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最新专利技术
  • 一种锌铈双掺杂白藜芦醇碳点的制备方法及应用
    一种锌铈双掺杂白藜芦醇碳点的制备方法及应用_铭洋新材料(天津)有限公司_202511818092.9
    本发明涉及一种锌铈双掺杂白藜芦醇碳点的制备方法及应用，以白藜芦醇为碳源，和硝酸铈为掺杂剂，通过可控水热法一步合成锌/铈双掺杂白藜芦醇碳点Zn/Ce‑RCDs。制备得到的锌/铈双掺杂白藜芦醇碳点Zn/Ce‑RCDs具有高生物相容性、抗氧化活性...
    2026-05-01
  • 可见光激发的多色水相有机余辉纳米材料的合成方法
    可见光激发的多色水相有机余辉纳米材料的合成方法_浙江工业大学_202511931590.4
    本发明公开了一种可见光激发的多色水相有机余辉纳米材料的合成方法，采用纯有机分子作为原料，通过水热法合成碳点之后，用回流包硅和Stober包硅法，合成了包硅碳点；本发明利用分子工程设计，获得可见光激发的水相余辉纳米材料，并且首次通过原料比例调...
    2026-05-01
  • 一种B、N共掺杂双发射比率型荧光碳量子点荧光探针的制备及其在莠去津检测中的应用
    一种B、N共掺杂双发射比率型荧光碳量子点荧光探针的制备及其在莠去津检测中的应用_中国农业科学院植物保护研究所_202511934988.3
    本发明公开了一种B、N共掺杂双发射比率型荧光碳量子点荧光探针的制备及其在莠去津检测中的应用，属于纳米功能材料及荧光分析检测技术领域。所述荧光碳量子点荧光探针制备时的最佳反应温度为160℃，最佳加热时间为5 h，最佳原料配比为3‑CPBA :...
    2026-05-01
  • 一种鼠尾草酸碳量子点制备方法及其应用
    一种鼠尾草酸碳量子点制备方法及其应用_福建医科大学_202511989497.9
    本发明提供一种鼠尾草酸碳量子点的制备方法，该方法具有采用绿色合成工艺，安全性高，生物相容性良好的优势；本发明制备的鼠尾草酸碳量子点的碳量子点作为高效ROS清除剂的作用，其抗氧化和抗炎效果显著，可显著降低肺上皮细胞氧化损伤，并能有效促进急性肺...
    2026-05-01
  • 一种5-甲基山奈酚碳量子点制备方法及其应用
    一种5-甲基山奈酚碳量子点制备方法及其应用_福建医科大学_202511989656.5
    本发明提供一种5‑甲基山奈酚碳量子点的制备方法，该方法具有采用绿色合成工艺，安全性高，生物相容性良好的优势；本发明制备的5‑甲基山奈酚的碳量子点作为高效ROS清除剂的作用，其抗氧化和抗炎效果显著，可显著降低肺上皮细胞氧化损伤，并能有效促进急...
    2026-05-01
  • 一种N-CDs荧光探针及其制备方法和应用
    一种N-CDs荧光探针及其制备方法和应用_深圳大学_202610220023.6
    本发明属于荧光探针技术领域，具体公开了一种N‑CDs荧光探针及其制备方法和应用，荧光探针通过对苯二胺和L‑酒石酸，采用一步水热法制备。本发明涉及一种具有双光子吸收特性、并可同时特异性靶向活细胞内的细胞核与脂滴细胞器，从而实现双色、双靶向荧光...
    2026-05-01
  • 一种复合荧光粉及其制备方法
    一种复合荧光粉及其制备方法_华东理工大学_202610004294.8
    本发明公开了一种复合荧光粉及其制备方法，属于无机发光材料技术领域。所述复合荧光粉中含有A wt%的K₂PbBr₄和(100‑A)wt%的KBr，其中，A=5～95。在该K₂PbBr₄/KBr复合体系中，K₂PbBr₄为发光组分，在紫外光照射...
    2026-05-01
  • 一种复合纳米材料及其制备方法和应用
    一种复合纳米材料及其制备方法和应用_德州学院_202610225790.6
    本发明公开了一种复合纳米材料及其制备方法和应用，属于发光复合纳米材料技术领域。复合纳米材料包括发光纳米材料和碳量子点(CDs)；发光纳米材料的分子式为Ca5(PO4)3OH : x%Eu3+/y%Tb3+，其中，y%为0%‑90%，x%为0...
    2026-05-01
  • 一种自恢复型力致发光荧光粉及其制备方法
    一种自恢复型力致发光荧光粉及其制备方法_河北大学_202511986430.X
    本发明公开了一种自恢复型力致发光荧光粉及其制备方法，具体涉及功能材料技术领域。本发明公开了一种自恢复型力致发光荧光粉及其制备方法，属于功能材料技术领域。所述荧光粉的化学通式为：(Sc1‑aLaa)1‑x‑y‑z‑wBO3 : Crx, Yb...
