表面设置图形化的绝缘阻断层；在所述绝缘阻断层的基础上，得到顶部布线层；在...
    2026-04-10
  • 一种集成电路及其封装方法
    一种集成电路及其封装方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035974.4
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种集成电路及其封装方法，通过准备转接芯片；所述转接芯片包括金属线层区与空白区；所述金属线层区包括金属结构层与第一表面电连接结构；在所述空白区刻蚀开放凹槽；将芯粒嵌入所述开放凹槽，得到整合芯片；在所述整...
    2026-04-10
  • 一种集成电路及其封装方法
    一种集成电路及其封装方法_上海微阱电子科技有限公司_202512036015.4
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种集成电路及其封装方法，通过准备大尺寸转接芯片；所述大尺寸转接芯片包括金属线层区与空白区；所述金属线层区包括金属结构层与第一表面电连接结构；在所述空白区刻蚀开放凹槽；将嵌合体嵌入所述开放凹槽，得到整合...
    2026-04-10
  • 一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法
    一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法_上海创贤半导体有限公司_202512053137.4
    本发明公开了一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法，具体涉及芯片焊接前处理技术领域，包括气体制备与精确调控，提供由氢气和惰性气体组成的还原性混合气体，并通过压力‑流量控制装置，将气体输出压力稳定控制在0.3‑0.5Mpa，输出流量稳定控制在1.5...
    2026-04-10
  • 封装结构的形成方法
    封装结构的形成方法_通富微电子股份有限公司_202512018990.2
    一种封装结构的形成方法，包括：提供临时载板；基于临时载板形成至少1层重布线层、导电插塞层和金属凹槽；提供预处理芯片，预处理芯片固定于金属凹槽内；提供至少1个主芯片，主芯片分别与预处理芯片和重布线层键合连接；对基于临时载板形成的面板级封装结构...
    2026-04-10
  • 扇出型封装结构的制备方法
    扇出型封装结构的制备方法_上海先封科技有限公司_202511819885.2
    本申请公开了扇出型封装结构的制备方法，属于半导体封装技术领域。本申请通过在衬底上形成释放层后，构建包含至少三层绝缘层和再布线层的多层结构，与释放层接触的第一绝缘层采用二氧化硅和/或氮化硅作为非感光性介电材料。该非感光性介电材料具有高刚度和低...
    2026-04-10
  • 封装结构的形成方法
    封装结构的形成方法_通富微电子股份有限公司_202512016012.4
    一种封装结构的形成方法，包括：形成第一重布线层；形成第二重布线层，第二重布线层与第一重布线层堆叠排布，且第二重布线层和第二重布线层电连接；将第一芯片与第一重布线层电连接；将第二芯片与第二重布线层电连接；在第一重布线层内嵌入桥接芯片，桥接芯片...
    2026-04-10
  • 具有两部分传导装置的功率半导体模块及具有其的设备
    具有两部分传导装置的功率半导体模块及具有其的设备_赛米控丹佛斯电子股份有限公司_202511369845.2
    功率半导体模块具有：基底；第一导体轨道，布置在基底上并具有法线方向，具有第一基底接触区域和包括部件接触区域的功率半导体部件；第二导体轨道，布置在基底上，具有第二基底接触区域；承载10安培以上的负载电流的负载接触装置。负载接触装置具有弹簧装置...
    2026-04-10
  • 一种铝带和铝线键合的氮化镓车用功率模块
    一种铝带和铝线键合的氮化镓车用功率模块_斯达半导体股份有限公司_202511932980.3
    本发明提供一种铝带和铝线键合的氮化镓车用功率模块，涉及功率模块技术领域，包括氮化镓芯片以及Pmos芯片的信号极分别与键合电阻的表面通过铝线键合，键合电阻的表面还通过铝线键合在陶瓷基板的信号电路区；氮化镓芯片以及Pmos芯片的功率极通过铝带键...
    2026-04-10
  • 一种功率半导体器件、功率模块及功率单元
    一种功率半导体器件、功率模块及功率单元_西北核技术研究所_202511992246.6
    本发明公开了一种功率半导体器件、功率模块及功率单元，解决了传统功率模块寄生电感大、对地分布电容大、功率密度低的问题，具体包括金属框架、其阳极连接在金属框架上的芯片、并排设置在金属框架一侧的栅极引脚和阴极引脚、连接在芯片的阴极和阴极引脚之间的...
    2026-04-10
  • 封装结构及封装组件
    封装结构及封装组件_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202512057565.4
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种封装结构及封装组件，包括引线框架、芯片以及包裹所述引线框架与所述芯片的封装体；所述芯片设置在所述引线框架的中心基岛上，所述封装体背离所述芯片一侧设有内凹部；所述内凹部的底面为第一平面，所述第一平面在垂直...
    2026-04-10
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202510259249.2
    本发明提供一种封装结构。所述封装结构包含第一载体、第二载体及第一组件。所述第一载体包含安置于所述第一载体的第一表面处的第一衬垫及第二衬垫。所述第二载体安置于所述第一载体上方。所述第一组件将所述第一载体连接至所述第二载体，且包含连接至所述第一...
    2026-04-10
  • 一种全无引线双面散热功率模块及其封装集成方法
    一种全无引线双面散热功率模块及其封装集成方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511692617.9
    本发明公开了一种全无引线双面散热功率模块及其封装集成方法。本发明首先采用低温烧结技术实现芯片与基板的高强度、低热阻互联；其次运用精密桥接技术完成芯片间的电气互连；最后引入高集成度的FPC作为信号控制端，从而实现彻底的无引线封装。无引线的结构...
    2026-04-10
  • 基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构及制造方法
    基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构及制造方法_重庆邮电大学_202511788815.5
    本发明涉及一种基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构，属于半导体封装技术领域。该界面结构从上至下依次包括铜‑铜键合层、聚合物微凸点阵列、碳纳米管垂直互连束、粘结界面层、应力自适应缓冲层、拓扑优化电源网格和基板，在拓扑优化电源网格中设...
    2026-04-10
首页 上一页 8 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证