    2026-05-01
  • 一种YTaO4 : Er3+/Yb3+@8YSZ : Er3+/Yb3+核壳结构热障涂层荧光温度探针及其制备方法
    一种YTaO4 : Er3+/Yb3+@8YSZ : Er3+/Yb3+核壳结构热障涂层荧光温度探针及其制备方法_青岛科技大学_202511994411.1
    利用溶胶凝胶法和水热法成功制备了YTaO4 : Er3+/Yb3+@8YSZ : Er3+/Yb3+核壳材料，融合了两种TBCs的优点，YTaO4 : Er3+/Yb3+作为核材料提供稳定的发光强度，8YSZ : Er3+/Yb3+作为壳可...
    2026-05-01
  • 一种无需预辐照的宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用
    一种无需预辐照的宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用_华南理工大学_202511780645.6
    本发明公开了一种无需预辐照的宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用。所述材料的为La3Ga5‑5xGeO14 : 5xCr3+，0.0025≤x≤0.02；晶体结构属于P321三方晶系结构，激活离子为Cr3+。制备方法包括：分别称取含镧化...
    2026-05-01
  • 碱金属与稀土共掺杂钙钛矿量子点及其制备方法、量子剪切胶膜及其制备方法
    碱金属与稀土共掺杂钙钛矿量子点及其制备方法、量子剪切胶膜及其制备方法_上海创曜辉应用材料技术有限公司_202511945352.9
    本申请属于钙钛矿技术领域，具体提供一种碱金属与稀土共掺钙钛矿量子点及其制备方法、量子剪切胶膜及其制备方法，旨在解决现有的量子剪切胶膜效率低以及稳定性差的问题。为此，本申请的种碱金属与稀土共掺杂钙钛矿量子点的制备方法包括：S1：将铯源与第一配...
    2026-05-01
  • 纳米材料、墨水及制备方法、薄膜、发光器件和显示装置
    纳米材料、墨水及制备方法、薄膜、发光器件和显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202411345158.2
    本申请公开了一种纳米材料、墨水及制备方法、薄膜、发光器件和显示装置，所述纳米材料包括量子点、第一配体和第二配体，所述第一配体为含有二硫键的化合物，所述第二配体为硫醇化合物。本申请所述的纳米材料具有较高的稳定性。
    2026-05-01
  • 过渡金属离子掺杂CdSe/ZnS核壳量子点的制备方法及应用
    过渡金属离子掺杂CdSe/ZnS核壳量子点的制备方法及应用_中国科学院新疆理化技术研究所_202511949578.6
    本发明公开了过渡金属离子掺杂CdSe/ZnS核壳量子点的制备方法及应用，该方法将过渡金属离子作为杂志能级可控引入宿主CdSe/ZnS材料禁带中从而创建新的电子能级，同时显著降低了CdSe核量子点的自身缺陷能级数量，成功地将发光机制从带边激子...
    2026-05-01
  • 一种选择性氮化钛蚀刻液
    一种选择性氮化钛蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511765268.9
    本发明涉及一种选择性氮化钛蚀刻液，化剂、络合剂、无机碱、金属蚀刻抑制剂、硅蚀刻抑制剂、醇类和去离子水构成氮化钛蚀刻液。在对氮化钛蚀刻的过程中，能够保持快速稳定的蚀刻速率，对铜钨的选择比较高，且对硅基本没有损伤，蚀刻后表面粗糙度较低，有较高的...
    2026-05-01
  • 一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液
    一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511764914.X
    本发明提供了一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液，按质量分数计，包括以下组分：柠檬酸含量5‑10%，无机酸含量1‑5%，缓蚀剂A含量0.1‑2%，缓蚀剂B含量0.1‑2%，表面活性剂含量0.1‑0.5%，余量为超纯水。本发明积极进步效果在于：...
    2026-05-01
  • 一种蚀刻组合物
    一种蚀刻组合物_宁波安集微电子科技有限公司_202411362165.3
    本发明提供了一种用于晶边的刻蚀液的组合物。所述化学蚀刻组合物包括氧化剂、含氟化合物，缓蚀剂、酸、季铵盐或者溶剂等。采用本发明的组合物，能够有效刻蚀去除晶边不同沉积膜层，同时避免对硅刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
    2026-05-01
  • 一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法
    一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782118.9
    本发明描述了一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液主要成分包括按照质量分数计的以下组分：0.1‑1％氟离子源；10‑50%氧化剂；0.1‑1％无机酸；5‑10％有机酸；0.1‑1％分散剂；0.1‑1％稳定剂；余量为高纯水...
    2026-05-01
  • 长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用
    长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782122.5
    本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用，所述蚀刻液含有氢氟酸、氟化铵、添加剂和抑制剂；其中添加剂为氟代脂肪醇；抑制剂为多元醇。本发明的蚀刻液用于半导体制造中氧化硅膜层的清洗和蚀刻。因蚀刻过程放热以及长时间...
    2026-05-01
  • 一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液
    一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782209.2
    本发明公开了一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液，属于半导体制造技术领域。所述蚀刻液，包括以下质量分数的组分：硫酸20%~70%、氧化剂1%~20%、氟化物1%~20%、添加剂0.1%~1%和去离子水，去离子水为余量，各组分质量分数之...
    2026-05-01
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